Material Composition Declaration FIN224ACMLX
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FIN224ACMLX
本资料为一份关于元器件的材料成分声明文件，详细阐述了制造商所列项目中的物质构成详情。文件核心内容涵盖了物质组成、环保声明以及RoHS合规性声明，并提供了制造商的联系方式与制造地点信息。此外，资料还包含了详尽的材料成分列表，具体列出了各成分的CAS号、重量及单位，旨在满足行业对电子元器件物质信息的合规性披露要求。基于该声明所涉的元器件产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，确保产品来源可靠。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持，涵盖选型推荐、设计验证及调试等技术服务。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。这一系列服务有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
FIN224AC:22位序列化程序反序列化程序
10/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
FIN224ACMLX材料成分声明
2019-08-17
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知
Feb. 22, 2017
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| 数据手册 - 英文 |
FIN224AC 22位双向序列化器/反序列化器
Rev.1.1.6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FIN224ACMLX
2018-01-06
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FIN224ACGFX
2018-01-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FIN224ACGFX
2018-01-06
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| 测试报告 - 英文 |
FIN224ACGFX材料成分声明
2019-08-14
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
EFC3C001NUZ用于1-2芯锂离子电池保护的双N沟道功率MOSFET产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
GBPC1208W材料成分声明
2019-09-02
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世强AI
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应用/方案
FIN224AC:22位序列化程序反序列化程序
FIN224AC µSerDes™ 是一款低功耗的串行/并行转换器（SerDes），旨在降低宽信号路径的传输成本和功耗。通过串行化技术，信号传输数量可显著减少，典型减少比例为4:1至6:1（单向路径），双向操作时可达近10:1。差分信号技术有助于减少屏蔽和EMI滤波器的需求，进一步降低成本。该产品具有低功耗、多种掉电模式、高滚降LVCMOS边缘速率选项等特点，适用于移动手机、PMP/MP3播放器等应用。
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应用说明AN-5053具有同步像素接口的设备
本文介绍了Fairchild半导体公司µSerDes™器件在同步像素接口中的应用。主要内容包括同步像素接口的组成、FIN224AC和FIN212AC器件的特性和应用、同步RGB显示接口的实现方法、电源管理、PLL旁路模式以及源同步数据传输等。文章详细阐述了如何使用这些器件实现数据串行化和解串行化，以及如何配置和操作这些器件以满足不同应用的需求。
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AN-5058塞德斯™ 家庭常见问题
本文档为Fairchild Semiconductor的µSerDes™系列应用笔记，主要介绍了µSerDes™串行接口的特点、不同型号的比较、实施指南、测试与诊断以及相关数据表。µSerDes™是一种低成本、低EMI、小型化设备，可实现大量数据在显示、摄像头和控制器等设备之间的传输。文章详细阐述了µSerDes™的优势，包括降低EMI、减少线缆数量、降低成本等，并提供了实际应用中的设计建议和注意事项。
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系列常见问题（FAQ）应用说明
本文档主要介绍了Fairchild Semiconductor的µSerDes™系列设备，这是一种低成本、低EMI、小型化的串行接口解决方案。文章详细阐述了µSerDes™的特点、不同型号之间的差异、应用注意事项、PCB布局指南以及与单端电流模式技术的比较。此外，还提供了关于EMI、电源管理、测试和诊断等方面的信息。
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为下一代成像应用选择相机开关
本文主要探讨了在下一代成像应用中选择相机开关的重要性。文章强调了在多相机和多显示系统中，确保高质量相机和显示功能的关键挑战，包括数据路由、信号完整性保护和电源效率。文章介绍了使用模拟相机开关来解决这些挑战的方法，并详细讨论了不同类型的开关，如SPDT、TPDT和SerDes开关，以及它们在多相机和显示连接中的应用。此外，文章还强调了隔离高速总线以维护信号完整性和降低EMI的重要性，并提供了ON Semiconductor提供的各种相机开关技术的详细信息。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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