NSD914F3T5G: Switching Diode
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NSD914F3T5G
本数据手册详细介绍了NSD914F3T5G高速开关二极管的技术参数与应用特性。该器件专为高速开关应用设计，采用SOT-1123表面贴装封装，具有低功耗优势，特别适合板空间受限的表面贴装应用环境。在关键性能指标方面，其最小反向电压（VR）为100V，最大正向电压（VF）为1V，最大反向电流（IR）为5µA，最大正向电流（IF）为0.2A。此外，该二极管的最大反向恢复时间为4ns，最大结电容为4pF，并符合无铅及无卤素环保标准。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
NSD914F3T5G高速开关二极管
Rev. 1
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NSD914F3T5G高速开关二极管
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NSD914F3T5G
2018-02-01
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材料成分声明NSD914F3T5G
2018-01-27
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NSD914F3T5G：开关二极管
1/27/2018
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BAS16XV2开关二极管
Rev. 9
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BAS16XV2：开关二极管
5/18/2021
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BAS16XV2开关二极管
Rev. 9
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BAS16XV2开关二极管
Rev. 9
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BAS16XV2开关二极管
Rev. 8
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LESHANBE开关二极管的材料组成
2017-12-04
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开关二极管：NST56D1G
1/29/2018
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开关二极管：NST56D1G
1/27/2018
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不锈钢开关二极管的材料组成
2017-12-19
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BAS16L开关二极管
Rev. 13
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BAS16H-开关二极管
Rev. 13
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BAS16H开关二极管
Rev. 13
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BAS16H开关二极管
Rev. 13
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BAL99LT1G开关二极管
Rev. 7
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BAS16M3T5G开关二极管
Rev. 4
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BAS16M3T5G开关二极管
Rev. 4
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BAS16M3T5G开关二极管
Rev. 4
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BAS16M3T5G开关二极管
Rev. 4
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BAS16M3:100V开关二极管
4/11/2020
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BAS116L开关二极管
Rev. 12
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BAS116L开关二极管
Rev. 12
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BAS116L开关二极管
Rev. 12
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BAS16P2:100V开关二极管
4/11/2020
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BAS116L:75V开关二极管
4/11/2020
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BAS16P2T5G开关二极管
Rev. 2
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BAS16P2T5G开关二极管
Rev. 2
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BAS16P2T5G开关二极管
Rev. 2
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BAS16P2T5G开关二极管
Rev. 1
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应用/方案
BAS16XV2：开关二极管
BAS16XV2是一款高速开关二极管，适用于高速度切换应用。其主要特点包括：100%无铅锡焊料、260°C合格回流温度、极小的SOD-523封装、适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，AECQ101合格且PPAP能力。电气规格包括最小反向电压100V、最大正向电压1V、最大正向电流0.2A、最大反向恢复时间6ns、最大电容2pF。
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DA121T:80v开关二极管
DA121T是一款80V开关二极管，适用于高速切换应用。该产品具有无铅封装，符合环保要求。主要电气规格包括最小反向电压80V、最大正向电压1V、最大正向电流1µA、最大正向电流0.2A、最大开关时间6ns、最大电容2pF。产品采用SC-75-3封装，无卤素。
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BAS116T:75V开关二极管
BAS116T是一款75V开关二极管，适用于高速开关应用。该器件采用SC-75表面贴装封装，适用于自动化装配。其主要特点包括低漏电流应用、中等速度开关时间，且产品无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。电规格方面，BAS116TT1G型号已通过AEC认证，具有75V反向工作电压、1.25V正向最大电压、0.005µA最大漏电流等参数。
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产品概述MMBD914L：开关二极管，高速，100伏
MMBD914L是一款高速开关二极管，适用于高速开关应用。该器件采用SOT-23表面贴装封装，适用于自动化插入。产品特点包括无铅封装、适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，AECQ101认证且PPAP能力。主要电气规格包括正向电压、正向压降、反向电流、正向电流、开关时间和电容等参数。
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产品概述MMSD914：开关二极管，高速，100伏
MMSD914是一款高速开关二极管，适用于高速开关应用。该器件采用SOD-123表面贴装封装，具有高击穿电压、快速开关时间和无铅封装等特点。产品符合AECQ101标准，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。
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BAV70M3T5G：开关二极管，共阴极，双
BAV70M3T5G是一款适用于开关应用的共阴极开关二极管，源自流行的SOT-23三引脚器件。该器件采用SOT-723表面贴装封装，适用于低功耗表面贴装应用，特别适合板空间受限的情况。产品符合AEC标准，具有100V反向工作电压、1V正向电压降、2.5µA反向漏电流等电气特性，封装类型为SOT-723-3，无铅且无卤素。
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DAP222M3T5G：开关二极管，双，共阳极，80 V
DAP222M3T5G是一款由ON Semiconductor生产的开关二极管，具有双极性、共阳极特性，耐压80V。该产品符合AEC资格认证，处于活跃状态。其主要电气参数包括最小反向电压80V、最大正向电压1.2V、最大正向电流0.1A，并具有快速开关特性。该二极管采用SOT-723-3封装，无铅且不含卤素。
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BAW56M3T5G：开关二极管，共阳极，双
BAW56M3T5G是一款由SOT-23三引脚器件衍生出的开关二极管，适用于开关应用，封装为SOT-723表面贴装封装。该器件适用于低功耗表面贴装应用，特别适合板空间受限的情况。其主要电气规格包括最小反向电压70V、最大正向电压1V、最大正向电流0.2A等。该产品符合AEC资格认证，无铅、无卤素，适用于汽车电子等高可靠性应用。
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BAL99L:70V开关二极管
BAL99L是一款70V开关二极管，适用于高速切换应用。该器件采用SOT-23表面贴装封装，适用于自动化装配。产品特点包括无铅封装、符合AEC资格认证，具有低正向压降和快速开关特性。
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BAS16M3:100V开关二极管
BAS16M3T5G开关二极管，源自流行的SOT-23三引脚器件，适用于开关应用，封装于SOT-723表面贴装封装。该器件适用于低功耗表面贴装应用，特别适用于板空间受限的环境。特性包括100%哑光锡（锡）引线端和极小的SOT-723封装。适用于高速开关应用。电规格包括最小反向电压100V，最大正向电压1.25V，最大正向电流0.2A，最大反向恢复时间6ns，最大电容2pF。
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BAS16P2:100V开关二极管
BAS16P2T5G是一款由SOT-23三引脚器件衍生出的小型SOD-923封装开关二极管，适用于低功耗表面贴装应用。该器件适用于高速开关应用和无线手机等终端产品，具有极小的SOD-923封装，适合空间受限的电路板。主要电气规格包括正向电压、正向电流、反向恢复时间等，符合AEC认证，无铅且无卤素。
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BAS20L:200V开关二极管
BAS20L是一款200V高压开关二极管，适用于高压、高速开关应用。该器件包含两个电气隔离的高压开关二极管，封装于SOT-23表面贴装封装中。产品特点包括无铅封装、适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，AECQ101认证，PPAP能力。主要电气规格包括正向电压、正向电流、反向恢复时间等。
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DAN222M3T5G：开关二极管，双，共阴极
DAN222M3T5G是一款双极性开关二极管，适用于通用阴极配置。该产品符合AEC质量标准，具有80V反向工作电压和1.2V正向电压降。最大正向电流为0.1A，开关时间小于4ns，电容小于3.5pF。采用SOT-723-3封装，无铅且不含卤素。
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BAS116L:75V开关二极管
BAS116L是一款75V开关二极管，适用于高速开关应用。该器件采用SOT-23表面贴装封装，适用于自动化插入。其主要特点包括低漏电流应用、中等速度开关时间，并提供8毫米卷带和卷盘包装。产品符合AECQ101标准，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。
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NCV890430MW33GEVB型
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