MMBT4401M3: NPN Bipolar Transistor
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MMBT4401M3; MMBT4401M3T5G
本数据手册详细介绍了MMBT4401M3这款NPN双极型晶体管，该器件源自流行的SOT-23三引脚器件，并采用更小的SOT-723-3表面贴装封装，非常适合板空间有限的低功耗应用。作为一款通用型晶体管，MMBT4401M3具备无铅且无卤素的环保特性，其集电极-发射极击穿电压（VCEO）最小值为40V，连续集电极电流为0.6A，直流电流增益（hFE）范围在100至300之间，特征频率（fT）最小值为250MHz，最大功耗为0.64W，集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）最大值为0.75V。凭借这些技术参数，该产品主要被应用于通用放大器及低功耗表面贴装场景。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MMBT4401M3:NPN双极晶体管
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBT4401M3T5G
2018-02-01
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材料成分声明MMBT4401M3T5G
2018-01-27
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| 评估板使用说明 - 英文 |
6.6 kW图腾柱演示板用户手册
Rev. 0
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MMBT4401M3T5G NPN开关晶体管
Rev.1
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MMBT4401M3T5G NPN开关晶体管
Rev. 1
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MMBT4401M3T5G NPN开关晶体管
Rev. 1
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MMBT4401M3T5G NPN开关晶体管
Rev. 1
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MMBT4401WT1材料成分声明
2019-09-02
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MMBT4401WT1G材料成分声明
2019-09-02
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NSVMMBT4401WT1G材料成分声明
2019-09-02
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2N4401/MMBT4401 NPN通用放大器
Rev.2
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MMBT4401L、SMMBT4401L开关晶体管
Rev. 11
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MMBT4401WT1 NPN双极晶体管产品概述
9/2/2019
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MMBT4401WT1G开关晶体管：NPN硅
Rev. 5
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MMBT4401WT1G开关晶体管NPN硅
Rev. 5
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MMBT4401WT1G开关晶体管
Rev. 5
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MMBT4401WT1G开关晶体管
Rev. 5
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MMBT4401WT1G开关晶体管数据表
Rev. 5
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汽车产品选型指南
Rev. 22
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NST846BF3T5G：NPN双极晶体管
9/27/2018
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NST846BF3T5G：NPN双极晶体管
1/29/2018
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BC337-25：NPN双极晶体管
1/25/2018
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BC337-25：NPN双极晶体管
1/19/2018
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BC337-025：NPN双极晶体管
1/25/2018
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BC337-025：NPN双极晶体管
1/19/2018
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CPH5905 N沟道JFET和NPN双极晶体管15V，10至32mA，50V，150mA，复合型CPH5
August, 2013
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NST848BF3T5G：NPN双极晶体管
9/27/2018
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NST848BF3T5G：NPN双极晶体管
1/29/2018
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CPH5901 N沟道JFET和NPN双极晶体管15V，6至20mA，50V，150mA，复合型CPH5
August, 2013
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BC337-40：NPN双极晶体管
1/25/2018
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BC337-40：NPN双极晶体管
1/19/2018
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BC846BM3：NPN双极晶体管
9/27/2018
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产品概述BC337:NPN双极晶体管
12/26/2017
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产品概述BC337:NPN双极晶体管
1/19/2018
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MSD602-RT1：NPN双极晶体管
4/13/2020
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CPH5902 N沟道JFET和NPN双极晶体管15V，10至32mA，50V，150mA，复合型CPH5
August, 2013
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世强AI
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应用/方案
产品概述TIP35C:25A，100V NPN双极功率晶体管
TIP35C是一款25A、100V的NPN双极型功率晶体管，适用于通用功率放大器和开关应用。该晶体管具有25A集电极电流、低漏电流、优秀的直流增益和高的电流增益带宽积。产品提供无铅封装，适用于多种电子设备。
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产品概述NSS1C201MZ4T1G:2.0 A，100 V低VCE（sat）NPN双极晶体管
该资料介绍了ON Semiconductor生产的NSS1C201MZ4T1G型号的2.0 A、100 V低VCE(sat) NPN双极型晶体管。该晶体管具有超低饱和电压VCE(sat)和高电流增益特性，适用于低压、高速开关应用，如DC-DC转换器和便携式电池供电产品的电源管理。典型应用包括手机、PDA、电脑、打印机、数码相机和MP3播放器等。此外，还适用于汽车行业的气囊部署和仪表盘。该晶体管可直接由PMU控制输出驱动，线性增益（Beta）使其成为模拟放大器的理想组件。产品特点包括无铅设计、适用于汽车和其他特殊应用，以及符合AECQ101和PPAP标准。
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BC517:NPN双极达林顿晶体管
BC517是一款NPN双极型达林顿晶体管，适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁铁和灯具驱动器。该器件采用TO-92封装，适用于中等功率应用。特点包括无铅封装、ESD保护、极性反转保护和数据线保护等。主要电气规格包括连续集电极电流、CEO反向击穿电压、饱和电压、最小和最大电流增益以及最小特征频率。
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EMG2DXV5：双NPN双极数字晶体管（BRT）
EMG2DXV5是一款双NPN双极型数字晶体管（BRT），旨在替代单个设备及其外部偏置网络。该晶体管包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这种设计通过将它们集成到单个设备中，消除了这些独立组件，从而降低了系统成本和板空间。该器件封装在SOT-553封装中，适用于低功耗表面贴装应用。
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CPH5905:N沟道JFET和NPN双极晶体管，15V，10至32mA，50V，150mA，复合型，CPH5
CPH5905是一款复合型N-Channel JFET和NPN双极型晶体管，适用于高频放大器、AM放大器和低频放大器。该产品具有以下特点：包含J-FET和NPN晶体管，提高安装效率；包含2SK3357等效芯片和2SC4639等效芯片；漏极和发射极共享。产品规格包括VCE(sat) Max、IC Cont.、VCEO Min、hFE Min、hFE Max、fT Min和PTM Max等。
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CPH5901:N沟道JFET和NPN双极晶体管，15V，6至20mA，50V，150mA，复合型CPH5
CPH5901是一款复合型N-Channel JFET和NPN双极型晶体管，具有15V电压、6至20mA电流、50V电压和150mA电流。该产品采用CPH5封装，包含两个芯片，分别相当于2SK932和2SC4639，提高了安装效率。主要特点包括低VCE(sat)和共源共射配置。
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BD681：中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BD681是一款中功率NPN达林顿双极型功率晶体管，适用于互补通用放大器应用的输出设备。其主要特点包括高直流电流增益、单片结构，与BD675系列等型号互补，并提供无铅封装选项。
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产品概述TIP41:NPN双极功率晶体管
TIP41系列双极型功率晶体管适用于通用功率放大器和开关应用。该系列包括NPN型（TIP41, TIP41A, TIP41B, TIP41C）和PNP型（TIP42, TIP42A, TIP42B, TIP42C）两种类型。主要特点包括：集电极-发射极饱和电压低至1.5V，高电流增益带宽积3MHz，紧凑型TO-220 AB封装，无铅封装。
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2N6043:8.0A，60V NPN达林顿双极功率晶体管
该资料介绍了2N6043型NPN达林顿双极型功率晶体管。该晶体管适用于通用放大器和低速开关应用，具有高直流电流增益、高集电极-发射极维持电压、低集电极-发射极饱和电压等特点。产品规格包括连续电流、最小击穿电压、最大饱和电压、最小电流增益和最小特征频率等。此外，该晶体管提供无铅封装选项。
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DTC115TM3:NPN双极数字晶体管（BRT）
DTC115TM3是一款NPN双极性数字晶体管（BRT），旨在替代单个设备及其外部偏置网络。该系列数字晶体管包含一个单晶体管，其偏置网络由两个电阻组成，包括串联基极电阻和基极-发射极电阻。BRT通过将它们集成到单个设备中，消除了这些单独的组件。使用BRT可以降低系统成本和板空间。特点包括简化电路设计、减少板空间、减少组件数量，并提供适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的S和NSV前缀。这些设备无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。
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DTC144WM3:NPN双极数字晶体管（BRT）
DTC144WM3是一款NPN双极型数字晶体管（BRT），旨在替代单个设备及其外部偏置网络。该系列数字晶体管包含一个单晶体管，其偏置网络由两个电阻组成，包括串联基极电阻和基极-发射极电阻。BRT通过将这些组件集成到单个设备中，消除了这些单独的组件。使用BRT可以降低系统成本和板空间。特点包括简化电路设计、减少板空间、减少组件数量，并提供适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的S和NSV前缀。这些设备无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。
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2N6045:8.0A，100V NPN达林顿双极功率晶体管
该资料介绍了2N6045型NPN达林顿双极型功率晶体管。该晶体管适用于通用放大器和低速开关应用，具有高直流电流增益、高集电极-发射极维持电压、低集电极-发射极饱和电压等特点。产品规格包括连续电流、最小击穿电压、最大饱和电压、最小电流增益和最小特征频率等，并支持无铅封装。
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CPH5902:N沟道JFET和NPN双极晶体管，15V，10至32mA，50V，150mA，复合型CPH5
CPH5902是一款复合型N-通道JFET和NPN双极型晶体管，适用于高频放大器、AM放大器和低频放大器。该产品采用CPH5封装，包含2SK2394等效芯片和2SC4639等效芯片，具有低饱和电压和较高的电流处理能力。主要特点包括：复合型封装提高安装效率，共射极和共集电极设计，电气规格包括最大VCE(sat)为0.4V，最大IC为0.15A，最小VCEO为50V，最小hFE为135，最小fT为400MHz，最大PTM为0.35W，封装类型为CPH-5。
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