Material Composition Declaration MBRA160T3
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MBRA160T3
本材料成分声明文件详细介绍了MBRA160T3产品的物质构成与合规性情况。该资料作为制造商出具的技术文档，明确列出了产品内部所使用的各类材料及其具体含量，涵盖锡、银、铅、锌、铁、铜等关键金属元素，并提供了详细的材料分布信息。此外，文件重点声明该产品符合欧盟RoHS指令的环保要求，确保了产品在有害物质限制方面的合规性，同时附带了制造商联系方式及具体产品信息，为用户进行质量验证与环保审查提供了权威依据。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，所有型号均支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
MBRA160T3：1.0 A，60 V，肖特基功率整流器，表面贴装
5/18/2021
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明160T3 REC SMA 1A 60V SHTKY TR
2018-01-16
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NCV8856GEVB NCV8856汽车级同步降压控制器评估板用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述160T3：肖特基功率整流器，表面贴装，1.0 A，60 V
1/19/2018
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述160T3：肖特基功率整流器，表面贴装，1.0 A，60 V
2/27/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明160T3G REC SMA 1A 60V SHTKY TR
2018-01-16
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NCP1030GEVB使用NCP1030评估板用户手册为电信系统提供2 W隔离偏压电源
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报表160T3G
2018-01-23
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| 数据手册 - 英文 |
表面贴装肖特基功率整流器SMA功率表面贴装封装
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MBRA160、NRVBA160、NRVBA160N表面贴装肖特基功率整流器\n
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MBRA160、NRVBA160、NRVBA160N表面贴装肖特基功率整流器SMA功率表面贴装封装\n
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MBRA160、NRVBA160、NRVBA160N表面贴装肖特基功率整流器SMA功率表面贴装封装\n
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MBRA160、NRVBA160、NRVBA160N表面贴装肖特基功率整流器
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MBRA160、NRVBA160、NRVBA160N 1.0安培60伏肖特基势垒整流器\n
MBRA160T3/D
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| 数据手册 - 英文 |
MBRA160、NRVBA160、NRVBA160N表面贴装肖特基功率整流器：SMA功率表面贴装封装
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
使用NCP1030应用笔记设计用于电信系统的隔离式2 W偏置电源
本文介绍了ON Semiconductor的NCP1030芯片在电信系统隔离偏置电源设计中的应用。NCP1030芯片集成了所有必要的功能，包括功率开关、控制逻辑和保护电路，以实现高度集成的隔离偏置电源。文章详细描述了设计过程，包括变压器规格、输出电容选择、频率补偿和反馈环路设计。此外，还讨论了过压和欠压检测、振荡器频率、阻尼器和布局考虑因素。设计验证部分展示了转换器的性能，包括开环频率响应、效率、线路和负载调节、阶跃负载响应和启动响应。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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