TND027MP: Excellent Power Device, Lowside Power Switch Lamp / Solenoid /Motor Driving, Single MP
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
TND027MP
本数据手册详细介绍了TND027MP这一适用于低边功率开关灯、电磁阀及电机驱动的优秀功率器件。该器件内置N沟道MOSFET，并集成了过热保护与过流保护功能，其中过热保护与过流限制均为自恢复型，能够有效提升系统的可靠性与安全性。其核心应用领域涵盖低边功率开关灯驱动器、电磁阀驱动器以及电机驱动器，为工业控制与汽车电子等场景提供高效的功率管理方案。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
TND027MP优秀电源装置低压电源开关灯/电磁阀/电机驱动，单MP
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报TND027MP
2018-01-25
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明TND027MP-AZ
2018-01-25
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明TND027MP-AZX
2018-01-25
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TND322VD：出色的通用功率器件、双缓冲驱动器
1/28/2018
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双螺线管、电源开关、SOIDC278、电机、SOIDC278
August, 2013
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优秀的电源设备通用双缓冲驱动器，双SOIC8
August, 2013
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TND525SS优秀功率器件，半桥驱动，单SOIC8产品概述
8/18/2019
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TND523SS优秀功率器件，单相高压侧驱动，单SOIC8产品概述
8/18/2019
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TND316S通用功率器件、逆变器和缓冲驱动器，双SOIC8产品概述
10/29/2019
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TND524VS优秀功率器件单相高压侧驱动，单VEC8
August,2013
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TND525SS优秀功率器件半桥驱动器，单SOIC8
August,2013
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TND523SS优秀功率器件单相高压侧驱动器，单SOIC8
August,2013
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TND322VD优秀电源器件，通用双缓冲驱动产品概述
8/15/2019
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TND314S优秀功率器件通用双逆变驱动器，双SOIC8
August,2013
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TND316S优秀的通用功率器件逆变器和缓冲驱动器，双SOIC8
August,2013
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FOD0721、FOD0720、FOD0710高CMR、25MBit/sec逻辑门光电转换器
Rev.1.0.9
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TND315S优秀电源器件，通用双缓冲驱动，双SOIC8产品概述
8/17/2019
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TND316S优秀的电源设备，通用变频器和缓冲驱动器，双SOIC8产品概述
8/17/2019
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MBRS360肖特基功率整流器，表面贴装，3.0 A，60 V产品概述
3/28/2019
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LM385：微功率电压基准二极管
12/9/2017
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CS8183双微功率200毫安低压差跟踪稳压器/线路驱动器
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FDMA008P20LZ-MOSFET-功率，单P沟道，PowerTrench，-20 V，-11 A，13 mΩ
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FDZ2040L：集成负载开关产品概述
7/21/2019
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
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TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
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ES1JFL表面贴装超快整流器数据表
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PN2222（传统飞兆半导体）通用晶体管产品概述
8/10/2019
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BD237 NPN外延硅双极型功率晶体管产品概述
8/10/2019
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MBR440MFST1G材料成分声明
2019-09-16
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1SMA5930BT3G材料成分声明
2019-09-16
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FSL136HR绿色模式电源开关
Rev. 2
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MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
TND322VD优秀功率器件通用双缓冲驱动器
TND322VD是一款高性能的通用双缓冲驱动器，采用高压CMOS工艺制造。该器件具有25V的耐压能力，工作电压范围宽（4.5V至25V），峰值输出电流可达0.8A/1A。具有快速开关时间（典型值30ns），与TTL/CMOS完全兼容，内置输入下拉电阻。资料中详细介绍了其电气特性、封装尺寸、推荐焊接和订购信息。
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TND321VD优秀功率器件通用双缓冲驱动器
TND321VD是一款双逆变器驱动器，采用高压CMOS工艺制造，具有25V的耐压能力。该器件适用于4.5V至25V的宽电压范围，峰值输出电流为0.8A至1A。具有快速开关时间（典型值为30ns），与TTL/CMOS完全兼容，内置输入下拉电阻。资料中提供了详细的电气特性、推荐工作条件、封装尺寸和订购信息。
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TND323VD优秀的通用功率器件逆变器和缓冲驱动器
TND323VD是一款高性能的逆变器缓冲驱动器，适用于通用目的。它采用高压CMOS工艺制造，具有25V的耐压能力，工作电压范围宽（4.5V至25V），峰值输出电流为0.8A/1A。该器件具有快速开关时间（典型值30ns），完全兼容TTL/CMOS输入，内置输入下拉电阻。资料中还包括了详细的电气特性、推荐工作条件、封装尺寸和订购信息。
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NCP51460：精密电压基准，20毫安微功率
NCP51460是一款高性能、低功耗的精密电压参考器件，输出电流可达20 mA，输出电压为3.3 V。该器件具有出色的线路和负载调节特性，良好的电源抑制比（PSRR），低输出噪声和低静态电流，适用于精密稳压器应用。NCP51460无需输出电容即可稳定工作，适用于空间受限的应用。该器件还具备短路和反向输入电压保护功能。主要特点包括：4.2 V至28 V的输入电压范围，0至20 mA的输出电流能力，18 ppm/°C的输出电压温度系数，1%的输出电压精度，68 dB的PSRR（1 kHz），140 µA的静态电流，18 µVRMS的输出噪声。适用于A/D和D/A转换器、精密稳压器系统、医疗设备、备用电源、电池供电系统等。
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VBsemi VBQF2625 Trench MOSFET——重新定义电池管理系统保护的性能标杆，一款CJAE10P06的替代推荐
随着电动汽车与储能系统的飞速发展，电池管理系统正面临日益严峻的电压与电流保护需求。电池组工作电压不断攀升，瞬态浪涌与反向电流风险加剧，对保护器件的性能要求达到了前所未有的高度：需具备高耐压、低导通损耗、快速响应能力，同时在紧凑空间内保持优异的热稳定性。VBsemi微碧推出的VBQF2625 Trench MOSFET不仅是一款参数出色的功率器件，更是针对BMS特殊应用场景而生的解决方案级产品。
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鲁光MDC100A-16整流管模块：大功率工业应用的可靠核心
在现代工业电力系统的核心，整流管模块扮演着将交流电转换为直流电的关键角色。鲁光电子推出的MDC100A-16整流管模块正是为工业而生的一款高可靠性功率器件。凭借其高电流承载能力、出色的电气绝缘性能，成为众多高功率密度应用的解决方案。
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For High-Efficiency Switching Power Supplies: Leiditech MBR40H100CDM – 40A TMBS® with 450A Surge Capability ＆ Ultra-Low 0.78V VF
Leiditech MBR40H100CDM is a high current density surface mount TMBS diode with thin profile, high junction temperature, and excellent heat dissipation. It offers pin-pin replacement for Vishay‘s V40PWM10 with higher cost performance. Key features include high efficiency, low forward voltage drop, and quick switching performance. Ideal for switching power supplies and power conversion circuits.
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碳化硅Cascode JFET：Anbon新开发SIC JFET组合功率器件，提供更高的效率和更出色的散热性能
碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）共源共栅（Cascode）是一种混合器件，其具有宽禁带半导体的开关特性，同时也具有 Si MOSFET 的灵活性和通用性，可直接替代传统系统中的功率器件及设计下一代功率变换器与逆变器。
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Thick Film High Power Chip Resistor – CRP Series
CRPseries thick film resistor is designed on high thermal conductivity aluminum nitride substrate with enlarged backside terminations to reduce the thermal resistance between the topside resistor layer and the solder joint on the end users’ circuit assembly. It offers effiectively heat dissipation to remove the heat to the overall performance of the devices. Enhance over 3 times more power in same size , Excellent reliability and stability. It offers High Thermal Conductivity for Power to 22 W with temperature control in 2512 Case .
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小巧、高效、易用：100mA输出的三端可调正压稳压器LM317采用小体积，极简设计，提供小功率电源设计全面保护
在紧凑型电子设备与低功耗应用中，稳定而灵活的电压调节是保障系统性能的关键。LM317L作为一款100mA输出的三端可调正压稳压器，以其极简的外围电路、出色的稳定性和多种封装选择，成为小功率电源设计中不可或缺的核心器件。本文将从核心优势、典型应用及设计建议三个方面，为您全面解析 扬州国芯LM317L的价值与应用。
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Si₃N₄还是AlN？功率模块散热基板的选择内幕
“为什么选Si₃N₄和AlN的陶瓷基板？”当客户向我们提出这个疑问时，我们知道他碰到了功率器件设计的核心挑战——散热与可靠性的平衡。在功率半导体领域，散热基板的选择直接决定了模块的生死。传统氧化铝（Al₂O₃）基板在600V以下的家电、工控领域表现出色，但当电压飙升至800V甚至1200V，当电流密度突破200A/mm²时，只有氮化硅（Si₃N₄）和氮化铝（AlN）能扛住这种极端工况。
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Feasycom Bluetooth+Wi-Fi Provides a Convenient IoT Connection Solution with Excellent STA＆AP Dual-mode Coexistence Advantages
With advanced chip technology, excellent Bluetooth＆Wi-Fi coexistence, and STA＆AP dual-mode coexistence advantages, the Feasycom Bluetooth+Wi-Fi module provides stable, efficient, and flexible connection solutions for IoT devices. Whether in smart homes, industrial IoT, intelligent vehicles, or other fields, it demonstrates powerful performance and adaptability, empowering industries to achieve digital and intelligent upgrades.
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FAM65V05DF1 ASPM 27系列组件组装指南应用说明
本文介绍了ASPM 27系列汽车级SPM模块的组装指南，包括热界面材料（TIM）的应用、散热器安装、焊接程序等。文章详细说明了两种组装方法，并提供了螺丝拧紧指南、焊接质量检查等内容。此外，还讨论了热性能、机械特性和电气隔离距离等关键参数。
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AN-9036飞兆半导体电源使用指南56
本文介绍了Fairchild Power56功率器件的安装指南，包括组件安装、板布局、通孔使用、焊接工艺、焊膏使用、焊接结束、铅终止、暴露的铜和焊料圆角等方面。文章强调了正确设计焊盘和电路板布局对于提高热性能的重要性，并提供了关于焊膏印刷、焊接过程和测试的建议。此外，还讨论了在原型和批量生产环境中使用Power56组件的技巧和注意事项。
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WAYON High Voltage Fast Recovery VDMOSFET: the Key to Unlock Efficient Power Conversion
Wayon FRMOS applies advanced process platform and optimizes the device internal structure, which exhibits excellent performance in high voltage application scenario. In comparison with traditional MOSFET, Wayon FRMOS has faster charge release speed during reverse recovery phase, which can effectively reduce switching losses and EMI, thereby enhancing the overall system performance.
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Kinghelm DC Power Jack KH-DC-036-2.0: Ultra-Lightweight with Precision Fit
The Kinghelm KH-DC-036-2.0 is a DC power jack designed specifically for compact electronic devices. With its 2mm standard inner diameter, ultra-light structure, and excellent connectivity, the Kinghelm KH-DC-036-2.0 DC power jack is the ideal choice for next-gen electronics manufacturers. Small but powerful, light yet durable—it serves not just as a power interface, but also as a symbol of quality and efficiency.
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微硕高性能双N沟道MOS管WSD4082DN33，具备低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性，应用于无线充电器
无线充电技术近年来发展迅速，广泛应用于智能手机、智能穿戴设备、智能家居等领域。无线充电器的核心在于高效、稳定地将电能从发射端传输到接收端，而功率开关器件在其中扮演着关键角色。微硕WINSOK WSD4082DN33作为一款高性能的双N沟道MOS管，具备低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性，非常适合应用于无线充电器中。
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