ESDR0544M: ESD Protection Diode, Ultra Low Capacitance, Low ClampingVoltage
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
ESDR0544M
该数据手册详细介绍了ESDR0544M瞬态电压抑制二极管，这是一款专为保护高速数据线免受静电放电（ESD）损害而设计的半导体器件。资料重点阐述了该器件具备超低电容与低钳位电压的核心技术特性，其I/O线与地之间的最大电容仅为0.9 pF，使其成为保护电压敏感型高速数据线的理想选择。在封装设计上，ESDR0544M采用流过式封装，不仅便于PCB布局，还能确保高速差分线（如HDMI）之间阻抗的一致性。手册明确指出该器件适用于DVI和DisplayPort接口，并广泛应用于HDMI接口、数字电视（DTV）、机顶盒（STB）、个人电脑（PC）及游戏设备等领域。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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提供消费和车载电子静电摸底测试服务，测试接触放电和空气放电士20KV±20%，并将针对测试出的问题给出ESD整改方案。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
ESDR0544M瞬态电压抑制器
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ESDR0544MDMR4G
2018-01-26
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0502N ESD保护二极管阵列超低电容ESD保护高速数据线保护
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
ESDR0544MDMR4G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0502B、SZESDR0502B ESD保护二极管
Rev. 5
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ESDR0502B、SZESDR0502BESD保护二极管
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ESDR0524PMUTAG
2018-01-25
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ESDR7534W1T2G
2018-01-22
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ESDR7534W1T2G
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0524P ESD保护二极管用于高速数据的低电容ESD保护
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0524P ESD保护二极管：用于高速数据的低电容ESD保护
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
ESDR7534W1T2G材料成分声明
2019-08-15
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0524P:ESD保护二极管，超低电容，低箝位电压
1/24/2018
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| 测试报告 - 英文 |
ESDR0524PMUTAG材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述ESDR7534:SC88封装4线ESD保护器
1/19/2018
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述ESDR7534:SC88封装4线ESD保护器
12/27/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ESDR0502NMUTBG
2018-01-25
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0502N ESD保护二极管阵列：用于高速数据线保护的超低电容ESD保护
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ESDR0502NMUTAG
2018-01-25
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0502B、SZESDR0502B ESD保护二极管超低电容
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
ESDR0502NMUTAG材料成分声明
2019-10-29
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| 测试报告 - 英文 |
ESDR0502NMUTAG材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0524P ESD保护二极管高速低电容ESD保护数据规格书
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
ESDR0502BT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0502N：用于高速数据线的超低电容ESD保护阵列
1/24/2018
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| 测试报告 - 英文 |
ESDR0502NMUTBG材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0502N ESD保护二极管阵列用于高速数据线保护的超低电容ESD保护数据手册
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报表SZESDR0502BT1G
2018-01-22
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报表SZESDR0502BT1G
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述ESDR0502B：ESD保护二极管，低泄漏，快速响应时间，具有箝位能力
1/19/2018
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述ESDR0502B：ESD保护二极管，低泄漏，快速响应时间，具有箝位能力
12/27/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ESDR0502BT1G
2018-01-22
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ESDR0502BT1G
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0502B、SZESDR0502B ESD保护二极管超低电容规格书
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
SZESDR0502BT1G材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
ESD保护二极管阵列超低电容ESD保护用于高速数据线路保护
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR7534:SC88封装4线ESD保护器产品概述
8/11/2019
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| 数据手册 - 英文 |
ESDR0524P ESD保护二极管高速数据低电容ESD保护
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
NSPM0101 ESD保护二极管
Rev. 3
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NSPM0101 ESD保护二极管
Rev. 3
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NSPM0101 ESD保护二极管
Rev. 3
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NSPM0101 ESD保护二极管
Rev. 3
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ESD7108-ESD保护二极管
Rev. 0
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NSPM0051 ESD保护二极管
Rev. 2
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NSPM0051 ESD保护二极管
Rev. 2
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
TDR应用笔记
本文介绍了高速信号传输中传输线的基本原理和时域反射（TDR）技术。文章阐述了传输线在高速接口中的重要性，以及如何通过TDR测量和分析信号路径的阻抗匹配情况。同时，文章还讨论了影响TDR测量的因素，并介绍了ON Semiconductor提供的低电容ESD保护器件，以帮助设计师优化高速接口的信号质量。
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【经验】替代ESDR0524P的国产ESD防护器件GESD0524P，成本降低30%
国产ESD防护器件GESD0524P与ESDR0524P内部功能框图及pin脚定义完全一致，可实现兼容设计，无需更改任何外部电路，但二者pin脚的形状和尺寸有细微差别，在进行pad设计时请注意
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产品概述SD12:ESD保护二极管，单向，SOD-323
SD12是一款单向ESD保护二极管，适用于需要瞬态过压保护的应用。该器件适用于电压和ESD敏感的设备，如电脑、打印机、商务机器、通信系统、医疗设备等。其主要特点包括200mW的稳态功率路由、350瓦的峰值功率、低泄漏、极性带指示阴极、满足IEC61000-4-2和IEC61000-4-4标准，以及满足16kV人体模型ESD要求。该产品适用于电压和ESD敏感的设备。
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ESD9X12S产品概述：ESD保护二极管
ESD9X12S是一款专为防止静电放电（ESD）设计的保护二极管。该系列具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，适用于易受ESD影响的设计。其小巧的尺寸使其适用于手机、MP3播放器、数码相机等多种便携式应用。主要特点包括：小尺寸封装、低漏电流、响应时间小于1纳秒、人体模型ESD等级为3（>16 kV）以及IEC6100042第4级ESD保护。
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ESD7108:ESD保护二极管
ESD7108是一款专为保护四对高速差分对设计的瞬态电压抑制器。其超低电容和低ESD钳位电压使其成为保护电压敏感的高速数据线的理想选择。该器件采用流过式封装，便于PCB布局，并确保高速线路的阻抗一致性。主要特点包括集成四对高速数据、单连接、流过式布线、低电容（最大0.25 pF，I/O到地）、符合IEC 61000-4-2第4级标准、UL阻燃等级94 V-0。适用于V-by-One HS和LVDS等应用。
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