MMBT5551M3: High Voltage NPN Bipolar Transistor
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MMBT5551M3; MMBT5551M3T5G; NSVMMBT5551M3T5G
本数据手册详细介绍了MMBT5551M3高压NPN双极型晶体管的技术规格与应用特性。该器件源自流行的SOT-23三引脚设计，现采用SOT-723表面贴装封装，专为板空间有限的低功耗应用场景打造，非常适用于通用开关应用。在关键性能参数方面，MMBT5551M3的最小集电极-发射极击穿电压（VCEO）为160V，最大集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）为0.2V，最大连续集电极电流为0.06A。此外，该器件具备最小80的直流电流增益（hFE）和最高250MHz的过渡频率，最大功耗达0.64W，并符合无铅及无卤素的环保要求。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
MMBT5551M3 NPN高压晶体管
Rev. 3
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MMBT5551M3 NPN高压晶体管
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MMBT5551M3 NPN高压晶体管
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MMBT5551M3 NPN高压晶体管
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MMBT5551M3 NPN高压晶体管
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NSVMMBT5551M3T5G
2018-02-01
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材料成分声明NSVMMBT5551M3T5G
2018-01-27
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EVBUM2293/D NCL30086SMRTGEVB 8W智能LED驱动器评估板用户手册
Rev. 0
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NCL30060GEVB离线临界导通模式PFC LED驱动器评估板用户手册
Rev. 0
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NCL30060GEVB离线临界导通模式PFC LED驱动器评估板用户手册
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBT5551M3T5G
2018-02-01
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材料成分声明MMBT5551M3T5G
2018-01-27
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MMBT5551M3：高压NPN双极晶体管
1/27/2018
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材料成分声明SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
2017-12-21
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材料成分声明SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
2017-12-21
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材料成分声明SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
2017-12-21
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材料成分声明SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
2017-12-21
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材料成分声明SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
2017-12-21
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MMBT5550L，MMBT5551L高压晶体管NPN硅
Rev. 13
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MMBT5550L、MMBT5551L高压晶体管：NPN硅
Rev. 13
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MMBT5550L，MMBT5551L高压晶体管NPN硅
Rev. 12
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材料成分声明MMBT5551LT3
2018-01-18
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高压晶体管NPN硅MMBT5550L，MMBT5551L
Rev. 13
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MMBT5551LT3材料成分声明
2020-04-13
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MMBT5551LT3材料成分声明
2019-07-16
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MMBT5551LT3材料成分声明
2019-03-31
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MMBT5551L：高压NPN双极晶体管
5/18/2021
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MMBT5551LT1材料成分声明
2020-04-13
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MMBT5551LT1材料成分声明
2019-07-16
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MMBT5551LT1材料成分声明
2019-03-31
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产品概述MMBT5551L：高压NPN双极晶体管
11/26/2017
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产品概述MMBT5551L：高压NPN双极晶体管
12/31/2017
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MMBT5551L高压NPN双极晶体管产品概述
3/29/2019
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材料成分声明MMBT5551LT1
2018-01-18
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MMBT5550L：高压NPN双极晶体管
5/18/2021
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材料成分声明MMBT5551LT1H
2018-01-18
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汽车产品选型指南
Rev. 22
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MMBT5551LT1H材料成分声明
2020-04-13
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MMBT5551LT1H材料成分声明
2019-07-16
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MMBT5551LT1H材料成分声明
2019-03-31
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MMBT5551LT1G材料成分声明
2020-04-13
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MMBT5551LT1G材料成分声明
2019-09-12
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应用/方案
NCL30060GEVB离线临界导通模式PFC LED驱动器评估板用户手册
本资料为NCL30060GEVB离线临界导通模式PFC LED驱动器评估板的用户手册。该评估板适用于控制高性能临界导通模式（CrM）LED驱动器，提供高功率因数和低输入电流总谐波失真。主要特点包括：宽输入电压范围、高电压启动、直接驱动外部功率MOSFET、频率抖动以降低EMI特性、最大导通时间保护、过压保护和短路保护。支持1-10V和PWM调光控制信号，默认配置支持标准1-10V调光。
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两级并联串联，ENERGY STAR®低成本线性LED驱动器设计（120VAC）
本设计笔记介绍了120VAC低成本的线性LED驱动器设计，采用两阶段并联至串联拓扑结构，以提高效率。该设计具有高效率、高功率因数、低总谐波失真、调光能力、可扩展性和符合能源之星标准的特点。驱动器使用ON Semiconductor的恒定电流调节器（CCRs）来调节LED电流并保护LED免受过压条件的影响。电路描述了详细的操作原理和设计考虑因素，包括开关电阻值、LED电压阈值和开关点等。
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120 VAC，可调光，线性3级，并联至串联LED照明电路
本文介绍了一种适用于120 VAC电网的AC LED照明电路，该电路具有高效、调光、高光输出、高功率因数和低总谐波失真（THD）的特点。电路采用并行-串联拓扑，动态调整LED正向电压以匹配桥式输出电压，提高效率。电路使用ON Semiconductor恒定电流调节器（CCRs）来调节LED电流并保护LED免受过压条件的影响。此外，电路还利用额外的CCR在高压下增加LED电流，以改善功率因数和THD。
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120伏交流电压，低成本，可调光，线性，并串LED驱动电路
本资料介绍了一种低成本、离线式、可调光线性LED驱动电路，适用于商业、工业和消费市场领域的通用照明应用。该电路采用ON Semiconductor恒流调节器控制LED电流并防止电压浪涌，由两串LED组成，在通过阈值电压时在并联和串联配置之间切换，以提高效率、功率因数和总谐波失真特性。电路与标准相切调光器完全兼容，设计用于在-40°C至+60°C的宽温度范围内稳定工作。
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230伏交流电压，低成本，可调光，三级LED驱动器
本文介绍了基于ON Semiconductor NSIC2020JB和NSIC2030JB的230 Vac三阶LED驱动器应用拓扑。该电路采用创新线性拓扑，具备低成本、相位切割调光、紧凑型、高光输出、高效率、高功率因数和低THD等特点。电路使用ON Semiconductor恒定电流调节器（CCRs）控制LED电流并防止过压。该电路可在50或60 Hz以及80至255 Vac的电压下运行。
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NCL30060GEVB离线临界传导模式PFC LED驱动器评估板用户手册
本资料为NCL30060GEVB离线临界导通模式（CrM）LED驱动器评估板的用户手册。该评估板适用于高功率因数和低总谐波失真输入电流的LED驱动器控制，提供恒定电流输出，支持1-10V和PWM调光控制。手册详细介绍了评估板的特性、操作、安全注意事项、电路图、性能参数和设计计算等。
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2ST15300抗辐射300 V、5 A NPN双极晶体管
STMicroelectronics推出新型2ST15300功率开关，适用于高压空间应用。该开关采用辐射硬化技术和高电流密度技术设计，具有低剂量率辐射、恒定线性增益和辐射下稳定的hFE行为，适用于重负载环境。主要应用包括空间电推进系统、电感负载驱动、线性控制和高压应用。
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