2V7002L: Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5 Ohm Single N-Channel SOT-23
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
2V7002L; 2V7002LT1G; 2V7002LT3G
该数据手册详细介绍了2V7002L型号器件，这是一款60V耐压、115mA电流、导通电阻为7.5 Ohm的单通道N沟道小信号MOSFET。该器件专为汽车低功率应用场景设计，采用SOT-23-3标准封装，具备无铅特性。作为一款汽车级产品，2V7002L严格符合AEC-Q101标准，并具备PPAP生产能力，能够满足汽车电子领域对高可靠性和生产一致性的严苛要求。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L，2V7002L小信号MOSFET 60 V，115 mA，N沟道SOT−23
Rev. 9
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L，2V7002L小信号MOSFET 60 V，115 mA，N沟道SOT−23
Rev. 8
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2V7002LT3G
2018-02-01
|
下载 |
| 评估板使用说明 - 英文 |
SEC-6D6KW-OBC-SiC-GEVB 6.6 kW车载电动汽车充电器（SIC型）评估板用户手册
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L、2V7002L MOSFET–N沟道、小信号、SOT-23：60 V、115 ma
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L，2V7002L MOSFET–N沟道，小信号，SOT-23 60 V，115 mA
Rev. 10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2V7002LT1G
2018-02-01
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L，2V7002L-MOSFET–N沟道，小信号，SOT-23
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L、2V7002L MOSFET–N沟道、小信号、SOT-23
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L、2V7002L MOSFET-N沟道、小信号、SOT-23
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L、2V7002L MOSFET–N沟道、小信号、SOT-23
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002L-MOSFET–N沟道，小信号，SOT-23 60 V，115 mA
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MOSFET–N沟道、小信号、SOT-23
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MOSFET–N沟道，小信号，SOT-23 60 V，115 mA 2N7002L，2V7002L
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NVLJD4007NZ小信号MOSFET
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
3LN01M小信号MOSFET
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N7000：小信号MOSFET 60V 200mA 5欧姆单N沟道TO-92
12/19/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NTNS4C69N：小信号MOSFET，30 V，760 mA，单N沟道SOT-883
1/14/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N7002L：小信号MOSFET 60V 115mA 7.5欧姆单N沟道SOT-23
12/19/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVJD5121N：小信号MOSFET 60V 295mA 1.6欧姆双N通道SC−逻辑电平FETky
12/29/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTUD3171PZ小信号MOSFET
Rev. 0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002E小信号MOSFET
Rev. 7
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002E小信号MOSFET
Rev. 7
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002W、2V7002W-小信号MOSFET
Rev. 6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002W、2V7002W小信号MOSFET
Rev. 6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002W、2V7002W小信号MOSFET
Rev. 6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002W、2V7002W小信号MOSFET
Rev. 6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTJD4401N、NVJD4401N小信号MOSFET
Rev. 7
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002K、2V7002K-小信号MOSFET
Rev. 18
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002K、2V7002K小信号MOSFET
Rev. 18
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002K、2V7002K小信号MOSFET
Rev. 17
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N7002K、2V7002K小信号MOSFET
Rev. 17
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述1HP04CH：小信号MOSFET，-100V，18Ω，-170mA，单P沟道
12/19/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTNS4C69N：小信号MOSFET，30 V，760 mA，单N沟道SOT-883
12/26/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述BSS123L：小信号MOSFET 100V 170mA 6欧姆单N沟道SOT-23
1/19/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTLUD3C20CZ小信号MOSFET 12伏，互补，2.0 x 2.0毫米UDFN封装产品预览
Rev. P2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTND31211PZ：小信号MOSFET-20V双P沟道
12/26/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTNS41006PZ：小信号MOSFET，-30V P沟道XLLGA3封装
12/19/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTNS41006PZ：小信号MOSFET，-30V P沟道XLLGA3封装
12/15/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTNS3A91PZ小信号MOSFET−20 V，−223 mA，单P沟道，0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3封装
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTGD4167C：小信号MOSFET 30V 2.6a 90 mOhm互补TSOP-6
1/29/2018
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
FAN9673Q 6.6kw车载电动汽车充电器参考设计参考设计
该资料为6.6 kW车载充电器参考设计，包括PFC和DCDC两个主要阶段。PFC阶段采用三通道交错PFC和全桥LLC拓扑，提高效率和功率密度；DCDC阶段采用单全桥LLC拓扑，实现高效率和适宜的成本。设计包括输入/输出电流/电压感应和CC/CV PWM控制接口，并具有硬件PFC和LLC控制方法，易于设计和减少故障。此外，还提供了详细的电路图和信号描述。
阅读原文 >>
3.3KW车载电动汽车充电器设计说明
本资料详细介绍了3.3KW车载充电器（OBC）的设计，包括系统架构、关键元件、电路图和测试结果。主要采用2CH交错PFC、全桥LLC和QR反激+Buck DCDC拓扑结构，实现高效率和功率密度。详细描述了PFC控制器、LLC控制器、QR PWM控制器、同步整流控制器等关键元件的功能和应用。同时，提供了详细的电路图和测试结果，包括功率因数、效率等指标。
阅读原文 >>
产品概述NTS2101P：小信号MOSFET-8V-1.4A 100 mOhm单P沟道SC-70
NTS2101P是一款小型信号MOSFET，具有-8V耐压和-1.4A电流能力，采用SC-70封装。该产品采用领先的沟槽技术，实现低RDS(on)以延长电池寿命，适用于低电压栅极驱动。主要应用包括高侧负载开关、充电电路和单节电池应用，如手机、数码相机、PDA等。
阅读原文 >>
产品概述NVE4153N：小信号MOSFET 20V 915mA 230mOhm单N沟道SC75逻辑电平FETky
NVE4153N是一款适用于低功耗应用的汽车级功率MOSFET。该器件具有20V电压、915mA电流和230mOhm导通电阻，具备ESD保护功能，符合AEC-Q101标准，并支持PPAP流程。其主要特点包括低导通电阻、低阈值电压、ESD保护栅极和可用的无铅封装。该器件适用于负载/电源开关、电源转换电路、电池管理以及便携式设备如手机、PDA、数码相机等。
阅读原文 >>
产品概述NTE4151P：小信号MOSFET-20V-760mA 360 mOhm单P沟道SC-89，带ESD保护
NTE4151P是一款小型信号MOSFET，具有-20V耐压、-760mA电流和360毫欧姆的导通电阻。该器件采用SC-89封装，具有ESD保护门，适用于低功耗应用，如手机、PDA、数码相机等。主要特点包括低导通电阻以提高效率和延长电池寿命，以及小尺寸封装。
阅读原文 >>
2N7002W：小信号MOSFET 60V 340mA 1.6欧姆单N沟道SC-70
2N7002W是一款60V、340mA、1.6 Ohm的单通道小信号MOSFET，适用于低功耗应用。该器件具有低RDS(on)特性，可提高系统效率，采用小型SC-70封装，节省空间。该产品符合RoHS标准，具有防静电保护功能，适用于低端负载开关、电平转换电路、DC-DC转换器等应用。
阅读原文 >>
产品概述NVA4153N：带ESD保护的小信号MOSFET 20V 915mA 230 mOhm单N沟道SC-75
NVA4153N是一款20V 915mA 230 mOhm的单通道SC-75封装MOSFET，具备ESD保护功能。该产品具有低RDS(on)以提升系统效率、低阈值电压、ESD保护的栅极等特点。适用于负载/电源开关、电源转换电路、电池管理以及便携式设备如手机、PDA、数码相机、寻呼机等。产品符合AEC标准，并提供无铅封装。
阅读原文 >>
产品概述NVJD4158C：小信号MOSFET 30V 880mA 260 mOhm互补SC88
NVJD4158C是一款适用于低功率应用的汽车级30V MOSFET，具有880mA电流和260mOhm导通电阻。该器件采用SC88封装，提供N沟道和P沟道互补对，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。产品特点包括无铅、符合ROHS要求，适用于高侧开关、低侧开关和汽车信息娱乐模块等应用。
阅读原文 >>
产品概述NTZS3151P：小信号MOSFET-20V-950mA 150 mOhm单P沟道SOT-563
NTZS3151P是一款20V P-Channel Power MOSFET，具有低RDS(on)以提升系统效率、低阈值电压、小型化1.6x1.6mm封装等特点。适用于负载/电源开关、电池管理、手机、数码相机、PDA、寻呼机等应用。主要电气规格包括V(BR)DSS、VGS、VGS(th)、ID、PD、RDS(on)、Qg、Ciss等参数。
阅读原文 >>
