NVD5C486N Power MOSF_代理商_研发采购服务

NVD5C486N Power MOSFET 40 V, 17.9 mW, 22 A, Single N−Channel

发布时间： 2018-07-31

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

ONSEMI（ON Semiconductor）

型号：

NVD5C486N; NVD5C486NT4G

本数据手册详细介绍了NVD5C486N型单通道Power MOSFET，该器件是一款40V、17.9mΩ、22A的N沟道MOSFET，专为高效能电源管理设计。资料重点阐述了其关键技术特性，包括低导通电阻（RDS(on)）以显著减少导通损耗，以及低栅极电荷（QG）和低电容特性以降低驱动损耗，从而提升整体能效。此外，该器件已通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力，采用无铅、无卤素及无BFR的环保材料，完全符合RoHS标准。基于这些优异特性，NVD5C486N被广泛应用于汽车电子和工业控制等对可靠性与能效要求严苛的领域。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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应用/方案

产品概述NVD5414N：功率MOSFET 60V，24A，37 mOhm，单N-沟道DPAK。

NVD5414N是一款60V、24A、37 mOhm的单通道DPAK功率MOSFET。适用于汽车动力MOSFET，采用先进的平面60V N-Channel技术，适用于直流电机驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉冲宽度调制（PWM）控制和桥路等应用。该产品具有低RDS(on)、雪崩能量指定、无铅特性，适用于LCD电视背光、LED照明系统、DC-DC转换器、直流电机控制、电源次级同步整流等，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。

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产品概述NTP5864N：功率MOSFET 60V 63A 12.4 mOhm单N沟道TO-220

NTP5864N是一款60V、63A、12.4mΩ的单通道TO-220封装的Power MOSFET。该器件具有低RDS(on)、高电流能力、雪崩能量规格等特点，且符合无铅、无卤素/无BFR和RoHS标准。主要电气规格包括V(BR)DSS、VGS、VGS(th)、ID、PD、RDS(on)和Qg等。

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产品概述CPH6442：功率MOSFET，60V，43mΩ，6A，单N沟道

CPH6442是一款60V、6A的单通道N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻（43mΩ），适用于负载开关、电子坐便器等应用。该器件具备低导通电阻，可提高效率并减少热量散失，同时具有ESD保护门和符合环保标准。

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产品概述CPH3448：功率MOSFET，30V，50mΩ，4A，单N通道

CPH3448是一款30V、50mΩ、4A的单通道N沟道功率MOSFET，适用于通用开关MOSFET设备应用。其主要特点包括1.8V驱动、低电压驱动、无铅、无卤素和符合RoHS标准、内置保护二极管、ESD抗性、高速切换和低损耗、低导通电阻、低栅极电荷，可实现应用的高效率。该产品可提高效率，减少导通损耗，降低热量散失，易于驱动，快速开启/关闭。适用于DC/DC转换器、数字摄像机和充电器等终端产品。

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产品概述CPH3457：功率MOSFET 30V 3A 95mOhm单N沟道CPH3

CPH3457是一款30V、3A、95mΩ的单通道N沟道功率MOSFET，适用于通用开关器件应用。其主要特点包括低导通电阻RDS(on)、1.8V驱动电压、无卤素合规性以及内置保护二极管。该产品具有以下电气规格：RDS(on)1=73mΩ（典型值）、VGS(th) Max=1.3V、Qg Typ @ VGS=4.5V=2.1nC、Ciss Typ=265pF，封装类型为CPH-3。

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产品概述CPH3456：功率MOSFET，20V，71mΩ，3.5A，单N沟道

CPH3456是一款20V、71mΩ、3.5A的单通道N沟道功率MOSFET，适用于通用开关器件应用。其主要特点包括低导通电阻、低栅极驱动电压、环保无铅、无卤素和符合RoHS标准。适用于DC/DC转换器、伺服单元、液晶电视背光等应用。

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