NUP3115UPMU ESD Protection DiodeLow Capacitance ESD Protection for High Speed Data
发布时间:
2018-07-31
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NUP3115UPMU; NUP3115UPMUTAG
本数据手册详细介绍了NUP3115UPMU低电容ESD保护二极管的技术参数与应用特性。该器件专为高速数据线设计,采用共阳极配置,能够有效保护对电压敏感的元器件免受静电放电(ESD)及瞬态电压事件的损害。其核心优势在于具备0.8 pF的超低电容和低漏电流特性,确保了信号完整性,同时拥有快速响应时间。在封装方面,该器件采用1.6 x 1.6 mm、厚度仅为0.50 mm的6引脚UDFN低剖面封装,极适合板空间受限的紧凑型设计。电气性能上,该器件提供5.5 V的阻断电压,VCC引脚保护电压达15 V,数据线引脚最小保护电压为6.4 V,并符合IEC61000-4-2第4级ESD保护标准及无铅环保要求。NUP3115UPMU广泛应用于USB 2.0高速接口、手机、MP3播放器以及SIM卡保护等场景。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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NUP3115UPMU ESD保护二极管
Rev. 3
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NUP3115UPMUTAG材料成分声明
2019-08-10
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NUP3115UPMUTAG材料成分声明
2019-05-15
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NUP3115UP:浪涌抑制器,低电容,用于高速USB 2.0
1/26/2018
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NUP3115UP:浪涌抑制器,低电容,用于高速USB 2.0
1/23/2018
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材料成分声明NUP3115UPMUTAG
2018-01-27
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材料成分声明NUP3115UPMUTAG
2018-01-25
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NSPM0051 ESD保护二极管
Rev. 2
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NSPM0051 ESD保护二极管
Rev. 2
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NSPM0051 ESD保护二极管
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NSPM0051 ESD保护二极管
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NSPM0051 ESD保护二极管
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ESD5482:ESD保护二极管
11/17/2017
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ESD5382:ESD保护二极管
11/17/2017
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NSPM0101 ESD保护二极管
Rev. 3
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NSPM0101 ESD保护二极管
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NSPM0101 ESD保护二极管
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NSPM0101 ESD保护二极管
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ESD5381:ESD保护二极管
11/17/2017
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ESD5102:ESD保护二极管
11/17/2017
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ESD8501V5 ESD保护二极管
Rev. 2
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ESD8501V5ESD保护二极管
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ESD8501V5 ESD保护二极管
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ESD5004:ESD保护二极管
11/17/2017
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NSPM0061 ESD保护二极管
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NSPM0061 ESD保护二极管
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NSPM0061 ESD保护二极管
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NSPM0061 ESD保护二极管
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NSPM0061 ESD保护二极管
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NSPM0061 ESD保护二极管
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ESD7L:ESD保护二极管,低泄漏,响应时间快,具有箝位能力
2/1/2020
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ESD7L:ESD保护二极管,低泄漏,响应时间快,具有箝位能力
11/17/2017
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ESD8704 ESD保护二极管
Rev. 5
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ESD8704 ESD保护二极管
Rev. 3
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NSPM2051 ESD保护二极管
Rev. 6
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NSPM2051 ESD保护二极管
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NSPM2051 ESD保护二极管
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NSPM2051 ESD保护二极管
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应用/方案
工业解决方案
ON Semiconductor提供全面的工业级元器件产品组合,涵盖电源管理、温度监测、运动与速度控制、机电制动管理、集成(网络)、电气保护和开关与阀门控制等领域。产品包括用于智能家居、智能建筑、智能照明、智能城市、资产管理追踪和个人物联网等应用。此外,公司还提供IoT开发套件,包括传感器、连接性和执行器设备,以及基于Eclipse的集成开发环境、云软件和快速从概念到生产的解决方案。
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ESD5482:ESD保护二极管
ESD5482是一款专为防止静电放电(ESD)而设计的保护二极管。该产品具有优异的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,适用于易受ESD影响的设计。其小型封装适用于手机、MP3播放器、数码相机等多种便携式应用。主要特点包括低电容(5 pF)、低钳位电压、低漏电流、小于1纳秒的响应时间,以及符合IEC6100042和IEC6100044的ESD和EFT保护标准。该产品无铅、无卤素,符合RoHS标准。
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ESD5382:ESD保护二极管
ESD5382是一款专为防静电设计的小型ESD保护二极管。该产品具有低电容、低钳位电压、低漏电流和快速响应时间等特点,适用于手机、MP3播放器、数码相机等便携式设备。产品规格包括:单向1线通用I/O接口,最大电容6pF,最小钳位电压14.2V,最大漏电流0.05µA,响应时间小于1ns,符合IEC6100042 Level 4 ESD保护和IEC6100044 Level 4 EFT保护标准。
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ESD5381:ESD保护二极管
ESD5381系列是专为保护电压敏感组件免受静电放电(ESD)损害而设计的。该系列具有优异的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供最佳保护。其小型封装适用于手机、MP3播放器、数码相机等多种便携式应用。主要特点包括低电容、低钳位电压、小尺寸、低漏电流、快速响应时间,以及符合IEC6100042和IEC6100044标准。
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ESD7108:ESD保护二极管
ESD7108是一款专为保护四对高速差分对设计的瞬态电压抑制器。其超低电容和低ESD钳位电压使其成为保护电压敏感的高速数据线的理想选择。该器件采用流过式封装,便于PCB布局,并确保高速线路的阻抗一致性。主要特点包括集成四对高速数据、单连接、流过式布线、低电容(最大0.25 pF,I/O到地)、符合IEC 61000-4-2第4级标准、UL阻燃等级94 V-0。适用于V-by-One HS和LVDS等应用。
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ESD5102:ESD保护二极管
ESD5102是一款专为保护电压敏感组件免受静电放电(ESD)损害而设计的保护二极管。该产品具有优异的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,适用于易受ESD影响的设计。由于其小型化设计,非常适合用于智能手机、智能手表等便携式/可穿戴设备,这些设备对电路板空间有严格要求。主要特点包括低钳位电压、低漏电流和快速响应时间。适用于便携式电子产品、智能手机、平板电脑和可穿戴设备等终端产品。
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产品概述SD12:ESD保护二极管,单向,SOD-323
SD12是一款单向ESD保护二极管,适用于需要瞬态过压保护的应用。该器件适用于电压和ESD敏感的设备,如电脑、打印机、商务机器、通信系统、医疗设备等。其主要特点包括200mW的稳态功率路由、350瓦的峰值功率、低泄漏、极性带指示阴极、满足IEC61000-4-2和IEC61000-4-4标准,以及满足16kV人体模型ESD要求。该产品适用于电压和ESD敏感的设备。
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ESD9X12S产品概述:ESD保护二极管
ESD9X12S是一款专为防止静电放电(ESD)设计的保护二极管。该系列具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,适用于易受ESD影响的设计。其小巧的尺寸使其适用于手机、MP3播放器、数码相机等多种便携式应用。主要特点包括:小尺寸封装、低漏电流、响应时间小于1纳秒、人体模型ESD等级为3(>16 kV)以及IEC6100042第4级ESD保护。
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ESD5004:ESD保护二极管
ESD5004是一款专为ESD保护设计的二极管,适用于智能手机、无线耳机、数码相机、电脑、打印机、通信系统等敏感设备。该产品采用集成设计,仅用一个封装即可为四条独立线路提供高效可靠的ESD保护。其主要特点包括低电容(5pF)、四个独立的双向配置以及低ESD钳位电压。适用于便携式电子设备和基于微处理器的设备。
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ESD7L:ESD保护二极管,低泄漏,响应时间快,具有箝位能力
ESD7L5.0DT5G是一款低漏电流、快速响应时间的ESD保护二极管,适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用。该产品具有优异的钳位能力,超低二极管电容(0.5 pF),适用于保护敏感组件免受ESD损害。其超小型SOT-723封装适用于板空间受限的设计。该二极管可保护两条单向线路或一条双向线路,双向线路保护时有效电容为0.25 pF,适用于保护高频信号线路,如USB 2.0高速和天线线路。
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ESD5484:ESD保护二极管,低泄漏,快速响应时间,具有箝位能力
ESD5484是一款专为防止静电放电(ESD)设计的保护二极管。它具备优异的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,适用于易受ESD影响的设计。该产品尺寸小巧,适用于手机、MP3播放器、数码相机等多种便携式应用,特别适合板空间受限的环境。主要电气规格包括:兼容无铅工艺,通用I/O接口,单线双向,最大电容45pF,最小击穿电压6V,最大工作电压5V,最大漏电流0.1µA,最大功耗0.3W,采用WLCSP-2封装。
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