NUP3115UP: Surge Suppressor, Low Capacitance, for High Speed USB 2.0
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NUP3115UP; NUP3115UPMUTAG
本数据手册详细介绍了NUP3115UP低电容浪涌抑制器的技术规格与应用特性。该器件专为高速USB 2.0接口设计，采用三线电压/浪涌阵列及共阳极架构，能够有效保护对电容敏感的组件免受ESD和浪涌事件的影响。其核心优势在于极低的电容值（I/O与GND之间典型值仅为0.8pF），可同时保护三条独立的高速数据线及一条Vcc电源线。在物理封装上，NUP3115UP采用尺寸为1.6 x 1.6mm的UDFN封装，剖面高度低至0.50mm，完美适配手机、MP3播放器及SIM卡保护等空间受限的超薄设计。此外，该器件符合IEC6100042接触放电8kV的ESD防护等级，Vcc引脚保护电压达15V，且为无铅器件，满足高频设计与环保要求。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NUP3115UPMU ESD保护二极管低电容高速数据ESD保护
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NUP3115UPMUTAG
2018-01-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NUP3115UPMUTAG
2018-01-25
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| 数据手册 - 英文 |
NUP3115UP：浪涌抑制器，低电容，用于高速USB 2.0
1/26/2018
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| 数据手册 - 英文 |
NUP3115UPMU ESD保护二极管
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
NUP3115UPMUTAG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NUP3115UPMUTAG材料成分声明
2019-05-15
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| 数据手册 - 英文 |
NSQA6V8A低电容浪涌保护器阵列产品概述
5/17/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NSP8814、NSP8818 ESD和浪涌保护器件用于高速数据的低电容浪涌保护
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
NUP2201:ESD/浪涌保护器产品概述
3/28/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NUP2202 ESD/浪涌保护器产品概述
7/21/2019
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| 数据手册 - 英文 |
SRDA3.3-4 ESD/浪涌保护器产品概述
5/12/2019
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| 数据手册 - 英文 |
SRDA3.3-4 ESD/浪涌保护器产品概述
7/19/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NUP2114 ESD保护阵列产品概述
3/29/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NTSV30H100ECT 30A，100V，极低正向电压沟槽式肖特基整流器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
KAE-08151 2856（H）x 2856（V）行间传输EMCCD图像传感器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCP4894音频功率放大器，1.8瓦，可选择关闭
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G126、MC74VHC1GT126同相三态缓冲器
Rev. 23
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| 包装规格/规范 - 英文 |
磁带和卷盘包装标准
Rev. 31
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51XZ1、FAM65CR51XZ2升压转换器级，用于多相和半桥PFC
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NXH010P90MnF1PTG、NXH010P90MnF1PG F1-2封装SiC MOSFET模块
Rev. P1
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| 数据手册 - 英文 |
ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V 3040P3 EcoSpark®点火IGBT
Rev. 4
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NB7NPQ1002MAMTGEVB评估板用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
FGD3245G2-F085C EcoSPARK®2点火IGBT
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
P2N2907A放大晶体管
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NCV70516微型步进电机驱动器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
MC14049UB十六进制缓冲器
Rev.11
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| 数据手册 - 英文 |
NL37WZ06带开漏输出的三重逆变器
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
NCP705 LDO稳压器-超低静态电流，I-Q 13μA，超低噪声
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51AXZ1、FAM65CR51AXZ2升压转换器级，用于带SiC二极管的多相和半桥PFC
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
LMV301运算放大器，轨到轨，低输入偏置电流，1.8 V至5 V单电源
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
MC44608外部元件少可靠灵活的开关电源控制器
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
KAF-09000 3056（H）x 3056（V）全帧CCD图像传感器
Rev. 3
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
工业解决方案
ON Semiconductor提供全面的工业级元器件产品组合，涵盖电源管理、温度监测、运动与速度控制、机电制动管理、集成（网络）、电气保护和开关与阀门控制等领域。产品包括用于智能家居、智能建筑、智能照明、智能城市、资产管理追踪和个人物联网等应用。此外，公司还提供IoT开发套件，包括传感器、连接性和执行器设备，以及基于Eclipse的集成开发环境、云软件和快速从概念到生产的解决方案。
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产品概述NUP4060AXV6T1G：浪涌抑制器阵列
NUP4060AXV6T1G是一款4线浪涌抑制器阵列，适用于需要浪涌保护的应用。它适用于对浪涌和静电放电敏感的设备，如手机、便携式设备、电脑、打印机等。该器件采用共阴极设计，可在单个SOT-563封装中保护四条独立线路。主要特点包括：保护四条线路、ESD防护等级高、低电容、适用于多种电子设备接口。
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瞬态分流抑制器（TDS）优势6—低电容特性
文章对比了传统TVS二极管与湖南静芯推出的TDS系列在电容特性与浪涌保护性能上的差异。TDS产品具有更低电容、更优钳位性能和稳定温度特性，适用于USB接口、工业机器人、工业传感器等高要求场景。
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台舟电子TPSM712系列双向不对称静电抑制器--(RS485接口)--守护信号传输，赋能工业互联
在工业互联和智能控制领域，RS485接口的稳定性和可靠性至关重要。台舟电子TPSM712系列双向不对称静电抑制器，凭借其高效防护、低电容、快速响应和高可靠性，成为RS485接口ESD及浪涌防护的最佳选择。
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NCP4318提示和技巧
本文详细介绍了NCP4318同步整流控制器在LLC转换器中的应用。文章首先阐述了LLC转换器的工作原理，特别是同步整流技术在提高转换效率方面的作用。接着，详细说明了NCP4318的典型应用电路，包括其如何通过检测SR MOSFET的漏源电压来控制同步整流。文章还讨论了NCP4318在不同工作条件下的实际操作，包括死区时间调节、最小导通时间、多级VTH−OFF调整、边缘倒置电流处理、软启动和VDD连接方式等。此外，还提供了与LLC控制器配合使用时的注意事项，以及PCB布局建议和门极驱动功耗估算。最后，文章总结了NCP4318的功能和优势，并提供了相关参考资料。
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【产品】峰值脉冲功率400W的低电容瞬态电压抑制器阵列SLVU2.8，用于保护高速数据接口
SLVU2.8是全业电子推出的一款用于保护高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷电和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。
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RSL15天线设计指南
本资料介绍了RSL15 EVB天线的设计，适用于与RSL15评估和开发板（RSL15-EVB）配合使用的RSL15 QFN（NCH-RSL15-512-101Q40-ACG）。天线采用L形四分之一波长设计，易于设计和集成到PCB布局中。资料中提供了模拟天线设计，并详细说明了PCB堆叠和参考天线布局。此外，还展示了天线性能的模拟结果，包括回波损耗、辐射图案和灵敏度模拟。
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eCLINPS Plus™SPICE建模套件应用笔记
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LVDS、CMOS和ECL应用笔记比较
本文对比了LVDS、CMOS和ECL三种信号传输技术的性能特点。文章首先介绍了ECL技术的高性能和低功耗优势，随后对比了CMOS技术的发展历程和LVDS技术的应用。文章重点分析了LVDS技术在点对点和点对多点通信中的性能表现，并与其他技术进行了比较。最后，文章总结了ECL技术在速度和功耗方面的优势，以及LVDS技术在高速通信中的应用前景。
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系统设计人员指南：构建PCIe®时钟树，同时解决时序挑战
本文档为ON Semiconductor的PCIe时钟树构建指南，旨在解决高速串行通信中的时序挑战。内容涵盖PCIe标准的演变、时钟架构、时钟规格、系统挑战以及ON Semiconductor提供的时钟树解决方案。重点介绍了时钟发生器、时钟缓冲器、零延迟缓冲器和PCIe开关等产品，以实现高性能的时钟树设计。
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线间CCD图像传感器的垂直时序优化
本文档为ON Semiconductor的应用笔记，主要针对其Interline CCD图像传感器中的垂直时序优化问题。内容涉及如何解决垂直条纹效应，包括垂直时钟脉冲的调整方法、不同型号传感器的条纹间距、以及如何通过调整时钟交叉点来消除条纹。此外，还提供了实际操作中的示例和注意事项。
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【产品】大回扫型DSD瞬态抑制器ESD2D05LA，具有极低的钳位电压，电容值为0.1pF
ASIM推出的具有超低电容、大回扫型DSD瞬态抑制器ESD2D05LA，具有极低的电容值0.1pF和钳位电压，同时还具有优秀的静电空气±30kV、接触±20kV及瞬间脉冲浪涌防护能力。
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NVH系列大电流高压贴片压敏电阻器
NVH系列高电流、高电压SMT贴片压敏电阻，适用于小型化、薄型化产品替代传统插孔抑制产品。该系列具有优异的能量体积分布和功率耗散能力，提供高能量吸收和快速响应时间，适用于抑制电路中的高能量瞬态电压。NVH系列作为NVX系列的升级版，旨在抑制大浪涌电流，满足电源、LED照明和智能电网解决方案等应用市场的需求。该系列具有宽温度范围（-55°C至+85°C）、宽直流电压范围（5.5VDC至100VDC）、低电容（100pF）和多种尺寸（1206、1210、1812和2220）。
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VITA 1300像素重映射应用说明
本资料为ON Semiconductor公司发布的VITA 1300像素重映射应用笔记。内容主要介绍了VITA 1300 LVDS版本的像素重映射过程，包括像素阵列组织、数据传输方式、同步通道和时钟输出等。此外，还详细描述了不同采样模式下，单色传感器和彩色传感器数据输出顺序的差异。
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全帧CCD传感器的装箱模式操作
本文详细介绍了ON Semiconductor的20m和24m像素全帧CCD传感器在binning模式下的两种操作方法，并分析了相关性能问题。文章涵盖了传感器操作、图像获取、垂直和水平寄存器操作、像素饱和、CCD设置调整以及饱和视频输出信号等内容。此外，还讨论了binning操作时的偏置推荐，以实现最大电荷容量和满足CCD灵敏度、噪声和动态范围的需求。
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RSL10 Smart Shot相机功耗测量
本文档详细介绍了RSL10智能快照相机的功耗测量结果。该相机平台包括单色和彩色两种变体，均采用超低功耗组件，如onsemi的ARX3A0图像传感器、RSL10 SiP模块和SunplusIT SPC1100A图像传感器处理器。文章重点讨论了设计考虑因素，包括将视觉子系统放置在单独的电源轨上、将RSL10 SiP模块置于深度睡眠状态以及使用高速MIPI和SPI接口。此外，还提供了两种相机的功耗测量数据和电池寿命估计。
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