HMC576 GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 18 - 29 GHz OUTPUT
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC576
本数据手册详细介绍了HMC576 GaAs MMIC有源倍频器的技术规格与应用特性。该器件基于GaAs PHEMT工艺设计，是一款双倍频器，支持9.0至14.5 GHz的输入频率范围，可产生18至29 GHz的输出频率。HMC576具备卓越的射频性能，典型输出功率达+17 dBm，仅需-2至+6 dBm的低输入功率驱动，并拥有优异的隔离度，其中Fo隔离大于20 dBc，3Fo隔离大于30 dBc。此外，该器件在100 kHz偏移处的单边带相位噪声低至-132 dBc/Hz，输入与输出回波损耗分别为10 dB和9 dB，供电电流为82 mA，封装尺寸紧凑，仅为1.18 x 1.23 x 0.1 mm。凭借上述特性，HMC576广泛应用于时钟生成、点对点通信、VSAT无线电、测试仪器，以及军事电子战、雷达和太空等高可靠性领域。针对该器件，Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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HMC576LC3B SMT GaAs微波单片集成电路x2有源倍频器，18-29 GHz输出
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HMC448 GaAs微波单片集成电路x2有源倍频器，19-25 GHz输出
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HMC369LP3/369LP3E SMT砷化镓HBT微波单片集成电路x2有源倍频器，9.9-12.7GHz输出
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HMC1096LP3E GaAsp高电子迁移率晶体管微波单片集成电路X2有源倍频器，3.8-5.6 GHz输出
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HMC814 GaAs微波单片集成电路x2有源倍频器，13-24.6 GHz输出
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SMT砷化镓微波单片集成电路x2有源倍频器，8-21千兆赫输出
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HMC573LC3B SMT GaAs微波单片集成电路x2有源倍频器，8-22 GHz输出
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SigmaStudio发行说明
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LT3758/LT3758A高输入电压、升压、反激、SEPIC和反相控制器
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HMC543ALC4B 22.5°微波单片集成电路4位数字移相器，8-12 GHz数据手册
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ADA4099-1/ADA4099-2 50 V、8 MHz、每通道1.5 mA、鲁棒的顶级精密运算放大器
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新概念模拟电路1：晶体管
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