HMC437MS8G / 437MS8GE SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-3, DC - 7 GHz
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC437MS8G; HMC437MS8GE; HMC437
本数据手册详细介绍了HMC437MS8G及437MS8GE这两款基于InGaP GaAs HBT技术的SMT GaAs HBT MMIC器件。该产品是一款除以3分频器，具备低噪声、宽频带特性，其输入频率范围覆盖直流至7 GHz。在技术参数方面，器件在100 kHz偏移处具有-153 dBc/Hz的低噪声性能，输出功率为-1 dBm，采用单一+5V直流电源供电，典型工作电流为69 mA，并使用MS8G SMT封装形式。凭借优异的射频性能，该器件广泛应用于UNII无线电、点对点无线电、VSAT无线电、802.11a及HiperLAN无线局域网、光纤通信以及蜂窝/3G基础设施等无线通信与光纤领域。针对文中所述器件，Analog Devices (亚德诺) 在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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HMC437MS8G/437MS8GE SMT砷化镓HBT微波单片集成电路除以3，DC-7GHz数据表
REV.05.1211
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模拟器件欢迎Hittite微波公司资格测试报告
Rev: 02
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产品变更通知
REV B
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产品变更通知
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用于简化合成器的有源乘法器和除法器
2017/11/27
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合格鉴定试验报告
Rev: 07
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HMC447LC3 SMT GaAs HBT微波单片集成电路4分频，10-26 GHz
v04
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HMC447LC3 SMT GaAs HBT微波单片集成电路4分频，10-26 GHz
11/29/2017
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HMC438MS8G/438MS8GE SMT GaAs HBT微波单片集成电路5分频、DC-7 GHz
02/23/2017
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HMC492LP3/492LP3E SMT GaAs HBT微波单片集成电路，2分频，DC-18 GHz
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HMC492LP3/492LP3E SMT GaAs HBT微波单片集成电路，2分频，DC-18 GHz
02/23/2017
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HMC493LP3/493LP3E SMT GaAs HBT微波单片集成电路，4分频，DC-18 GHz
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HMC493LP3/493LP3E SMT GaAs HBT微波单片集成电路，4分频，DC-18 GHz
02/23/2017
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HMC365G8 SMT GaAs HBT微波单片集成电路4分频，DC-13 GHz
V.02
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HMC494LP3/494LP3E SMT GaAs HBT微波单片集成电路，8分频，DC-18 GHz
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HMC494LP3/494LP3E SMT GaAs HBT微波单片集成电路，8分频，DC-18 GHz
02/23/2017
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HMC363G8 SMT GaAs HBT微波单片集成电路8分频，DC-12 GHz
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HMC363G8 SMT GaAs HBT微波单片集成电路8分频，DC-12 GHz
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HMC361G8 SMT GaAs HBT微波单片集成电路2分频，0.01-13 GHz
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HMC361G8 SMT GaAs HBT微波单片集成电路2分频，0.01-13 GHz
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HMC445LP4/445LP4E SMT GaAs HBT微波单片集成电路x16有源倍频器，9.9-11.0 GHz输出
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HMC361S8G/361S8GE SMT GaAs HBT微波单片集成电路2分频，DC-10 GHz
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HMC361S8G/361S8GE-SMT-GaAs-HBT微波单片集成电路，2分频，DC-10ghz
v07.1114
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HMC433/433E SMT GaAs HBT微波单片集成电路4分频，DC-8 GHz
v04
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HMC433/433E SMT GaAs HBT微波单片集成电路4分频，DC-8 GHz
02/23/2017
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HMC754S8GE GaAs HBT高线性度推挽式放大器，75欧姆，DC-1 GHz
v02
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HMC754S8GE GaAs HBT高线性度推挽式放大器，75欧姆，DC-1 GHz
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SMT-GaAs-HBT微波单片集成电路，2分频，DC-8ghz
v04.0410
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SMT-GaAs-HBT微波单片集成电路除以4，DC-12ghz
v03.0505
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SMT-GaAs-HBT微波单片集成电路，2分频，DC-10ghz
v07.1114
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SMT砷化镓HBT微波单片集成电路x2有源倍频器，9.9-12.7GHz输出
v04.0210
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HMC432/432E SMT GaAs HBT微波单片集成电路2分频，DC-8 GHz
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SMT砷化镓HBT微波单片集成电路x4有源倍频器，9.8-11.2GHz输出
v04.0210
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HMC444LP4/444LP4E SMT GaAs HBT微波单片集成电路x8有源倍频器，9.9-11.2 GHz输出
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SMT砷化镓HBT微波单片集成电路x4有源倍频器，14.4-16.4GHz输出
v04.0110
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SMT砷化镓HBT微波单片集成电路x8有源倍频器，9.9-11.2GHz输出
v04.0210
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HMC450QS16G/450QS16GE GaAs InGaP HBT微波单片集成电路功率放大器，0.8-1.0 GHz
v02
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HMC363S8G/363S3GE SMT GaAs HBT微波单片集成电路8分频，DC-72 GHz
v05
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贴片砷化镓HBT微波单片集成电路x16有源倍频器，9.9-11.0ghz输出
v04.0210
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0.2 GHz至8 GHz、GaAs、HBT微波单片集成电路、8分频预分频器HMC434
REV F
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HMC406MS8G/406MS8GE GaAs InGaP HBT微波单片集成电路功率放大器，5-6 GHz
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HMC365S8G/365S8GE SMT GaAs HBT微波单片集成电路4分频，DC-13 GHz
v05
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HMC365S8G/365S8GE SMT GaAs HBT微波单片集成电路4分频，DC-13 GHz
V.04
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HMC443LP4/443LP4E SMT GaAs HBT微波单片集成电路x4有源倍频器，9.8-11.2 GHz输出
v04
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HMC369LP3/369LP3E SMT砷化镓HBT微波单片集成电路x2有源倍频器，9.9-12.7GHz输出
v04.0210
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HMC695LP4/HMC695LP4E SMT砷化镓HBT微波单片集成电路x4有源倍频器11.4-13.2GHz输出
v02.0212
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HMC363S8G/363S8GE SMT GaAs HBT微波单片集成电路8分频，DC-12 GHz
v06
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世强AI
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随着5G技术的到来，测试与测量行业面临重大挑战，需要更高性能的测试设备。Rohde & Schwarz与ADI公司合作，开发了R&S®SMW200A矢量信号发生器和R&S®FSW信号与频谱分析仪，以应对5G挑战。这些设备采用ADI公司的数据转换器和RF器件，实现低本底噪声的高频测试，满足下一代5G设备的测试需求。
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