HMC570 GaAs MMIC I/Q DOWNCONVERTER 17 - 21 GHz
发布时间:
2018-08-01
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
ADI(亚德诺半导体)
型号:
HMC570
本数据手册详细介绍了HMC570 GaAs MMIC I/Q下变频器芯片,该器件工作于17-21 GHz频段,专为高性能微波应用设计。资料重点阐述了其关键电气特性,包括10 dB的转换增益、3 dB的低噪声系数以及17 dB的图像抑制能力,同时标明了+3 dBm的输入IP3指标。在物理规格方面,芯片采用2.33 x 2.73 x 0.10 mm的小型封装,支持3.5 Vdc工作电压,并能在-55°C至+85°C的宽温范围内稳定运行。应用层面,该芯片广泛适用于点对点和点对多点无线电混合器、I/Q接收器,以及军事雷达、电子战和电子情报(ELINT)等严苛场景。针对文中所述器件,Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可依托平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
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GaAs微波单片集成电路I/Q下变频器17-21ghz
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合格鉴定试验报告
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HMC951BLP4E GaAs微波单片集成电路i/Q下变频器5.6-8.6 GHz
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HMC977砷化镓,微波单片集成电路,I/Q,下变频器,20GHz至28GHz数据表
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ADMV1010 12.6 GHz至15.4 GHz,砷化镓,微波单片集成电路,I/Q下变频器数据表
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HMC908A 9GHz至12GHz,砷化镓,微波单片集成电路,I/Q下变频器数据表
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12.6 GHz至15.4 GHz,砷化镓,微波单片集成电路,I/Q下变频器
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17.5 GHz至24 GHz,砷化镓,微波单片集成电路,I/Q下变频器
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HMC7587 81 GHz至86 GHz波段I/Q下变频器数据表
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GaAs微波单片集成电路I/q混频器下变频器,10-16ghz
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AD5172/AD5173 256位、一次性可编程、双通道、I2C数字电位计
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12位串行输入乘法模数转换器DAC8043A
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DAC10 10位高速乘法模数转换器(通用数字逻辑接口)
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可靠性数据报告产品系列R597
2019/5/2
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LT1011/RH1011可靠性数据
2018/9/22
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RH1011电压比较器
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RH119高性能双比较器
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LT1714双通道、7ns、低功耗、3V/5V/±5V轨到轨比较器
2018/2/24
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LT1640/LT1641/LT4250可靠性数据
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LT1026可靠性数据
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应用/方案
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LTM8074是一款采用4 mm × 4 mm × 1.92 mm BGA封装的低EMI Silent Switcher 1.2 A µModule稳压器。该产品适用于狭小紧凑的空间,内置Silent Switcher架构,提供低EMI性能,支持多种输出电容,简化了整体设计。LTM8074具有宽输入电压范围(3.4 V至40 V),输出电压为0.78 V至15 V,输出电流为1.2 A,并具备快速瞬态响应和良好的环路稳定性。
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