APT85GR120B2 APT85GR120L 1200V, 85A, Vce(on) = 2.5V Typical Ultra Fast NPT - IGBT®
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT85GR120B2; APT85GR120L; APT85GR120B2_L
本数据手册详细介绍了Microsemi公司生产的APT85GR120B2系列超快速NPT-IGBT器件。该器件采用非穿通技术，具备低饱和电压、低尾电流、高频率开关及超低漏电流等关键特性，并拥有短路承受额定值，符合RoHS环保标准。凭借其卓越的电气性能，该器件主要适用于感应加热（IH）、电机控制、通用逆变器以及不间断电源（UPS）等工业应用场景。Microsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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MEA执行器电源系统
2017/11/23
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Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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1200V APT13GP120B APT13GP120S APT13GP120BG*APT13GP120SG*功率MOS 7®IGBT
Rev E
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雷电IGBT APT75GT120JRDQ3 1200V
Rev F
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APT40GR120B2SCD10 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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600V APT80GP60JDQ3功率MOS 7®IGBT
Rev A
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1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范，端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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600V APT30GT60BRDQ2 APT30GT60BRDQ2G*Thunderbolt IGBT®
Rev B
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APT120GR120D 1200V，120A，Vce（开）=2.5V（典型值）
Rev A
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600V APT30GT60BR APT30GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev E
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APT85GR120J 1200V，85A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APT100GT60JRDQ4 600V，100A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev C
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APT100GT60B2R（G）APT100GT60LR（G）600V，100A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev C
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1200V APT25GP120BDQ1 APT25GP120BDQ1G*功率MOS 7®IGBT
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功率MOS 7®IGBT 600V APT30GP60BDQ1 APT30GP60BDQ1G*
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1200V APT50GF120JRDQ3快速IGBT和FRED
Rev A
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功率MOS 7®IGBT 1200V APT35GP120B2DQ2 APT35GP120B2DQ2G*
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功率MOS 7®IGBT APT40GP90J 900V
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功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
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功率MOS 7®IGBT APT40GP60J 600V
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功率MOS 7®IGBT APT40GP90B 900V
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APT60GF120JRD 1200V快速IGBT和FRED
Rev B
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600V APT15GT60BRDQ1 APT15GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
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功率MOS 7®IGBT 600V APT40GP60JDQ2
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1200V APT40GF120JRDQ2快速IGBT和FRED
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功率MOS 7®IGBT APT45GP120J 1200V
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90JDQ2
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快速IGBT和FRED 1200V APT60GF120JRDQ3
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1200V APT25GT120BR APT25GT120BRG*霹雳IGBT®
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APT20GF120BRD APT20GF120SRD 1200V 32A快速IGBT和FRED
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功率MOS 7®IGBT 1200V APT45GP120JDQ2
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600V APT15GT60BR APT15GT60BRG*霹雳IGBT®
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600V APT20GT60BR APT20GT60BRG*Thunderbolt IGBT®
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600V APT20GT60BRDQ1 APT20GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
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功率MOS 7®IGBT APT45GP120B 1200V
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APT25GP90B 900V
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APT15GT120BRDQ1 APT15GT120SRDQ1 APT15 GT120BRDQ1G*APT15 GT120SRDQ1G*
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APT60GT60BRG APT60GT60SRG
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BRDQ2 APT50GT60BRDQ2G*
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APT50GF120JRD 1200V 60A快速IGBT
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APT40GF120JRD 1200V 60A快速IGBT
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霹雳IGBT®600V APT60GT60JRDQ3
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APT70GR120J 1200V，70A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev A
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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霹雳IGBT®1200V APT50GT120LRDQ2 APT50GT120LRDQ2G*
Rev A
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应用/方案
最新技术PT-igbt与功率mosfet之比较
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数明半导体 SiLM208x 系列 200V高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片：三相电机驱动的理想之选!
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麦思浦 IGBT 模块：高功率应用的理想之选
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AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113，工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器，具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出（低至3V逻辑）兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配，以简化高频应用中的应用。
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上海贝岭基于1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F的800V车载PTC加热器驱动解决方案
针对高压PTC应用，上海贝岭推出1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F。采用第二代微沟槽多层场截止技术，优化了导通压降和开关损耗，实现了更好的输出特性。BLG40T120FDL5合封全电流FRD，减少了电路设计时的元器件数量，提高了整体可靠性。
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