APT85GR120J 1200V, 85A, Vce(on) = 2.5V Typical Ultra Fast NPT - IGBT®
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT85GR120J
该数据手册详细介绍了APT85GR120J型超快速非穿通型（NPT）IGBT的技术规格与性能优势。作为一款1200V、85A的功率器件，其典型饱和压降（Vce(on)）仅为2.5V，具备低饱和电压、低尾电流及超低漏电流等关键特性，并支持高频率开关操作。此外，该器件符合RoHS环保标准，且具有短路承受额定值，能够确保在严苛工况下的运行可靠性。凭借上述优异的电学性能，APT85GR120J被广泛应用于感应加热（IH）、电机控制、通用逆变器以及不间断电源（UPS）等工业领域。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到系统调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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APT85GR120JD60 1200V，85A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
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Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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1200V APT13GP120B APT13GP120S APT13GP120BG*APT13GP120SG*功率MOS 7®IGBT
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雷电IGBT APT75GT120JRDQ3 1200V
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APT40GR120B2SCD10 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-IGBT®
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600V APT80GP60JDQ3功率MOS 7®IGBT
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1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范，端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
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600V APT30GT60BRDQ2 APT30GT60BRDQ2G*Thunderbolt IGBT®
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APT120GR120D 1200V，120A，Vce（开）=2.5V（典型值）
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600V APT30GT60BR APT30GT60BRG*霹雳IGBT®
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APT100GT60JRDQ4 600V，100A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
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APT85GR120B2 APT85GR120L 1200V，85A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
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APT100GT60B2R（G）APT100GT60LR（G）600V，100A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
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1200V APT25GP120BDQ1 APT25GP120BDQ1G*功率MOS 7®IGBT
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功率MOS 7®IGBT 600V APT30GP60BDQ1 APT30GP60BDQ1G*
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1200V APT50GF120JRDQ3快速IGBT和FRED
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功率MOS 7®IGBT 1200V APT35GP120B2DQ2 APT35GP120B2DQ2G*
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功率MOS 7®IGBT APT40GP90J 900V
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功率MOS 7®IGBT APT40GP60J 600V
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功率MOS 7®IGBT APT40GP90B 900V
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功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
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功率MOS 7®IGBT 600V APT40GP60JDQ2
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1200V APT40GF120JRDQ2快速IGBT和FRED
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APT60GF120JRD 1200V快速IGBT和FRED
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600V APT15GT60BRDQ1 APT15GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
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功率MOS 7®IGBT APT45GP120J 1200V
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90JDQ2
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快速IGBT和FRED 1200V APT60GF120JRDQ3
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功率MOS 7®IGBT 1200V APT45GP120JDQ2
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600V APT15GT60BR APT15GT60BRG*霹雳IGBT®
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600V APT20GT60BR APT20GT60BRG*Thunderbolt IGBT®
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600V APT20GT60BRDQ1 APT20GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
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1200V APT25GT120BR APT25GT120BRG*霹雳IGBT®
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功率MOS 7®IGBT APT45GP120B 1200V
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APT25GP90B 900V
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APT15GT120BRDQ1 APT15GT120SRDQ1 APT15 GT120BRDQ1G*APT15 GT120SRDQ1G*
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APT60GT60BRG APT60GT60SRG
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APT20GF120BRD APT20GF120SRD 1200V 32A快速IGBT和FRED
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BRDQ2 APT50GT60BRDQ2G*
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APT50GF120JRD 1200V 60A快速IGBT
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APT40GF120JRD 1200V 60A快速IGBT
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霹雳IGBT®600V APT60GT60JRDQ3
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APT70GR120J 1200V，70A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
最新技术PT-igbt与功率mosfet之比较
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AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113，工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器，具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出（低至3V逻辑）兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配，以简化高频应用中的应用。
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上海贝岭基于1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F的800V车载PTC加热器驱动解决方案
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华润微BT30T60AKFK等IGBT用于逆变焊机，能大幅提升焊机开关频率，减小焊机尺寸
CRMICRO综合考虑高频焊机的发展趋势，在上一代技术的基础上，优化了应用于焊机领域的IGBT产品，大幅降低了IGBT器件的开关损耗，提升了器件开关速度，客户使用华润微电子的IGBT，在输出同等功率条件下，能大幅提升焊机开关频率，减小焊机尺寸，降低生产成本，提升焊机整体的性价比。
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