APT30GP60B2DL(G) APT30GP60LDL(G) 600V, 30A, VCE(ON) = 2.2V Typical Resonant Mode Combi IGBT®
发布时间:
2018-08-01
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT30GP60B2DL(G); APT30GP60LDL(G); APT30GP60B2DL_LDL(G)
本数据手册详细介绍了APT30GP60B2DL(G)和APT30GP60LDL(G)两款600V、30A的Resonant Mode Combi IGBT®产品。资料全面阐述了该系列产品的技术优势,包括低导通损耗、低栅极电荷、超快尾电流关断以及低正向二极管电压(VF)等关键特性。器件内部集成了超软恢复二极管,并具备SSOA额定值,能够有效优化系统性能。手册还提供了详细的静态与动态电气特性、热与机械特性、典型性能曲线及封装尺寸信息,为工程师设计提供完整参考。该产品主要应用于电磁加热、焊接、医疗设备、高功率电信以及谐振模式移相桥等高频开关场景。Microchip在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
功率MOS 7®IGBT 600V APT30GP60BDQ1 APT30GP60BDQ1G*
Rev.A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品,工艺变更通知编号:PPS105130C32
Rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev H
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev A
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT37F50B APT37F50S 500V,37A,0.15Ω(最大值),trr,≤250ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT34F60B APT34F60S 600V,36A,0.19Ω最大trr≤250ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT30GN60B APT30GN60S APT30 GN60B(G)APT30 GN60S(G)600V
Rev B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT30GN60BDQ2APT30GN60SDQ2APT30 GN60BDQ2(G)APT30 GN60SDQ2(G)600V
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT38F80B2 APT38F80L 800V,41A,0.24Ω(最大值),trr≤300ns n沟道FREDFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT36GA60B APT36GA60S
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT38N60BC6 APT38N60SC6
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT30N60BC6 APT30N60SC6
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT35GN120B APT35GN120S APT35 GN120BG APT35 GN120SG 1200V
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT36GA60BD15 APT36GA60SD15
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT34M60B APT34M60S 600V、36A、0.19Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT37M100B2 APT37M100L 1000V、37A、0.33Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
快速IGBT和FRED 1200V APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2 APT33 GF120B2RDQ2G*APT33 GF120LRDQ2G*
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
APT35GA90B APT35GA90S
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT31M100B2 APT31M100L 1000V、32A、0.38Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
600V APT30GT60BR APT30GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev E
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