APT30F60J 600V, 31A,_代理商_研发采购服务

APT30F60J 600V, 31A, 0.15Ω Max, trr≤270ns N-Channel FREDFET

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

APT30F60J

本数据手册详细介绍了APT30F60J型号N-Channel FREDFET功率MOSFET的技术特性与应用参数。该器件专为高速、高电压的开关模式电源应用设计，具备快速开关和低电磁干扰（EMI）特性，同时拥有极低的反向恢复时间（trr）和极低的输出电容（Crss），从而显著提高了噪声免疫力。此外，该产品具有低栅极电荷和雪崩能量额定值，确保了在高频操作下的高可靠性。其应用范围广泛，涵盖ZVS相移全桥、半桥、功率因数校正（PFC）及升压转换器、降压转换器，以及单开关和双开关正向转换器、反激转换器等多种电路拓扑。针对文中所述器件，Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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数据手册 - 英文	APT30GN60B APT30GN60S APT30 GN60B（G）APT30 GN60S（G）600V Rev B	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品，工艺变更通知编号：PPS105130C32 Rev 3	下载
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数据手册 - 英文	APT34F60B APT34F60S 600V，36A，0.19Ω最大trr≤250ns n沟道FREDFET Rev D	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT37F50B APT37F50S 500V，37A，0.15Ω（最大值），trr，≤250ns n沟道FREDFET Rev D	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT30GN60BDQ2APT30GN60SDQ2APT30 GN60BDQ2（G）APT30 GN60SDQ2（G）600V Rev B	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT38F80B2 APT38F80L 800V，41A，0.24Ω（最大值），trr≤300ns n沟道FREDFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT30N60BC6 APT30N60SC6 Rev A	下载
数据手册 - 英文	APT36GA60B APT36GA60S Rev C	下载
数据手册 - 英文	快速IGBT和FRED 1200V APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2 APT33 GF120B2RDQ2GAPT33 GF120LRDQ2G Rev.A	下载
数据手册 - 英文	APT35GN120B APT35GN120S APT35 GN120BG APT35 GN120SG 1200V Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT35GA90B APT35GA90S Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT31M100B2 APT31M100L 1000V、32A、0.38Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT38N60BC6 APT38N60SC6 Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT36GA60BD15 APT36GA60SD15 Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT34M60B APT34M60S 600V、36A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT37M100B2 APT37M100L 1000V、37A、0.33Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
技术文档 - 英文	超软恢复整流二极管 Rev B	下载
技术文档 - 英文	超软恢复整流二极管 Rev B	下载
数据手册 - 英文	功率MOS V®APT30M40JVFR 300V 70A 0.040Ω Rev.A	下载

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应用/方案

军品级N沟道增强型SiC MOSFET，采用C2M MOSFET技术

Wolfspeed（原CREE）推出的CPM2-1200-0040B系列碳化硅MOSFET，N通道增强模式，采用C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术，具有高阻断电压、低导通电阻、低电容的特点，易于并联或单驱动，具有较高的系统效率和功率密度，较低的冷却需求，支持高速转换，非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压直流/直流转换器、马达驱动器、脉冲电源等应用领域。

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