APT38F50J 500V, 38A,_代理商_研发采购服务

APT38F50J 500V, 38A, 0.10Ω Max, trr≤280ns N-Channel FREDFET

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

APT38F50J

本数据手册详细介绍了APT38F50J这款高性能N通道FREDFET功率MOSFET的技术规格与应用优势。该器件专为高速、高压开关模式电源应用设计，具备500V耐压、38A电流及0.10Ω最大导通电阻，并集成了快速开关、低电磁干扰（EMI）等特性。其关键技术点在于低反向恢复时间（trr≤280ns）显著提升了系统可靠性，超低跨接电容（Crss）改善了噪声免疫性，配合低栅极电荷与高增益设计，有效降低了开关损耗并优化了Crss/Ciss比率。此外，该产品还具有雪崩能量额定值，进一步增强了在恶劣工况下的鲁棒性。在应用场景方面，APT38F50J广泛适用于ZVS相移和全桥电路、半桥电路、功率因数校正（PFC）及其他升压转换器、降压转换器，以及单开关和双开关正向、反激转换器等多种拓扑结构。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，平台提供原厂授权的正品保障，支持型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。用户可依托平台专职FAE团队获得从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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数据手册 - 英文	APT37F50B APT37F50S 500V，37A，0.15Ω（最大值），trr，≤250ns n沟道FREDFET Rev D	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT34F60B APT34F60S 600V，36A，0.19Ω最大trr≤250ns n沟道FREDFET Rev D	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT30GN60BDQ2APT30GN60SDQ2APT30 GN60BDQ2（G）APT30 GN60SDQ2（G）600V Rev B	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT38F80B2 APT38F80L 800V，41A，0.24Ω（最大值），trr≤300ns n沟道FREDFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT30N60BC6 APT30N60SC6 Rev A	下载
数据手册 - 英文	快速IGBT和FRED 1200V APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2 APT33 GF120B2RDQ2GAPT33 GF120LRDQ2G Rev.A	下载
数据手册 - 英文	APT36GA60B APT36GA60S Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT35GA90B APT35GA90S Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT31M100B2 APT31M100L 1000V、32A、0.38Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT35GN120B APT35GN120S APT35 GN120BG APT35 GN120SG 1200V Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT38N60BC6 APT38N60SC6 Rev C	下载
技术文档 - 英文	超软恢复整流二极管 Rev B	下载
技术文档 - 英文	超软恢复整流二极管 Rev B	下载
数据手册 - 英文	APT36GA60BD15 APT36GA60SD15 Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT34M60B APT34M60S 600V、36A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT37M100B2 APT37M100L 1000V、37A、0.33Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	功率MOS V®APT30M40JVFR 300V 70A 0.040Ω Rev.A	下载

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【产品】N沟道增强型MOSFET CJAC50SN03适用于高效快速开关，雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲

长晶科技N沟道增强型功率场效应晶体管CJAC50SN03采用了SGT技术，该先进的技术专门用于最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲，使得该器件非常适用于高效快速开关应用中。

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