APT38F80B2 APT38F80L_代理商_研发采购服务

APT38F80B2 APT38F80L 800V, 41A, 0.24Ω Max, trr≤300ns N-Channel FREDFET

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

APT38F80B2; APT38F80L; APT38F80B2_L

本数据手册详细介绍了Microsemi公司推出的APT38F80B2与APT38F80L两款N-Channel FREDFET功率MOSFET。作为具备高速、高压特性的功率器件，这两款产品专为开关模式电源电路设计，尤其适用于ZVS相移桥、全桥电路、PFC及各类升压降压转换器等复杂应用场景。资料重点阐述了器件的核心技术优势，包括快速开关能力与低电磁干扰（EMI）特性，其低反向恢复时间（trr）和超低共源极电容（Crss）有效提升了系统可靠性并改善了噪声免疫性。此外，产品还具备低栅极电荷、低栅极电阻和电容、雪崩能量额定值以及内置体二极管优化等特性，在确保优异噪声免疫性的同时显著降低了开关损耗。Microsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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数据手册 - 英文	APT34F60B APT34F60S 600V，36A，0.19Ω最大trr≤250ns n沟道FREDFET Rev D	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品，工艺变更通知编号：PPS105130C32 Rev 3	下载
封装信息/封装结构图 - 英文	高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装 Rev C	下载
封装信息/封装结构图 - 英文	高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装 Rev D	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev B	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev C	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev F	下载
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技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev B	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev H	下载
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技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev C	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev B	下载
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技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT37F50B APT37F50S 500V，37A，0.15Ω（最大值），trr，≤250ns n沟道FREDFET Rev D	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT30GN60B APT30GN60S APT30 GN60B（G）APT30 GN60S（G）600V Rev B	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT30GN60BDQ2APT30GN60SDQ2APT30 GN60BDQ2（G）APT30 GN60SDQ2（G）600V Rev B	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT36GA60B APT36GA60S Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT35GN120B APT35GN120S APT35 GN120BG APT35 GN120SG 1200V Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT30N60BC6 APT30N60SC6 Rev A	下载
数据手册 - 英文	APT38N60BC6 APT38N60SC6 Rev C	下载
数据手册 - 英文	快速IGBT和FRED 1200V APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2 APT33 GF120B2RDQ2GAPT33 GF120LRDQ2G Rev.A	下载
数据手册 - 英文	APT35GA90B APT35GA90S Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT31M100B2 APT31M100L 1000V、32A、0.38Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT36GA60BD15 APT36GA60SD15 Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT34M60B APT34M60S 600V、36A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT37M100B2 APT37M100L 1000V、37A、0.33Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	功率MOS 7®IGBT 600V APT30GP60BDQ1 APT30GP60BDQ1G* Rev.A	下载
数据手册 - 英文	600V APT30GT60BR APT30GT60BRG*霹雳IGBT® Rev E	下载
技术文档 - 英文	超软恢复整流二极管 Rev B	下载
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应用/方案

【产品】N沟道增强型MOSFET CJAC50SN03适用于高效快速开关，雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲

长晶科技N沟道增强型功率场效应晶体管CJAC50SN03采用了SGT技术，该先进的技术专门用于最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲，使得该器件非常适用于高效快速开关应用中。

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