400V 23A 0.20Ω APT40_代理商_研发采购服务

400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

APT4020BVFR; APT4020SVFR; APT4020BVFRG*; APT4020SVFRG; APT4020B_SVFR(G)

本数据手册详细介绍了APT公司推出的APT4020BVFR和APT4020SVFR两款高压N沟道增强型功率MOSFET。这些器件基于新一代技术设计，具备高速开关、低漏电流及快速恢复体二极管等显著特性，并拥有雪崩能量额定值。在关键参数方面，其漏源电压（VDSS）为400伏，连续漏极电流（ID）达23安培，耗散功率（PD）为250瓦，栅源电压（VGS）为±30伏，工作结温范围覆盖-55至150摄氏度。此外，器件提供TO-247及表面贴装D3Pak两种封装形式，能够满足不同电路板布局的需求。APT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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数据手册 - 英文	APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113 rev 3	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev C	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev C	下载
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产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT44F80B2 N沟道FREDFET Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT44F80B2 APT44F80L 800V，47A，0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET Rev D	下载
技术文档 - 英文	APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V，45A，VCE（开）=1.9V典型超快NPT-IGBT® Rev B	下载
数据手册 - 英文	APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET Rev C	下载
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技术文档 - 英文	APT40GR120B2DU30 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT® Rev A	下载
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数据手册 - 英文	APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev E	下载
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数据手册 - 英文	APT43GA90B APT43GA90S Rev D	下载
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数据手册 - 英文	功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V Rev.D	下载
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数据手册 - 英文	1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范，端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT Rev A	下载
数据手册 - 英文	APT47F60J 600V，49A，0.09Ω（最大值），trr≤310ns n沟道FREDFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT47GA60JD40 Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT47M60J 600V、49A、0.09Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev E	下载
数据手册 - 英文	APT40GT60BR 600V，80A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT® Rev D	下载

世强AI

世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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应用/方案

如何使用PowerDsine HiPoE解决方案为Cisco 802.11n Aironet 1250供电

本文档为PowerDsine HiPoE™Quick Reference，主要介绍了如何使用PowerDsine HiPoE解决方案为Cisco 802.11n Aironet 1250接入点供电。文档中详细介绍了PD-PS-401G Dongle、PowerDsine 7000G HiPoE Midspan和PD-PS-401G HiPoE Adapter等产品的信息，并提供了订购信息。此外，还列出了不同型号的PowerDsine 7000G系列Midspan产品的详细信息。

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工业物联网解决方案强大的工业性能可扩展、低功耗、安全

本文介绍了Microsemi公司针对工业物联网（IIoT）的解决方案，包括以太网交换机和物理层（PHY）产品。Microsemi的产品旨在满足IIoT对低功耗、高性能和安全性连接的需求。文章强调了Microsemi在以太网交换和PHY技术方面的长期经验，以及其软件解决方案如何帮助缩短产品上市时间。此外，还提供了Microsemi的Gigabit Ethernet交换机和PHY产品的详细规格。

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商用航空解决方案

Microsemi公司提供广泛的半导体和系统解决方案，专注于商业航空领域。其产品包括智能电源解决方案、FPGA和SoC、功率开关离散和模块、瞬态电压抑制（TVS）二极管、模拟混合信号IC、射频和微波解决方案、以太网交换机、PHYs、软件和以太网供电（PoE）解决方案、内存和存储解决方案、先进封装能力以及安全解决方案。这些产品应用于飞行控制、舱内管理、引擎系统、通信雷达、电力电子系统等领域，旨在提高飞机的性能、可靠性和安全性。Microsemi通过其研发中心和技术服务，为航空航天应用提供定制化的解决方案。

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双SiC MOSFET驱动器参考设计

本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。

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手持便携式应用解决方案

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以太网和以太网供电（PoE）解决方案

Microsemi公司提供全面的以太网和以太网供电（PoE）解决方案，涵盖交换机、物理层集成电路（PHYs）、软件、IP核和生态系统。其产品支持运营商、企业和工业物联网（IIoT）应用，包括室内和室外PoE中继器/注入器、主时钟和网络时间服务器。Microsemi的优势包括差异化的以太网交换机硅和软件、安全的以太网PHYs、IEEE 1588的领导地位以及广泛的PoE产品组合。此外，公司还提供信号调节器和交叉点开关，适用于多种以太网、SDI、HDMI、PCIe、SAS/SATA和其他标准或专有应用。

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联网家庭解决方案支持联网家庭

Microsemi公司提供高效且经济的半导体系统解决方案，涵盖宽带家庭网络，提供语音、数据和电力连接方案。其产品包括音频处理器、语音线路电路、以太网供电（PoE）、反向供电（RPF）和无线局域网（WLAN）射频集成电路等，应用于智能家居、电话、机顶盒、移动设备和家庭安全等领域。Microsemi的解决方案旨在实现高清语音通信、节能控制和可靠的网络管理。

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工业系统的国防级安全解决方案

该资料主要介绍了工业系统中的安全解决方案，特别是针对嵌入式系统的安全需求。内容涵盖了硬件安全、软件IP加固和加密产品，旨在减少工业系统对知识产权盗窃、仿制或逆向工程的敏感性。资料还强调了Microsemi公司提供的专业服务，包括风险评估、设计保护和系统集成，以确保工业系统的安全性。

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用于保护关键信息的EnforcIT Defense深入解决方案

EnforcIT IP核支持多种FPGA，提供独立或与其他核心结合的固件保护功能。支持包括AES、ECAU、ECC、RNG、SHA2/HMAC、XTS、SEMC、Secure RAM、Clock Monitor、JTAG、Key Module、Bitstream Auth、Glitch Detect、Secure Logger、Authentication和Security Monitor等。Microsemi提供全面半导体和系统解决方案，包括高性能模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC和ASIC等。

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