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APT41M80B2 APT41M80L 800V, 43A, 0.21Ω Max N-Channel MOSFET
发布时间: 2018-08-01
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT41M80B2; APT41M80L; APT41M80B2_L
本数据手册详细介绍了Microsemi公司推出的APT41M80B2和APT41M80L两款N沟道MOSFET。这两款器件具备800V耐压、43A连续漏极电流及0.21Ω最大导通电阻,采用平面条纹设计,旨在实现高可靠性与低开关损耗。其关键技术特性包括高速开关以降低EMI/RFI干扰、低RDS(on)以减少导通损耗、超低Crss“米勒”电容以提升噪声免疫力,以及低栅极电荷和雪崩能量额定值。凭借这些优势,该系列产品广泛应用于PFC及其他升压转换器、降压转换器、双开关正向(非对称桥)、单开关正向、反激式转换器以及逆变器等多种开关模式电源电路中。Microsemi在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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技术文档 - 英文
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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数据手册 - 英文
APT43F60B2 APT43F60L 600V,45A,0.15Ω(最大值),trr≤270ns n沟道FREDFET
Rev D
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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数据手册 - 英文
APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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数据手册 - 英文
APT45GR65B APT45GR65S 650V,45A,VCE(on)=1.9V(典型值)超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APT44F80B2 APT44F80L 800V,47A,0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET
Rev D
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APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V,45A,VCE(开)=1.9V典型超快NPT-IGBT®
Rev B
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数据手册 - 英文
APT44F80B2 N沟道FREDFET
Rev D
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APT44GA60B APT44GA60S
Rev D
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APT40GR120B2DU30 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT®
Rev A
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APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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APT40GR120B2SCD10 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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数据手册 - 英文
APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G*600V
Rev A
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技术文档 - 英文
aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能
2017/11/15
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数据手册 - 英文
APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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APT47N60BC3(G)APT47N60SC3(G)600V 47A 0.070Ω
Rev F
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技术文档 - 英文
碳化硅半导体产品
05/18
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碳化硅半导体产品
05,17
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APT4016BVFR APT4016SVFR APT40 16BVFRG*APT40 16SVFRG*400V 27A 0.16Ω
Rev A
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技术文档 - 英文
MEA执行器电源系统
2017/11/23
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功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
Rev.D
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技术文档 - 英文
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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数据手册 - 英文
APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
Rev D
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400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®
Rev A
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APT42F50B APT42F50S 500V,42A,0.13Ω(最大值),trr,≤260ns n沟道FREDFET
Rev F
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω
Rev.A
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数据手册 - 英文
1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范,端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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APT47GA60JD40
Rev C
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APT47F60J 600V,49A,0.09Ω(最大值),trr≤310ns n沟道FREDFET
Rev C
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APT47M60J 600V、49A、0.09Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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APT45M100J 1000V、45A、0.18Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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APT40GT60BR 600V,80A,VCE(ON)=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev D
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APT46GA90JD40
Rev D
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APT40N60JCU2 ISOTOP®升压斩波器超结MOSFET功率模块
Rev 2
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计,旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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背光系统解决方案CCFL,基板
Microsemi公司提供高性能的CCFL和LED系统解决方案,包括CCFL驱动器IC、LED驱动器IC和可见光传感器。产品适用于汽车、LCD电视、显示器和笔记本电脑背光平台。解决方案具有高可靠性、效率和服务,包括广泛的输入/输出电压范围、数字和模拟调光功能、温度补偿和故障检测管理。此外,Microsemi还提供在线工具、选型指南和销售支持。
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Microsemi光学解决方案产品选型指南
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安全解决方案保护全球从硅到软件的嵌入式系统
Microsemi公司提供全面的嵌入式系统安全解决方案,涵盖硬件、固件和软件层面。其产品包括安全固态硬盘(SSDs)、安全相关服务、加密技术、FPGAs和SoCs等。Microsemi致力于保护数据在运动、使用和静止状态下的安全,并提供针对金融、汽车、医疗、数字版权管理、游戏和工业等领域的解决方案。公司还拥有专业的安全中心,提供风险评估、保护规划、红蓝对抗和侧信道分析等服务。
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用于AFS-EVAL-KIT的Microsemi电源管理解决方案
本文档介绍了Microsemi公司针对AFS Fusion Evaluation Kit的电源管理解决方案,包括对现有电源管理IC的替代方案。文档详细比较了Microsemi的电源管理IC与竞争对手的产品,提供了测试数据和电路图,并建议了替换方案。主要内容包括:电源需求分析、测试数据对比、电路图和PCB布局建议。
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M1AFS\ U嵌入式\ U套件的Microsemi电源管理解决方案
本文档介绍了Microsemi公司针对M1AFS嵌入式套件中使用的竞争对手的功率管理IC的替代方案。通过比较列表,详细说明了针对现有套件的升级改造的功率管理IC的需求。文档中提供了测试数据和图像,以展示Microsemi解决方案与竞争对手解决方案的性能对比。此外,还包括了推荐的替换IC的原理图和PCB布局。
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