APT44F80B2 APT44F80L_代理商_研发采购服务

APT44F80B2 APT44F80L 800V, 47A, 0.21Ω Max trr≤370ns N-Channel FREDFET

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

APT44F80B2; APT44F80L; APT44F80B2_L

本数据手册详细介绍了APT44F80B2和APT44F80L两款800V、47A的高压N-Channel开关模式功率MOSFET。作为FREDFET器件，这两款产品具备快速开关、低EMI、低反向恢复时间及低栅极电荷等优异特性，同时拥有极低的Crss/Ciss比率以增强噪声免疫力，并符合RoHS环保标准。凭借雪崩能量额定值及高可靠性设计，该系列器件能有效降低开关损耗，适用于ZVS相移桥、半桥电路、PFC及其他升压转换器、降压转换器、单/双开关正向转换器以及反激转换器等多种电力电子应用场景。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程协助用户进行选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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数据手册 - 英文	APT44F80B2 N沟道FREDFET Rev D	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113 rev 3	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev C	下载
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数据手册 - 英文	APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
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数据手册 - 英文	APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT43F60B2 APT43F60L 600V，45A，0.15Ω（最大值），trr≤270ns n沟道FREDFET Rev D	下载
数据手册 - 英文	APT45GR65B APT45GR65S 650V，45A，VCE（on）=1.9V（典型值）超快速NPT-IGBT® Rev B	下载
技术文档 - 英文	APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V，45A，VCE（开）=1.9V典型超快NPT-IGBT® Rev B	下载
数据手册 - 英文	APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT44GA60B APT44GA60S Rev D	下载
技术文档 - 英文	APT40GR120B2DU30 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT® Rev A	下载
数据手册 - 英文	APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev E	下载
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技术文档 - 英文	aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能 2017/11/15	下载
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数据手册 - 英文	功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G* Rev.A	下载
数据手册 - 英文	功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω Rev.A	下载
数据手册 - 英文	1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范，端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT Rev A	下载
数据手册 - 英文	APT47GA60JD40 Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT47F60J 600V，49A，0.09Ω（最大值），trr≤310ns n沟道FREDFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT47M60J 600V、49A、0.09Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev E	下载
数据手册 - 英文	APT45M100J 1000V、45A、0.18Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载

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应用/方案

【产品】N沟道增强型MOSFET CJAC50SN03适用于高效快速开关，雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲

长晶科技N沟道增强型功率场效应晶体管CJAC50SN03采用了SGT技术，该先进的技术专门用于最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲，使得该器件非常适用于高效快速开关应用中。

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【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性

群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。

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双SiC MOSFET驱动器参考设计

本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。

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【产品】具备超低漏源导通电阻的N通道增强模式功率MOSFET RC3420，漏极直流电流5.5A

正芯推出的N通道增强模式功率MOSFET RC3420采用先进的沟道技术与设计，具有出色的RDS(ON)与低栅极电荷，漏源电压20V，漏源直流电流5.5A，可用于功率开关应用、硬开关与高频电路、不间断电源等领域。

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【产品】650V/1.9A美浦森SLD2N65UZ/SLU2N65UZ N沟道MOSFET，具有快速开关特性

美浦森推出的SLD2N65UZ/SLU2N65UZ是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用平面条纹DMOS技术，特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

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【产品】互补增强模式MOS场效应管AP4606，N和P沟道漏源电压均为30V，可用于高功率DC/DC转换

铨力半导体推出的AP4606互补增强型MOSFET是一款SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。其N沟道和P沟道的漏源电压均为30V，用于高功率DC/DC转换和功率开关，适用于作负载开关或脉宽调制应用。

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【产品】TMA4N80H~TMU4N80H系列800V N沟道MOSFET，具有快速开关等特性

TMA4N80H, TMD4N80H, TMP4N80H, TMU4N80H是无锡紫光微推出的系列800V N沟道MOSFET。系列MOSFET通过100%雪崩测试，具有快速开关特性和改进的dv/dt特性。系列MOSFET分别采用了TO-220F、TO-252、TO-220和TO-251封装，符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

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【产品】漏源击穿电压最小650V的N沟道高电压功率MOSFET RM47N650T7/2

RM47N650T7和RM47N650T2是丽正国际推出的两款N沟道高电压功率MOSFET，采用先进的端子方案，使用过程中可不降低器件性能的前提下，增强器件的电压阻断能力。另外，这款先进的MOSFET也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式，这种新型的能量效率设计同样提供了快速的漏源节点恢复能力。该MOSFET是为电源供给、转换和PWM监控中的高电压和高速开关应用所设计。

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【产品】碳化硅功率MOSFET CPM3-1200-0021A，采用C3M平面MOSFET 技术和N沟道增强模式

Wolfspeed公司推出的碳化硅功率MOSFET CPM3-1200-0021A，采用C3M Planar MOSFET 技术和N通道增强模式。这款新器件实现导通电阻Rds(on)低到仅21mΩ，并且在整个工作温度范围内具有1200V阻断电压，从而大大降低了降额要求。它可以应用于太阳能逆变器，EV充电器，高压DC / DC转换器，开关电源和负载开关。

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