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APT47M60J 600V, 49A, 0.09Ω Max N-Channel MOSFET
发布时间: 2018-08-01
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT47M60J
本数据手册详细介绍了APT47M60J型号N-Channel MOSFET的技术特性与应用参数。该器件是一款具备高速开关与高压特性的功率晶体管,最大导通电阻仅为0.09Ω,专为开关模式电源电路设计。其核心优势在于低RDS(on)和极低的反向传输电容,这不仅降低了导通损耗,还显著提高了噪声免疫力,配合低栅极电荷特性,有效抑制了EMI/RFI干扰。此外,产品具备雪崩能量额定值,增强了电路的可靠性。在应用层面,APT47M60J广泛适用于PFC(功率因数校正)及各类升压、降压转换器,同时也覆盖双开关正向、单开关正向、反激式转换器以及逆变器等复杂电源拓扑场景。针对该器件,Microchip在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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技术文档 - 英文
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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数据手册 - 英文
APT43F60B2 APT43F60L 600V,45A,0.15Ω(最大值),trr≤270ns n沟道FREDFET
Rev D
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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数据手册 - 英文
APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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数据手册 - 英文
APT44F80B2 N沟道FREDFET
Rev D
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数据手册 - 英文
APT44F80B2 APT44F80L 800V,47A,0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET
Rev D
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技术文档 - 英文
APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V,45A,VCE(开)=1.9V典型超快NPT-IGBT®
Rev B
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数据手册 - 英文
APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET
Rev C
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APT45GR65B APT45GR65S 650V,45A,VCE(on)=1.9V(典型值)超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APT40GR120B2DU30 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT®
Rev A
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数据手册 - 英文
APT44GA60B APT44GA60S
Rev D
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技术文档 - 英文
APT40GR120B2SCD10 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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技术文档 - 英文
aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能
2017/11/15
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数据手册 - 英文
APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G*600V
Rev A
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APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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技术文档 - 英文
碳化硅半导体产品
05/18
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碳化硅半导体产品
05,17
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数据手册 - 英文
APT47N60BC3(G)APT47N60SC3(G)600V 47A 0.070Ω
Rev F
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技术文档 - 英文
MEA执行器电源系统
2017/11/23
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数据手册 - 英文
APT4016BVFR APT4016SVFR APT40 16BVFRG*APT40 16SVFRG*400V 27A 0.16Ω
Rev A
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技术文档 - 英文
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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数据手册 - 英文
APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
Rev D
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数据手册 - 英文
400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®
Rev A
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数据手册 - 英文
功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
Rev.D
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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数据手册 - 英文
APT42F50B APT42F50S 500V,42A,0.13Ω(最大值),trr,≤260ns n沟道FREDFET
Rev F
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω
Rev.A
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数据手册 - 英文
1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范,端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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APT47F60J 600V,49A,0.09Ω(最大值),trr≤310ns n沟道FREDFET
Rev C
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数据手册 - 英文
APT47GA60JD40
Rev C
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APT40GT60BR 600V,80A,VCE(ON)=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev D
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APT46GA90JD40
Rev D
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APT45M100J 1000V、45A、0.18Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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数据手册 - 英文
APT40N60JCU2 ISOTOP®升压斩波器超结MOSFET功率模块
Rev 2
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APT40N60JCU3 ISOTOP®降压斩波器超结MOSFET电源模块
Rev 2
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数据手册 - 英文
超快NPT-IGBT®,带超软恢复二极管aPT45GR65B2DU30 650v,45a,vCE(on)=1.9v(典型值)
Rev.A
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APT40M70LVR 400V 57A 0.070Ω功率MOS V®
Rev B
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计,旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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ZL30681,ZL30682,ZL30683 1-,2-,3-通道,10输入,18输出线路卡时序产品简介
该资料介绍了Microsemi公司生产的ZL30681、ZL30682和ZL30683系列线卡时序集成电路。这些产品具备一个、两个或三个DPLL通道,可编程带宽,支持自由运行或保持功能,具有高分辨率保持平均和相位调整功能。产品支持多达10个输入时钟,频率范围从1kHz到900MHz,并提供多种输出时钟频率和分辨率。此外,这些产品还具备自动配置、低抖动输出时钟、本地振荡器等功能,适用于同步以太网、同步E+1588、SONET/SDH、OTN、无线基站等通信系统。
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ZL30671,ZL30672,ZL30673 1,2,3通道,10输入,18输出系统同步器产品简介
该资料介绍了Microsemi公司生产的ZL30671、ZL30672和ZL30673系列系统同步器产品。这些产品具备1至3个DPLL通道,支持多种时序标准,具有可编程带宽、高分辨率保持平均、相位调整等功能。产品支持多达10个输入和18个输出,适用于同步E、同步E+1588、SONET/SDH、OTN、无线基站等通信系统。产品特点包括:高分辨率频率和相位测量、低抖动输出时钟、通用输出时钟、本地振荡器等。
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