APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω Super Junction MOSFET
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT47N65BC3; APT47N65SC3; APT47N65B_SC3
本数据手册详细介绍了Microsemi公司生产的APT47N65BC3及APT47N65SC3型号Super Junction MOSFET的技术特性与参数。作为一款高性能器件，该MOSFET具有650V耐压、47A连续漏极电流及0.070Ω的超低导通电阻，专为高功率应用场景设计。其核心优势在于超低RDS(ON)和超低栅极电荷，能够有效降低导通损耗并提升开关效率；同时，器件具备低Miller电容特性，有助于减少开关损耗并改善电磁干扰表现。此外，该产品增加了功率耗散能力，并经过雪崩能量额定，确保在恶劣工况下的可靠性。封装方面提供TO-247及表面贴装D3PAK两种选择，以适应不同的安装需求。Microsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到系统调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT43F60B2 APT43F60L 600V，45A，0.15Ω（最大值），trr≤270ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT45GR65B APT45GR65S 650V，45A，VCE（on）=1.9V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APT44F80B2 APT44F80L 800V，47A，0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET
Rev D
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APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V，45A，VCE（开）=1.9V典型超快NPT-IGBT®
Rev B
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APT44F80B2 N沟道FREDFET
Rev D
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APT44GA60B APT44GA60S
Rev D
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APT40GR120B2DU30 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT®
Rev A
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APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev E
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APT40GR120B2SCD10 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G*600V
Rev A
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aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能
2017/11/15
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| 数据手册 - 英文 |
APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT47N60BC3（G）APT47N60SC3（G）600V 47A 0.070Ω
Rev F
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碳化硅半导体产品
05/18
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碳化硅半导体产品
05,17
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| 数据手册 - 英文 |
APT4016BVFR APT4016SVFR APT40 16BVFRG*APT40 16SVFRG*400V 27A 0.16Ω
Rev A
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MEA执行器电源系统
2017/11/23
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
Rev.D
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®
Rev A
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APT42F50B APT42F50S 500V，42A，0.13Ω（最大值），trr，≤260ns n沟道FREDFET
Rev F
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω
Rev.A
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1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范，端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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APT47GA60JD40
Rev C
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APT47F60J 600V，49A，0.09Ω（最大值），trr≤310ns n沟道FREDFET
Rev C
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APT47M60J 600V、49A、0.09Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev E
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APT45M100J 1000V、45A、0.18Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
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TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L
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