MSC1090M RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
MSC1090M
本数据手册详细介绍了MSC1090M这款专为脉冲L波段航空电子应用设计的中功率C类晶体管。该器件在1025-1150 MHz频率范围内工作，具备最小90 W的输出功率和8.4 dB的最小增益，能够满足高性能射频系统的需求。其核心技术特性包括金金属化工艺、输入匹配设计以及无无限VSWR能力，结合低射频热阻和发射极平衡设计，确保了产品的高可靠性与一致性。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MSC1175M射频和微波晶体管在航空电子设备中的应用
2018/01/11
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
选择Microsemi功率晶体管产品下线通知
August 13, 2018
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
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1N6844 100 VOLTS, 20 AMPSCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
1/4/00
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1N6845 45 VOLTS, 40 AMP SCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
1/4/00
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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MSC1450M RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
2018/01/11
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1N6842 60 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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1N6843 100 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
11/1199
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2N6303硅PNP功率晶体管
05-25-99
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2N3583 5安培，250V，高压PN硅功率晶体管
05-19-99
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| 数据手册 - 英文 |
MSAF75N10C N沟道增强型功率MOSFET产品预览
2000-09-20
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MSC100SM70JCU2升压斩波器SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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1N6840 AND 1N6841 35 and 45 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODECENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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SM2337 1200伏超快恢复整流器产品预览
2000-09-20
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MSC130SM120JCU2升压斩波器SiC MOSFET功率模块
Revision1.0
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MSC130SM120JCU3降压斩波SiC MOSFET功率模块
Revision1.0
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RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS MSC1015MP
2018/01/11
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PPNGZ52F120A PPNHZ52F120A 1200 Volts52 Amps 3.2 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
2N4240 5安培、500V、高压PN硅功率晶体管
05-19-99
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MSC1400M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
2018/01/11
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MSC1350M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
08-19-02
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MSC180SMA120SD 1200V、180 mΩN沟道MSIC™MOSFET
Revision A
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1N5807 1N5809 1N5811 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 6 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP50 - 150 VOLTS
02-23-99
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1N5802 1N5804 1N5806 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 2.5 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
02-23-99
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| 数据手册 - 英文 |
MSARW80G20A（MX028）200伏80安37纳秒超快整流器
rev 1
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MSARS200S20LP MSARS200S20LRP 200 Volts 200 Amps HIGH CURRENT CAPABILITY &LOW VOLTAGE DROP STANDARD RECOVERY RECTIFIER
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
SD1019射频和微波晶体管VHF应用
Rev. B
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| 技术文档 - 英文 |
射频和微波二极管，晶体管产品
2017/11/15
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| 数据手册 - 英文 |
射频和微波晶体管UHF移动应用SD1146
2017/12/24
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射频和微波晶体管VHF FM应用SD1224
2017/12/24
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| 数据手册 - 英文 |
射频和微波晶体管108–152MHz应用SD1015
2017/12/24
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| 数据手册 - 英文 |
射频和微波晶体管108–152MHz应用SD1015
Revision B
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射频和微波晶体管VHF FM应用SD1224-02
2017/12/24
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射频和微波晶体管VHF FM应用SD1224-02
2017/12/24
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射频和微波晶体管800-900 MHz基站应用SD1420-01
2017/12/24
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MS1006射频和微波晶体管HF SSB应用
2018/01/19
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射频和微波晶体管VHF和FM移动应用SD1018-06
2017/12/24
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射频和微波晶体管甚高频移动应用SD1143
2017/12/24
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MMBR5179LT1射频和微波晶体管
2000-11-06
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MMBR911MLT1射频和微波晶体管
2018/01/19
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MCE545 WAFFLE PACK芯片射频和微波晶体管
2018/01/23
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MS1076射频和微波晶体管高频单边带应用
Rev A
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MS3023射频和微波晶体管在通用放大器中的应用
2018/01/15
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射频和微波晶体管电视/线性应用SD1485
10-18-02
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射频和微波晶体管航空电子应用MS2205
Revision 1
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
AN1824 MSCSICMDD/REF1双碳化硅MOSFET驱动器参考设计应用说明
本资料提供了一种高度隔离的碳化硅MOSFET双栅极驱动器的示例，适用于驱动半桥配置，具有死区保护和并发驱动功能。设计适用于大多数Microsemi碳化硅MOSFET离散和模块设备。该设计具有可调的-5V至+20V输出栅极驱动、超过2000V的栅极驱动器电气隔离、高达30A的峰值输出电流、大于400kHz的最大开关频率等特点。资料详细介绍了设计描述、固件、替代设计选项、IO和设置、电气特性、板安装和快速启动等内容。
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国防和安全解决方案射频模块、子系统
Microsemi公司专注于国防和安全领域的射频微波和毫米波解决方案，提供一系列高性能、高可靠性的半导体产品。产品包括低噪声放大器、表面贴装放大器、宽带放大器、超低相位噪声放大器、高功率窄带放大器、高功率宽带放大器、毫米波放大器、倍频器、上/下变频器、收发器、多功能组件等。这些产品广泛应用于无人机、雷达、通信、战场通信等领域，满足客户在国防和安全领域的需求。
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射频和微波能力及路线图
本文主要介绍了Microsemi公司在其射频和微波产品线方面的能力与发展路线图。内容涵盖了Si PIN、SRD、变容二极管等器件，以及Si双极性功率晶体管、SiC和GaN on SiC晶体管等。文章详细介绍了这些产品的应用领域，包括通信数据链、转换/调制、监视/跟踪、遥测/导航等。此外，还提到了公司在卫星、气象、军事等领域的应用案例，以及SiC和GaN技术的优势。
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【产品】250W、50V氮化镓高电子迁移率晶体管CGHV40200PP，工作频率高达3GHz
Wolfspeed推出的CGHV40200PP在18GHz频率下提供21dB的小信号增益，效率可高达67%，采用4引线法兰封装，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。
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