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MSC1175M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
发布时间: 2018-08-01
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
MSC1175M
本数据手册详细介绍了MSC1175M射频微波晶体管,这是一款专为航空电子领域高峰值脉冲功率应用设计的NPN双极性晶体管,特别适用于DME(测距设备)和TACAN(战术空中导航系统)。该器件具备卓越的射频性能,工作频率范围覆盖1025至1150 MHz,在共基态配置下可提供175瓦的输出功率及7.7 dB的最小增益。其集电极-发射极电压为50V,最大功耗达400W,并能承受至少20:1的负载电压驻波比(VSWR),在满额定条件下的任何相位角均能稳定运行。此外,器件内部集成的阻抗匹配设计确保了一致的宽带性能,结温高达250°C,储存温度范围为-65至+200°C,热阻低至0.3°C/W,展现了优异的可靠性与热管理能力。 基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。Microchip在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。针对文中所述器件,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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数据手册 - 英文
1N6844 100 VOLTS, 20 AMPSCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
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产品变更通知及停产信息 - 英文
选择Microsemi功率晶体管产品下线通知
August 13, 2018
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碳化硅半导体产品
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1N6845 45 VOLTS, 40 AMP SCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
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MSC1450M RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
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Microsemi电源组合2018
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1N6842 60 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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1N6843 100 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
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2N3583 5安培,250V,高压PN硅功率晶体管
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MSAF75N10C N沟道增强型功率MOSFET产品预览
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SM2337 1200伏超快恢复整流器产品预览
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1N6840 AND 1N6841 35 and 45 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODECENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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MSC130SM120JCU2升压斩波器SiC MOSFET功率模块
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MSC130SM120JCU3降压斩波SiC MOSFET功率模块
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RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS MSC1015MP
2018/01/11
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PPNGZ52F120A PPNHZ52F120A 1200 Volts52 Amps 3.2 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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MSC1400M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
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2N4240 5安培、500V、高压PN硅功率晶体管
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MSC1350M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
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MSC180SMA120SD 1200V、180 mΩN沟道MSIC™MOSFET
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1N5807 1N5809 1N5811 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 6 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP50 - 150 VOLTS
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1N5802 1N5804 1N5806 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 2.5 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
02-23-99
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MSARW80G20A(MX028)200伏80安37纳秒超快整流器
rev 1
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MSARS200S20LP MSARS200S20LRP 200 Volts 200 Amps HIGH CURRENT CAPABILITY &LOW VOLTAGE DROP STANDARD RECOVERY RECTIFIER
2018/01/11
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MMBR911MLT1射频和微波晶体管
2018/01/19
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射频微波硅功率晶体管
2017/11/26
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射频微波硅功率晶体管
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MCE545 WAFFLE PACK芯片射频和微波晶体管
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MMBR5179LT1射频和微波晶体管
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MS3023射频和微波晶体管在通用放大器中的应用
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射频和微波二极管,晶体管产品
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MS1076射频和微波晶体管高频单边带应用
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射频和微波晶体管电视/线性应用SD1485
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射频和微波晶体管航空电子应用MS2205
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射频和微波晶体管航空电子应用SD1536-03
2017/12/24
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射频和微波晶体管UHF移动应用SD1429-03
12-05-2002
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射频和微波晶体管UHF移动应用SD1422
2017/12/24
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MC1333 WAFFLE PACK芯片射频和微波晶体管
2001
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射频和微波晶体管VHF FM移动应用SD1013
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MC3042 WAFFLE PACK芯片射频和微波晶体管
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MS1008射频和微波晶体管在高频单边带中的应用
Rev A
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射频和微波晶体管VHF移动应用SD1014-06
2017/12/24
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世强AI
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应用/方案
AN1824 MSCSICMDD/REF1双碳化硅MOSFET驱动器参考设计应用说明
本资料提供了一种高度隔离的碳化硅MOSFET双栅极驱动器的示例,适用于驱动半桥配置,具有死区保护和并发驱动功能。设计适用于大多数Microsemi碳化硅MOSFET离散和模块设备。该设计具有可调的-5V至+20V输出栅极驱动、超过2000V的栅极驱动器电气隔离、高达30A的峰值输出电流、大于400kHz的最大开关频率等特点。资料详细介绍了设计描述、固件、替代设计选项、IO和设置、电气特性、板安装和快速启动等内容。
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国防和安全解决方案射频模块、子系统
Microsemi公司专注于国防和安全领域的射频微波和毫米波解决方案,提供一系列高性能、高可靠性的半导体产品。产品包括低噪声放大器、表面贴装放大器、宽带放大器、超低相位噪声放大器、高功率窄带放大器、高功率宽带放大器、毫米波放大器、倍频器、上/下变频器、收发器、多功能组件等。这些产品广泛应用于无人机、雷达、通信、战场通信等领域,满足客户在国防和安全领域的需求。
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射频和微波能力及路线图
本文主要介绍了Microsemi公司在其射频和微波产品线方面的能力与发展路线图。内容涵盖了Si PIN、SRD、变容二极管等器件,以及Si双极性功率晶体管、SiC和GaN on SiC晶体管等。文章详细介绍了这些产品的应用领域,包括通信数据链、转换/调制、监视/跟踪、遥测/导航等。此外,还提到了公司在卫星、气象、军事等领域的应用案例,以及SiC和GaN技术的优势。
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Signal Generators: The Different Types and How They Work
In electronics, signals are analogous to speech. Just as we exchange information through conversation, electronics at all levels talk via signals — from microscopic transistors on tiny integrated circuits up to consumer devices and large systems like satellites. Being this ubiquitous means that in every industry, a substantial part of electronics testing goes into getting the signals right, and signal generators are the workhorses that make it possible.
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