1N5802 1N5804 1N5806 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 2.5 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
发布时间:
2018-08-01
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
1N5802; 1N5804; 1N5806; MSC1344
本数据手册详细介绍了1N5802、1N5804、1N5806及JANHCE、JANKCE、JANHCF、JANKCF系列2.5安培快速恢复整流芯片的技术规格。该芯片采用平面设计,轮廓尺寸为41 x 41 mils,厚度范围在8至12 mils之间,具备优异的电气性能与反向恢复特性。在材质方面,其阳极金属化采用铝,厚度达50,000 Å,最小粘接面积为23 x 23 mils,背面则采用金金属化,部分型号提供可焊银背面。电压范围覆盖50V至160V,关键电气特性包括反向电流、正向电压降及结电容,同时详细规定了反向恢复时间、正向恢复电压和正向恢复时间等参数,确保器件在电路中的高效稳定性。基于该技术方案,用户可通过世强硬创平台获取相关产品的研发与采购支持。平台提供原厂授权的正品器件保障,支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外,平台专职FAE团队可提供选型指导、设计验证及调试等技术支持,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/477标准的1N5802、1N5804、1N5806无孔密封超快恢复玻璃整流器
Rev. 1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
选择Microsemi功率晶体管产品下线通知
August 13, 2018
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| 技术文档 - 英文 |
1N5802至1N5806
2017/12/29
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| 数据手册 - 英文 |
无孔密封超快恢复玻璃整流器1N5802至1N5806
Rev.A
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下一代电力离散化
2017/11/15
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| 数据手册 - 英文 |
整流器,军用认证,高能效,2.5安培和6.0安培1n5802,1n5804,1n5806,1n 5807.1n 5809.1n 5811 JAnTX&JAnTXV
2017/11/29
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| 技术文档 - 英文 |
超快恢复整流器1N5812-1N5816
Rev. 1
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符合MIL-PRF-19500/477 1N5802US、1N5804US、1N5806和URS标准的无空隙密封超快恢复玻璃整流器
Rev.1
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| 技术文档 - 英文 |
HC级和KC级等效1N5812-16超快整流模
Rev.1
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HC级和KC级等效1N5812-16超快整流模
REV.IR
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1N5807 1N5809 1N5811 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 6 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP50 - 150 VOLTS
02-23-99
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5安培肖特基整流器1N5823,1N5824,1N5825
Rev.2
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| 数据手册 - 英文 |
1N5807至1N5811超快速整流器
2017/12/24
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| 技术文档 - 英文 |
15安培肖特基整流器1N5826-1N5828
Rev.1
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| 数据手册 - 英文 |
1N6845 45 VOLTS, 40 AMP SCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
1/4/00
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| 技术文档 - 英文 |
40安培肖特基整流器1N5832-1N5834
Rev.2
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| 数据手册 - 英文 |
1N5807US、1N5809US、1N5811US和URS真空密封超快恢复玻璃整流器
Rev. 1
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| 技术文档 - 英文 |
25安培肖特基整流器1N5829-1N5831
Rev.3
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| 数据手册 - 英文 |
高可靠性功率整流器1N5807U4技术数据表
Rev. 1
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1N5807、1N5809和1N5811无孔密封超快恢复玻璃整流器
Rev. 3
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
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1N6840 AND 1N6841 35 and 45 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODECENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
1N6843 100 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
11/1199
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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| 数据手册 - 英文 |
1N5807至1N5811无孔密封超快恢复玻璃整流器S
REV C
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| 数据手册 - 英文 |
1N6844 100 VOLTS, 20 AMPSCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
1/4/00
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| 数据手册 - 英文 |
1N6842 60 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
表面贴装无孔密封超快速恢复玻璃整流器1N5807US至1N5811US
Rev.F
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无孔密封超快恢复玻璃整流器1N5807CB至1N5811CB
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
MSC130SM120JCU2升压斩波器SiC MOSFET功率模块
Revision1.0
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MSC130SM120JCU3降压斩波SiC MOSFET功率模块
Revision1.0
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PPNGZ52F120A PPNHZ52F120A 1200 Volts52 Amps 3.2 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
2018/01/11
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1N5807CBUS至1N5811CBUS表面贴装无孔密封超快速恢复玻璃整流器
7-26-2007
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MSC1350M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
08-19-02
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MSARS200S20LP MSARS200S20LRP 200 Volts 200 Amps HIGH CURRENT CAPABILITY &LOW VOLTAGE DROP STANDARD RECOVERY RECTIFIER
2018/01/11
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技术数据快速恢复功率整流器符合MIL-PRF-19500/478
2017/11/29
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高可靠性超快恢复整流器1N5812技术数据表
Rev. 1
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MSC1175M射频和微波晶体管在航空电子设备中的应用
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
1N5823、1N5824、1N5825 5安肖特基整流器
Rev.1
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1N5820–1N5822和1N6864
Rev. 1
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MSC1450M RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
2018/01/11
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1N5817G、1N5818G、1N5819G 1安培肖特基整流器
Rev.2
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| 数据手册 - 英文 |
经军方批准的高效率整流器,20安培1n5812,1n5814,1n5816 JAn.JAnTX&JAnTXV
2017/11/29
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2N6303硅PNP功率晶体管
05-25-99
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2N3583 5安培,250V,高压PN硅功率晶体管
05-19-99
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
国防和安全解决方案射频模块、子系统
Microsemi公司专注于国防和安全领域的射频微波和毫米波解决方案,提供一系列高性能、高可靠性的半导体产品。产品包括低噪声放大器、表面贴装放大器、宽带放大器、超低相位噪声放大器、高功率窄带放大器、高功率宽带放大器、毫米波放大器、倍频器、上/下变频器、收发器、多功能组件等。这些产品广泛应用于无人机、雷达、通信、战场通信等领域,满足客户在国防和安全领域的需求。
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商用航空解决方案
Microsemi公司提供一系列高可靠性产品,包括集成电路、功率模块、开关器件、FPGA和SoC等,为商业航空领域提供全面的解决方案。产品应用于飞行控制、动力系统、机舱管理系统、通信雷达、电力系统等关键领域,旨在提高飞机性能、可靠性和安全性。
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M1AFS\ U嵌入式\ U套件的Microsemi电源管理解决方案
本文档介绍了Microsemi公司针对M1AFS嵌入式套件中使用的竞争对手的功率管理IC的替代方案。通过比较列表,详细说明了针对现有套件的升级改造的功率管理IC的需求。文档中提供了测试数据和图像,以展示Microsemi解决方案与竞争对手解决方案的性能对比。此外,还包括了推荐的替换IC的原理图和PCB布局。
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LXE1684评估板用户指南
本资料为Microsemi公司生产的LXE1684 Buck PWM控制器评估板的用户指南。该评估板是一款开关式降压电源,可从12V电源输出3.3V电压,最大输出电流为10A。指南中详细介绍了评估板的安装步骤、电气规格、组件选择和PCB布局等信息。资料还强调了使用该评估板时的注意事项,如环境温度、输入电压要求等。
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AN1824 MSCSICMDD/REF1双碳化硅MOSFET驱动器参考设计应用说明
本资料提供了一种高度隔离的碳化硅MOSFET双栅极驱动器的示例,适用于驱动半桥配置,具有死区保护和并发驱动功能。设计适用于大多数Microsemi碳化硅MOSFET离散和模块设备。该设计具有可调的-5V至+20V输出栅极驱动、超过2000V的栅极驱动器电气隔离、高达30A的峰值输出电流、大于400kHz的最大开关频率等特点。资料详细介绍了设计描述、固件、替代设计选项、IO和设置、电气特性、板安装和快速启动等内容。
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