Integrated Device Technology
发布时间：
2018-08-01
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
2504021217Y0; BLM15AG221SN1; BLM15BB121SN1; MMZ1005S241A; TB4532153121
本技术资料详细阐述了元器件布局的关键注意事项，涵盖了电源布线策略、电容选型标准以及地线连接规范。文档重点强调了使用磁珠滤波器FB1进行滤波处理的重要性，并明确指出在设计中应避免共享地线孔，以确保电路的稳定性和抗干扰能力。此外，资料还提供了推荐使用的磁珠具体型号及其详细参数，为硬件工程师的电路设计提供了直接参考。Integrated Device Technology在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料所涉及的技术方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
可编程扇出缓冲器5P1103数据表
REVISION D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A1505-02
2018/03/27
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| 技术文档 - 英文 |
加利福尼亚州圣何塞市集成设备技术公司5P49V5933A
REV 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
5P49V5933 Programmable Clock Generator
NOVEMBER 1, 2017
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| 技术文档 - 英文 |
Integrated Device Technology 圣何塞，加利福尼亚州 5P1105A_SCH
REV 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
可编程扇出缓冲器5P1105数据表
REVISION D
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| 电路原理图 - 英文 |
5X1503/5L1503参考示意图
Rev.1
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术加州圣何塞5P35023\参考示意图
REV 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术加州圣何塞5P35021\参考示意图
REV 0.1
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| 电路原理图 - 英文 |
5P35021\参考示意图
Revision 1.1
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| 电路原理图 - 英文 |
5P35023\U参考示意图
Rev 1.0
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| 电路原理图 - 英文 |
5X35023参考示意图
Rev 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
铁素体磁珠建议
Revision 101404
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| 技术文档 - 英文 |
铁素体磁珠建议
Revision 101404
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| 数据手册 - 英文 |
DAC1008D650双通道10位DAC；最高650 MSPS；通过JESD204A接口实现2倍、4倍或8倍插值
Rev. 04
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| 数据手册 - 英文 |
81006i VCXO-to-6 LVCMOS输出
REVISION B
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| 数据手册 - 英文 |
ICS85214I低偏斜、1至5、差分至HSTL扇出缓冲器
REVISION B
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT273T/AT/CT快速CMOS八通道D触发器，具有主复位功能
JUNE 2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT299T/AT/CT快速CMOS 8输入通用移位寄存器
6/24/2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT646T/AT/CT快速CMOS八通道收发器/寄存器（3态）
JUNE 2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT541T/AT/CT快速CMOS八通道缓冲器/线路驱动器
JUNE 2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V73250 3.3 VOLT TIME SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH
12/04/2012
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74LVC16374A 3.3V CMOS 16-BITEDGE-TRIGGERED D-TYPEFLIP-FLOP WITH 3-STATE OUTPUTS,5 VOLT TOLERANT I/O
AUGUST 2015
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| 数据手册 - 英文 |
IDTQS3861 QUICKSWITCH® PRODUCTSHIGH-SPEED CMOS 10-BITBUS SWITCH WITHFLOW-THROUGH PINOUT
JANUARY 2013
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| 数据手册 - 英文 |
844N255I FemtoClock® NG Crystal-to-LVDS Clock Synthesizer
April 28, 2016
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| 技术文档 - 英文 |
ATM的逆复用IDT82V2604
Version - 4
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7203 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
NOVEMBER 2017
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| 数据手册 - 英文 |
IDT8V41N004I FemtoClock® NG Crystal-to-HCSL Clock Generator
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74LVCH16601A 3.3V CMOS 18-BIT UNIVERSAL BUS TRANSCEIVER WITH 3-STATE OUTPUTS,5 VOLT TOLERANT I/O, BUS-HOLD
JUNE 2006
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT162823AT/CT快速CMOS 18位寄存器数据表
SEPTEMBER 2009
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| 数据手册 - 英文 |
9FGL6241/9FGL6251 nVME智能PCIe时钟缓冲/发生器产品介绍
November 9, 2018
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技术论坛
ZSC31015KlT套餐包含些什么？有上位机软件吗？
查看官方回答 >>
是否可以在不影响EEPROM内容的情况下对可编程时钟5T982x/5T989x进行重新编程？
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一旦IDT P9030在线圈上检测到有效接收器，其他无线电源线圈（多线圈配置）是否会被禁用（停止ping）？
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目前市面上除了小米本身，是否有其他支持小米9 Pro 30W无线充方案?
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
NCB-A系列NCB-HA系列SMT汽车级铁氧体贴片磁珠产品简介
NIC Components Corp推出两款新的SMT磁珠系列NCB-A和NCB-HA，适用于汽车、高可靠性企业级系统和恶劣环境应用。这些磁珠提供低成本EMI抑制解决方案，符合AEC-Q200标准，具有宽温度范围和多种阻抗值，适用于多种汽车子系统中的EMI抑制。
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贴片式电磁干扰抑制铁氧体磁珠
本文主要介绍了SMD EMI抑制磁珠的基本知识，包括其阻抗、频率特性以及在高频和高速应用中的表现。文章还详细介绍了WE-MPSB多层功率抑制磁珠的特点，如高峰值电流、宽频带抑制能力，以及如何通过其规格来保护并延长应用寿命。
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推荐的铁氧体磁珠AN-805应用说明
本文介绍了铁氧体磁珠在IDT时钟产品电源滤波中的应用。重点讨论了选择铁氧体磁珠时需考虑的五个主要参数：直流电阻、交流阻抗、偏置电流额定值、材料和封装尺寸。文章还提供了不同制造商和型号的铁氧体磁珠的详细规格，包括Z值、封装尺寸、直流电阻和电流额定值。此外，还包含了封装尺寸的转换图表。
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推荐铁氧体磁珠应用说明
本文介绍了铁氧体磁珠在IDT时钟产品电源滤波中的应用。重点讨论了选择铁氧体磁珠时需考虑的五个主要参数：直流电阻、交流阻抗、偏置电流额定值、材料和封装尺寸。文章还提供了不同制造商和型号的铁氧体磁珠的详细规格，包括Z值、封装尺寸、直流电阻和电流额定值。
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推荐的铁氧体磁珠
本文介绍了在IDT时钟产品中选择铁氧体磁珠（或芯片）作为电源滤波器时需要考虑的五个主要参数：直流电阻、交流阻抗、偏置电流额定值、材料和封装尺寸。文章强调了低通滤波器在隔离中的重要性，并建议选择具有适当直流电阻的磁珠。此外，还提供了不同制造商和型号的磁珠示例，包括Z值、封装尺寸、直流电阻和电流额定值。文章还包含封装尺寸的转换图表，并提供了免责声明和版权信息。
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铁素体磁珠建议
本文推荐使用铁氧体磁珠（或芯片）对ICS产品的3.3V或5.0V电源进行滤波。选择铁氧体磁珠时需考虑三个主要参数：直流电阻、交流阻抗和偏置电流额定值。为了实现良好的隔离，建议使用具有一些直流电阻的磁珠。所需电阻的大小取决于允许的电压降以及被供电设备的最大电流。对于所有小于200mA的电源电流，Dale ILB-1206-300是推荐的选择。文中列出了Murata、Dale、FairRite和TDK等制造商的产品规格。
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铁氧体磁珠建议应用说明
本文推荐使用铁氧体磁珠（或芯片）对ICS产品的3.3V或5.0V电源进行滤波。选择铁氧体磁珠时需考虑的主要参数包括直流电阻、交流阻抗和偏置电流额定值。为了实现良好的隔离，建议使用具有适当直流电阻的磁珠。电阻值取决于允许的电压降和被供电设备的最大电流。对于所有小于200mA的电源电流，Dale ILB-1206-300磁珠是推荐的选择。文中列出了Murata、Dale、FairRite和TDK等制造商的产品规格。
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【产品】单片无机材料构造的铁氧体贴片磁珠SCGB-S ，主要应用于计算机的高频EMI防护
国产品牌硕凯电子（Socay）近期推出的铁氧体贴片磁珠SCGB-S 系列在很宽的频率范围内有有效地过滤能力。其拥有SCGB1005-S 、SCGB1608-S 、SCGB2012-S 、SCGB3216-S 、SCGB3225-S 、SCGB4516-S 、SCGB4532-S 等七种不同型号。适用于模拟和数字电路之间的滤波器、时钟产生电路、I / O互连、打印机、录像机、电视和便携式电话等领域。
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【产品】适合中等电流电路的铁氧体贴片磁珠LI1806系列，额定电流值最大为500mA
Laird推出的LI1806系列铁氧体贴片磁珠（LI1806C151R-10，LI1806E101R-10，LI1806E800R-10）。此系列铁氧体磁珠在100MHz频率下的最大阻抗值为150Ω，额定电流最大为500mA，适用于电感器、噪音滤波器、移动通信、消费电子等领域。
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82V3910 WANPLL–应用程序员接口参考手册
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8V9705x评估板用户指南
本指南介绍了IDT 8V9705x评估板的使用，该板用于评估8V97051、8V97051L、8V97053和8V97053L IDT宽带射频合成器。通过USB连接PC和IDT Timing Commander软件，用户可以配置和编程设备以生成具有最佳性能的频率。指南涵盖了硬件连接、软件配置和默认启动条件。
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文档控制门户用户学习指南
本指南旨在为IDT文档控制门户的用户提供操作指南，涵盖文档控制门户的设置、文档操作、版本控制、工作流程、搜索功能以及管理技巧。指南详细介绍了文档库的结构、文件命名规范、上传和编辑文档的方法，以及如何设置版本控制和工作流程。此外，还包括如何使用搜索功能、管理权限和设置元数据导航等内容。
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89HPES16T4G2和89HPES12T3G2硬件设计指南
本指南提供了IDT 89HPES16T4G2和89HPES12T3G2 PCIe 2.0交换机设备的系统设计指南。内容涵盖PCI Express接口配置、端口配置、链路宽度、极性反转、AC耦合、差分对路由、参考时钟电路、复位方案、SMBus接口、GPIO和JTAG引脚、电源和去耦方案等。指南旨在帮助系统设计者进行硬件设计，确保设备符合PCI Express规范。
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设计提示：IDT PCIe®Gen2交换机中的时钟体系结构
本文介绍了IDT PCIe Gen2交换机的时钟架构。内容包括全球参考时钟输入、端口参考时钟输入、全局时钟锁相环（PLL）的设计，以及时钟信号的调制和频率选择。此外，还讨论了时钟信号的电气规格、散布频谱时钟（SSC）的应用和EMI的降低。
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VersaClock®3S-5P35023评估板用户手册
本资料为VersaClock® 3S - 5P35023评估板用户手册，旨在帮助用户评估IDT公司最新推出的5P35023可编程时序器件。评估板通过USB连接至PC上的IDT Timing Commander软件，可配置和编程以生成不同频率组合。手册详细介绍了评估板的组件、功能、电源选项、默认频率输出、DIP开关配置、I2C端口配置和评估板原理图等内容。
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