Crystal or Differential to Differential Clock Fanout Buffer IDT8T39S10I DATASHEET
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT8T39S10NLGI; IDT8T39S10I; 8T39S10NLGI; 8T39S10NLGI8
加工定制
可定制单色LCD的尺寸：0.5”~15”；亮度：300~1600；视角：3“clock、6“clock、9“clock、12“clock、全视角。
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可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压；数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O，温度补偿范围-20~85ºС；模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信，具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器
May 20, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器
May 20, 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A1711-01
12-May-2018
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| 技术文档 - 英文 |
无线电应用的IDT产品
2019/03/28
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| 数据手册 - 英文 |
Flexible Solutions for Fast Edge Rate and Low Phase Noise Requirements
2019/03/28
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品延期通知#CQ‐17‐02
June 2,2017
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| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器8T39S04A数据表
May 20, 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知单#CQ-17-02（R1）
July 4, 2017
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| 技术文档 - 英文 |
英特尔PSG解决方案的参考时钟（以前叫Altera®）
REV B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）N-16-02
March 7, 2016
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| 技术文档 - 英文 |
NXP QorIQ和Layerscape CPU的时钟
2018/05/15
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| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇形输出缓冲器
December 17, 2015
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| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇形输出缓冲器
May 19, 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
VFQFPN-20产品/工艺变更通知单
21-Mar-2017
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| 技术文档 - 英文 |
NXP QorIQ和Layerscape CPU 6V49205的时钟
2018/02/17
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| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器8T39S08A数据表
May 19, 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A1904-01产品/工艺变更通知（PCN）
September 24, 2019
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| 技术文档 - 英文 |
时钟分配概述
REVC
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| 数据手册 - 英文 |
8T39S08A Crystal or Differential-to-Differential Clock Fanout Buffer
May 19, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器8T39S11A数据表
December 17, 2015
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| 数据手册 - 英文 |
晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器8T39S06A数据表
May 20, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
8T39S04A晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器数据表
July 24, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
8T39S11A Crystal or Differential-to-Differential Clock Fanout Buffer
November 29, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
8T39S11A Crystal or Differential-to-Differential Clock Fanout Buffer
November 29, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
5T907 2.5V单数据速率1:10时钟缓冲区™ 数据表
4/14/15
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| 数据手册 - 英文 |
5T9070 2.5V单数据速率1:10时钟缓冲区™ Jr.数据表
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
8T39204晶体或差分到差分时钟扇出缓冲器数据表
December 16, 2019
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| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4263 AM/AMG 256封装外形17 X 17毫米机身1.00毫米间距PBGA
Rev.01
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| 测试报告 - 英文 |
DMG80材料成分声明
2009-07-02
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| 商品功能框图 - 英文 |
MSC-5806-A CD 6/10载带
Rev.00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT8T49N244I Femtock®NG双通用频率转换器
Rev.A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT82V2041E数据表更改通知
December 9, 2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT82P2282产品介绍更改通知
Version 1.0
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4730-01 420-PBGA热增强封装外形图
Rev 00
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4732-01 10-VFQFPN包装外形图
Rev 01
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技术论坛
气体检测仪项目，需要检测甲烷、丙烷、氢气、液化石油气等易燃气体，有合适的固态化学电阻传感器推荐吗？
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应用/方案
无线电应用的IDT产品
IDT公司提供一系列针对无线电应用的元器件产品，包括RF合成器/PLL/本振、RF转换器PLL、高性能时钟缓冲器、RF产品（混频器、VGA、DSA、VVA、开关）、互连解决方案（RapidIO、PCI Express、信号完整性产品）和IQ数据压缩技术。这些产品旨在提高RF可靠性、数据吞吐量，并实现低功耗的绿色网络。IDT的产品支持从宏站到小站以及工业应用的扩展，并提供低相位噪声、低杂散抖动和多种RF时钟频率支持的频率发生器。
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【经验】如何灵活设计满足快速边沿速率和低相位噪声要求
IDT(Renesas收购）提供了一份针对快速边缘速率和低相位噪声要求的灵活解决方案，解决方案中涉及的产品主要有合成器8T49NS010、8T49N00X、8T49N1012等，抖动衰减器8T49N285、8T49N286、8T49N241等，扇出缓冲器8SLVP、8P34S等。这些产品具有超低相位噪声性能和更快的边沿速率。 因此，它们能够满足通信，数据中心和工业应用中最新FPGA的严格时序要求。
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【产品】时钟扇出缓冲器8T39S04A、8T39S06A，最适于高频、低相位噪声时钟和数据信号的信号扇出
IDT(Renesas收购）推出的8T39S04A和8T39S06A是两款性能相近的高性能时钟扇出缓冲器，均采用3.3V或2.5V内核电源，以及3.3V或2.5V输出工作电源。输入时钟可以从两个差分输入或一个晶体输入中进行选择。所选信号分别分配到4个（8T39S04A）或6个（8T39S06A）差分输出，可配置为LVPECL、LVDS或HCSL输出。最适于高频、低相位噪声时钟和数据信号的信号扇出。
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【产品】晶振或差分输入的时钟扇出缓冲器8T39S08A，拥有两对差分参考时钟输入对
8T39S08A是IDT（Renesas收购）推出的一款高性能时钟扇出缓冲器。输入时钟可以从两个差分输入或一个晶振输入中选择，如果未选择晶振输入，则缓冲器内部振荡器电路将自动禁用。 晶体引脚可以由单端时钟驱动，所选信号分配到八个差分输出可以配置为LVPECL、LVDS和HCSL输出。 在此外，还提供了LVCMO输出，所有输出均可被禁用为高阻抗状态。
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【产品】两对差分参考时钟输入对的时钟扇出缓冲器8T39S11A，晶振输入可接受10MHz至40MHz晶振或单端时钟
8T39S11A是IDT（Renesas收购）推出的一款高性能时钟扇出缓冲器，可用于高频低相位噪声时钟和数据信号的信号扇出。其输入时钟可从两个差分输入或一个晶振输入中选择。如果未选择晶振输入，则缓冲器内部振荡器电路将自动禁用。晶振引脚可以由单端时钟驱动。所选信号分配到十个差分输出，这些输出可以配置为LVPECL、LVDS、HSCL输出和LVCMOS输出。所有输出均可被禁用为高阻抗状态。
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计时产品部-概述
本资料概述了IDT公司Timing Products Division的产品和服务，涵盖无线、有线、数据中心、工业/汽车/消费等市场领域的定时产品。资料重点介绍了IDT的PCIe定时、IEEE 1588、SyncE/IEEE 1588、Versaclock可编程时钟、转换时钟、缓冲器、晶振等产品，以及其在数据中心、工业物联网等领域的应用。此外，资料还展示了IDT在PCIe 3.0和PCIe 4.0领域的领导地位，并提供了时钟矩阵、振荡器、抖动衰减器等产品的详细信息和特性。
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第2页标题，16 pt灵活的解决方案，满足快速边缘速率和低相位噪声要求
IDT提供高性能混合信号半导体解决方案，专注于超低相位噪声和快速边缘速率，满足通信、数据中心和工业应用对FPGA的严格时序要求。产品包括合成器、抖动衰减器和扇出缓冲器，适用于各种高频应用。
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82P2828/2821/2816/2521/2808高密度阻抗补偿刘氏全内阻抗模式应用说明
本资料为IDT应用笔记AN-524，主要讨论了在高密度LIU（线路单元）的完全内部阻抗匹配模式下，如何通过调整参考电阻值来补偿外部引入的额外阻抗，以优化接收/传输回波损耗和脉冲形状。资料详细介绍了不同阻抗匹配方案的影响，以及如何通过选择合适的参考电阻值来调整阻抗匹配，以达到最佳性能。
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IDT的PES12T3G2和PES16T4G2 PCI Express®交换机的热特性
本资料为IDT应用笔记AN-548，主要针对PCI Express开关PES12T3G2和PES16T4G2的热特性进行了详细说明。内容包括热参数定义、热阻计算公式、热性能数据表格、散热器需求分析等，旨在帮助设计者了解和评估这两种开关的热管理需求。
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使用IDT7052/7054四端口™ sram在DSP和矩阵处理中的应用
本文介绍了IDT7052/7054 FourPort™ SRAM在数字信号处理（DSP）和矩阵运算中的应用。通过使用IDT7052，可以简化高速流水线FFT处理器的设计，并提高矩阵乘法引擎的性能。文章详细阐述了如何利用IDT7052实现FFT算法和矩阵乘法，并比较了使用传统SRAM和IDT7052的优缺点。
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零总线掉头（ZBT）SRAMS与延迟写SRAMS的应用比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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