A COMPARISON OF ZERO BUS TURN-AROUND (ZBT) SRAMS AND LATE WRITE SRAMS AN-204
发布时间：
2018-08-01
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT71V432; IDT71V537
该应用笔记详细阐述了Zero Bus Turn-around (ZBT) SRAM与Late Write SRAM之间的性能差异。资料深入分析了ZBT SRAM通过消除数据总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，并具体介绍了其流水线和直通两种版本的技术特点。相比之下，Late Write SRAM（包括锁存和寄存器两种类型）由于存在数据总线空闲周期，且在时钟边沿和时序上存在差异，导致整体性能不及ZBT SRAM。该技术对比为高性能存储系统的选型提供了重要参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）G-0303-01 4/10/2003 14x20 TQFP 100L封装类型（受影响零件见附件）
REV. 00
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0603-04 TQFP和PQFP产品（见随附的受影响零件清单）
REV. 00
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0610-01R1产品/工艺变更通知单（PCN）
March 2, 2007
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-01R2
REV. 00
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A-0610-01产品/工艺变更通知单（PCN）
October 9, 2006
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-03所有产品在托盘中装运
REV. 00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4263 AM/AMG 256封装外形17 X 17毫米机身1.00毫米间距PBGA
Rev.01
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
DMG80材料成分声明
2009-07-02
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
MSC-5806-A CD 6/10载带
Rev.00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT8T49N244I Femtock®NG双通用频率转换器
Rev.A
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT82V2041E数据表更改通知
December 9, 2005
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT82P2282产品介绍更改通知
Version 1.0
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4730-01 420-PBGA热增强封装外形图
Rev 00
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4732-01 10-VFQFPN包装外形图
Rev 01
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
1PSC-4748-02 14-LGA包装外形图
Rev 00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ZSSC3131成本优化开关应用传感器信号调节器数据表
January 25, 2016
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
F1978 6位75Ω数字步进衰减器5MHz至3GHz产品介绍
Rev O
|
下载 |
技术论坛
气体检测仪项目，需要检测甲烷、丙烷、氢气、液化石油气等易燃气体，有合适的固态化学电阻传感器推荐吗？
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
零总线掉头（ZBT）sram与迟写sram AN-204的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了读写操作的高效性，分为流水线和直通两种版本。晚写SRAM分为锁存和寄存器两种，存在读写操作效率不高的问题。ZBT SRAM在数据总线利用率、读写操作效率和时钟边沿一致性方面具有优势。
阅读原文 >>
IDT71V355771V3557S零总线掉头（ZBT）SRAM和延迟写入SRAM应用说明的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿和总线利用率，并指出ZBT SRAM在性能上优于晚写SRAM。
阅读原文 >>
IDT71V3558零总线掉头（ZBT）SRAMS和延迟写入SRAMS应用说明的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿和总线利用率，并指出ZBT SRAM在性能上优于晚写SRAM。
阅读原文 >>
IDT71V3556零总线掉头（ZBT）SRAMS和延迟写入SRAMS应用说明的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿和总线利用率，并指出ZBT SRAM在性能上优于晚写SRAM。
阅读原文 >>
IDT71V2556零总线掉头（ZBT）SRAMS和延迟写入SRAMS应用说明的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿和总线利用率，并指出ZBT SRAM在性能上优于晚写SRAM。
阅读原文 >>
IDT71V546零总线掉头（ZBT）SRAMS和延迟写入SRAMS应用说明的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿和总线利用率，并指出ZBT SRAM在性能上优于晚写SRAM。
阅读原文 >>
零总线掉头（ZBT）SRAMS与延迟写SRAMS的应用比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
阅读原文 >>
AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
阅读原文 >>
AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
阅读原文 >>
AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
阅读原文 >>
AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
阅读原文 >>
IDT71V3559零总线掉头（ZBT）SRAMS和延迟写入SRAMS应用说明的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿和总线利用率，并指出ZBT SRAM在性能上优于晚写SRAM。
阅读原文 >>
IDT71V547零总线掉头（ZBT）SRAMS和延迟写入SRAMS应用说明的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿和总线利用率，并指出ZBT SRAM在性能上优于晚写SRAM。
阅读原文 >>
零总线掉头（ZBT）sram与迟写sram应用说明的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
阅读原文 >>
零总线掉头（ZBT）sram与延迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
阅读原文 >>
零回退（ZBT）sram与迟写sram AN-204的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了读写操作的100%总线利用率。文章详细比较了ZBT SRAM的两种版本（流通过程和流水线）与摩托罗拉晚写SRAM（锁存和寄存器类型）的性能特点，指出了晚写SRAM在读写操作中存在的效率问题。
阅读原文 >>
零总线掉头（ZBT）sram与迟写sram AN-204的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了读写操作的100%总线利用率。与ZBT相比，晚写SRAM在读写操作之间存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细分析了两种SRAM的读写时序和性能特点，并指出晚写SRAM在实际应用中存在的一些问题。
阅读原文 >>
零总线掉头（ZBT）sram与迟写sram AN-204的比较
本文比较了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期提高了总线效率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期。文章详细对比了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和总线利用率，指出ZBT SRAM在数据总线利用率方面具有优势。
阅读原文 >>
零总线掉头（ZBT）sram与迟写sram AN-204的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了读写操作的100%总线利用率。与ZBT相比，晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细分析了两种SRAM的读写时序和性能特点，并指出晚写SRAM在实际应用中存在的一些问题。
阅读原文 >>
零总线掉头（ZBT）sram与迟写sram AN-204的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了读写操作的100%总线利用率。与ZBT相比，晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细分析了两种SRAM的读写时序和性能特点，并指出晚写SRAM在实际应用中存在的一些问题。
阅读原文 >>
针对高ENF RISC和电信市场的延迟写入架构快速SRAM
这份资料主要涉及Freescale Semiconductor, Inc.的产品信息，包括产品规格、技术参数、应用领域等。资料中详细描述了产品的性能特点、技术优势以及适用场景，并提供了联系方式和购买渠道。此外，资料还包含了一些技术术语和图表，用于辅助说明产品的技术细节。
阅读原文 >>
82P2828/2821/2816/2521/2808高密度阻抗补偿刘氏全内阻抗模式应用说明
本资料为IDT应用笔记AN-524，主要讨论了在高密度LIU（线路单元）的完全内部阻抗匹配模式下，如何通过调整参考电阻值来补偿外部引入的额外阻抗，以优化接收/传输回波损耗和脉冲形状。资料详细介绍了不同阻抗匹配方案的影响，以及如何通过选择合适的参考电阻值来调整阻抗匹配，以达到最佳性能。
阅读原文 >>
IDT的PES12T3G2和PES16T4G2 PCI Express®交换机的热特性
本资料为IDT应用笔记AN-548，主要针对PCI Express开关PES12T3G2和PES16T4G2的热特性进行了详细说明。内容包括热参数定义、热阻计算公式、热性能数据表格、散热器需求分析等，旨在帮助设计者了解和评估这两种开关的热管理需求。
阅读原文 >>
使用IDT7052/7054四端口™ sram在DSP和矩阵处理中的应用
本文介绍了IDT7052/7054 FourPort™ SRAM在数字信号处理（DSP）和矩阵运算中的应用。通过使用IDT7052，可以简化高速流水线FFT处理器的设计，并提高矩阵乘法引擎的性能。文章详细阐述了如何利用IDT7052实现FFT算法和矩阵乘法，并比较了使用传统SRAM和IDT7052的优缺点。
阅读原文 >>
ZSC31150评估套件说明手册
本资料详细介绍了IDT的ZSC31150传感器信号调理IC的评估套件，包括硬件和软件的安装、配置和使用。套件包含通信板、评估板和校准软件，用于传感器模块评估、实验室设置和模块校准开发。软件支持多种配置和操作模式，包括接口选择、ZSC31150配置、模拟前端调整、温度传感器选择、ADC设置和应用设置等。此外，还提供了数据读取、校准演示和命令发送等功能。
阅读原文 >>
SyncFIFOs（时钟FIFOS）应用说明的宽度扩展
本文介绍了IDT公司SyncFIFOs（时钟FIFOs）的宽度扩展设计。主要内容包括：SyncFIFOs的优势、宽度扩展的设计考虑、偏斜时序问题及解决方案、其他相关标志的处理等。文章详细讨论了如何通过合理设计来确保数据传输的准确性和效率。
阅读原文 >>
RC32332局域网（LAN）交换机应用简介
本文介绍了局域网交换机在计算机网络中的重要性，特别是在网络速度和带宽增加的背景下。文章讨论了网络管理员面临的挑战，如用户效率统计、服务质量（QoS）和网络流量管理。针对这些挑战，文章介绍了IDT的RC32332通信处理器和BCM95615S局域网交换机参考设计，这些设计旨在提供低成本、易于管理的网络解决方案，以优化网络资源的使用并支持高带宽、低延迟的应用。文章还强调了轻量级管理交换机在桌面本地网络中的应用，以及它们如何与高性能交换机 fabrics和软件平台相结合，以实现更智能的网络管理。
阅读原文 >>
RC32351客户场所设备（CPE）集成通信处理器应用简介
本文介绍了IDT公司针对家庭用户设备（CPE）的集成通信处理器解决方案。该方案旨在满足服务提供商降低系统成本的需求，同时支持多种I/O接口，包括有线和无线。文章详细介绍了IDT的RC32351/RC32355集成通信处理器，其特点包括高性能、低功耗、小尺寸和高可配置性。此外，文章还介绍了IDT提供的参考设计平台和软件解决方案，以加速CPE市场的产品开发。
阅读原文 >>
IDT的RC32355集成通信处理器解决方案
IDT的RC32355集成通信处理器是一款针对客户设备（CPE）的完整解决方案。该处理器结合了IDT的32位RISCore™ 32300 CPU核心、IPBus系统级集成设计方法以及一系列通用和通信专用外围设备。它支持多种通信接口，包括以太网、ATM、USB和TDM，适用于从简单DSL调制解调器到高端住宅网关等多种CPE设备。IDT还提供了基于RC32355的硬件参考设计和软件解决方案，以加快系统开发周期并缩短产品上市时间。
阅读原文 >>
与IDT FIFOs应用程序匹配的总线说明
本文档为IDT应用笔记AN-265，主要介绍了SuperSync II系列FIFO的Bus Matching功能。该功能旨在消除外部MUX，适用于无奇偶校验数据传递到FIFO的应用。文档详细阐述了如何将外部字节导向总线映射到9位导向的FIFO，包括32位输入到8位输出、32位输入到16位输出、32位输入到32位输出等不同配置下的映射方法。此外，还讨论了读写操作、状态标志、奇偶校验模式以及偏移寄存器编程等关键问题。
阅读原文 >>
