P9027LP-R Mass Market EV Schematics V1P9
发布时间：
2018-08-01
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
P9027LP-R
本电路图详细介绍了P9027LP-R面向大众市场电动汽车（EV）的设计方案，版本为V1P9。资料内容涵盖了完整的电路原理图、规格说明、标题块、修订记录及版权信息，并特别指明了电路中C5和C8为零欧姆电阻的设计细节。该文档由Integrated Device Technology, Inc.（IDT）提供，属于机密技术资料，未经授权不得使用或泄露，旨在为相关硬件开发提供精确的参考依据。针对文中所述器件，Integrated Device Technology, Inc.（IDT）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
P9027LP-R Wireless Power Receiver for ≤3W Applications
2018/02/16
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知#CQ‐18‐04
August 10,2018
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| 数据手册 - 英文 |
P9027LP-R无线功率接收器，用于≤3W应用
2018/05/12
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）
26-Mar-2015
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| 技术文档 - 英文 |
IDT消费品优势无线电源实时互联射频产品
REVB
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| 数据手册 - 英文 |
适用于≤3W应用的P9235A-R无线功率变送器
REVA1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知单#CQ-19-02
March 29, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
适用于≤3W应用的无线电源接收器P9027LP-R数据表
April 28, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
≤3W无线电源接收器和发射器参考套件WP3W-RK参考套件手册
May 16, 2016
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| 技术文档 - 英文 |
P9235 A-R低功率大众市场示意图V1P9 IDTP9235A-R LP MM EV V1P9
Rev1_0
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| 数据手册 - 英文 |
IDTF1358
Rev O
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| 数据手册 - 英文 |
ZLED7x20 High Current 40V LED Driver with Internal Switch
April 20, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V2546S/XS 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
04/11/11
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| 数据手册 - 英文 |
XFP236156.250000I 156.250000MHz晶体振荡器数据表附录
December 6, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
HXR5112A 12通道14Gb/s接收机简表
February 22, 2018
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IDT72401 IDT72403 CMOS PARALLEL FIFO 64 x 4
JUNE 2012
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| 数据手册 - 英文 |
9DMU0431 2:4 1.5V PCIe Gen1-2-3时钟多路复用器产品介绍
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V8981 3.3 VOLT TIME SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH 128 x 128
AUGUST 2003
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| 数据手册 - 英文 |
ProXO XF Family Evaluation Board User Manual
March 12, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
9DBV0431 4-输出1.8V PCIe Gen1-2-3零延迟/扇出缓冲器（ZDB/FOB）数据表
REVISION E
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| 数据手册 - 英文 |
9ZX21200用于PCIE GE N3和QPI的12输出差分Z缓冲区产品介绍
REV D
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V295 IDT72V2105 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO™ 131,072x18 262,144x18
MARCH 2018
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| 数据手册 - 英文 |
9DBU0531 5输出1.5V PCIe Gen1-2-3扇出缓冲区数据表
Rev.F
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| 数据手册 - 英文 |
ICS843021I Femtock®Crystal-to-3.3V LVPECLOCK发生器数据表
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V201, IDT72V211 256 x 9, 512 x 9, IDT72V221, IDT72V231 1,024 x 9, 2,048 x 9, IDT72V241, IDT72V251 4,096 x 9 and 8,192 x 9 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO™
MARCH 2018
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| 数据手册 - 英文 |
843003I-01 FemtoClock®Crystal-to-3.3V LVPECL频率合成器数据表
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
MK74CB218 DUAL 1 TO 8 BUFFALO™ CLOCK DRIVER
REV K
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
BR784H1，PSC-4349-01 784，FCBGA封装外形图
Rev 00
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| 数据手册 - 英文 |
ICS854S54I双2:1和1:2差分到LVDS多路复用器数据表
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
IDTQS3390 QUICKSWITCH® PRODUCTS HIGH-SPEED CMOS QUICKSWITCH 16:8 MULTIPLEXER
OCTOBER 2014
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| 数据手册 - 英文 |
ICS613 LOW PHASE NOISE CLOCK MULTIPLIER
REV F
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| 数据手册 - 英文 |
5P49V5944可编程时钟发生器数据表
JULY 10,2019
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| 数据手册 - 英文 |
7052S/L HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort™ STATIC RAM
JULY 2019
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT38074 3.3V CMOS 1-TO-4 CLOCK DRIVER
MAY 2010
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
P9027LP-R-EVK布局指南应用说明AN-933
本文档为P9027LP-R-EVK参考板布局指南，旨在为高性能、小型化、易用性设计提供优化方案。指南详细介绍了核心布局和测试布局的设计规则，包括设计规则、元件放置、布线建议等。文档还提供了使用Cadence PCB设计软件导入布局模块的步骤，以及制造和热管理方面的注意事项。此外，还讨论了LC谐振电路、整流电容、输出电容等关键组件的布局建议，以及如何减少可听噪声。
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适用于≤3W应用的无线电源参考解决方案
该资料介绍了一款无线充电参考解决方案，适用于≤3W的应用。该方案包含发射器（P9235A-R-EVK）和接收器（P9027LP-R-EVK），提供三种不同线圈尺寸，支持多种应用和形态。方案具有高达80%的系统效率，并提供了完整的开发包，便于快速原型设计。
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P9225-R评估套件用户手册
本资料为P9225-R无线电源接收器评估套件用户手册，介绍了P9225-R 5W无线电源接收器的功能、特性和性能。套件包含P9225-R MM EV板，将线圈中的AC电压转换为可编程的DC电压，用于负载。P9225-R集成保护功能，可防止过流、过压和过温等故障事件损坏。此外，它还集成了I2C通信接口，并为外部应用处理器提供中断引脚。P9225-R可自动检测发射器并确定是否在启动时使用WPC或PMA协议。在WPC协议下，P9225-R可编程为检测异物。
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P9225-R评估套件用户手册
该资料为P9225-R无线电力接收器评估套件用户手册，介绍了P9225-R 5W无线电力接收器的功能、特性和性能。套件包含P9225-R MM EV板，可以将线圈中的AC电压转换为负载使用的可编程DC电压。P9225-R具有过流、过压和过温保护，并集成了I2C通信接口和中断引脚，可由外部应用处理器读取内部寄存器和中断引脚以确定P9225-R的状态。套件支持高达5W的基线功率配置文件（BPP）功率传输，整体效率高达82%。
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【经验】EV传感器的采购和汽车供应链的7大阻碍指南
电动汽车作为大众越来越受欢迎的替代交通工具，正在推动汽车电气化时代的转换，采购关键部件的差距和延迟严重阻碍了生产，由此电动汽车制造商，期间也不得不做出艰难的决定和牺牲来满足市场需求。现实情况是，汽车供应链将反映波及到其他供应链，在一段时间内保持收缩。
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Began 2kW PCU Mass Production for Two-wheel EV at Shindengen India in May 2023
Shindengen is developing PCU to control drive motors for electric two-wheel vehicles（Two-wheel EVs）, which is predicted to be a continually growing market going forward.
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The Emerging Substrate Market Grew At A Compound Annual Growth Rate Of 27%
Due to the need to improve performance and cost constraints, new materials, platforms, and designs are constantly being researched in the semiconductor industry. Over the past decade, some compound semiconductors have successfully competed with silicon and entered the mass market.
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Tsi350™ PCI到PCI桥用户手册
本资料为Tsi350™ PCI-to-PCI Bridge用户手册，主要内容包括Tsi350的功能概述、PCI接口、地址解码、事务排序、错误处理、独占访问、PCI总线仲裁、通用I/O、时钟、PCI电源管理、复位、JTAG模块、信号和引脚分配、电气特性、寄存器以及封装信息。手册详细介绍了Tsi350的架构、数据路径、事务类型、地址解码、事务排序、错误处理机制、独占访问控制、PCI总线仲裁过程、通用I/O功能、时钟管理、电源管理、复位机制、JTAG调试接口、信号定义、电气参数、寄存器配置和封装规格。
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82P33731/33831评估板用户指南
本资料介绍了82P33731/33831评估板的用户指南，包括板的概述、组件、电源设置、输入输出连接器、软件配置和使用方法。资料详细描述了如何通过Timing Commander软件配置和编程板以生成标准频率，以及如何连接板到PC和电源。此外，还提供了板上晶振的安装、默认频率输出、与TimingCommand软件的配置步骤以及如何查看状态信息。
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Cree成为大众汽车集团FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴，将助力加速EV电动汽车市场转型
2019年5月14日，作为SiC碳化硅半导体的全球引领者，成为大众汽车集团（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Tracks, 未来汽车供应链）项目SiC碳化硅独家合作伙伴。FAST的目标旨在推进共同合作，比以往更为快速地实施技术创新，并且更有效率地、更有效果地实现全球汽车项目。
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9ZXL1951D PCIe时钟发生器评估板用户指南
本资料为9ZXL1951D PCIe时钟发生器评估板用户指南，详细介绍了评估板的设置和连接方式，以及配套GUI软件的安装和使用。评估板通过SMBus接口可编程，具有USB到SMBus接口。指南中包含了评估板的概述、引脚功能、电源供应、连接方式、GUI软件安装和操作步骤等内容。
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8A3xxxx 48QFN EVK用户手册
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IDT®89HPES64H16G2 PCI Express®交换机用户手册
本手册详细介绍了IDT公司生产的89HPES64H16G2 PCI Express Switch的硬件和软件信息。该产品属于IDT的PRECISE系列，提供下一代I/O互连标准。手册内容涵盖设备概述、架构概述、交换核心、时钟、复位和初始化、交换分区、链路操作、SerDes、操作理论、热插拔和热插拔功能、电源管理、通用I/O、SMBus接口、多播、寄存器组织、PCI到PCI桥和专有端口特定寄存器、交换控制和管理状态寄存器、JTAG边界扫描等。
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ZSSC3018 QFN24包装规格技术简介
本资料详细介绍了ZSSC3018传感器信号调节器IC的QFN24封装规格。内容包括封装尺寸、引脚分配和布局、焊盘和着陆图案、热阻值、封装标记和板级连接。资料还提供了相关文档、术语表和文档修订历史。
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汽车应用的布局和电磁干扰建议应用说明
本文档为IDT公司发布的《汽车应用中的布局和EMI推荐》应用笔记，主要针对IDT时钟发生器的布局推荐，旨在降低电磁干扰（EMI）。文档详细讨论了汽车应用中EMI的来源、传播途径以及降低EMI的方法，包括时钟和数据路径的布局设计、电源供应的滤波和去耦等。此外，还介绍了IDT时钟器件的降低EMI特性，如频谱调制、可编程边沿速率等。
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ZBT公司sram：系统设计问题和总线计时应用说明
本文探讨了Zero Bus Turnaround (ZBT) SRAM的系统设计问题和总线时序。ZBT架构允许设计师在数据总线周期中实现100%的利用率，但同时也带来了总线争用的问题。文章详细解释了总线争用的概念、相关影响以及如何通过时钟偏斜、电感和电容等因素来减少总线争用的影响。此外，还讨论了数据手册规格、系统效应以及总线争用对系统可靠性的影响。
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