ESTIMATING POWER DISSIPATION IN CMOS DEVICES APPLICATION NOTE AN-154
发布时间：
2018-08-01
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
805/6; 805T/6T; 807T; 810T; 3805; 3807; 88915TT; 388915T; 3932; FCTxxx; FCTxxxT; FCT2xxxT; FCT3xxx; FCT16xxxT; FCT162xxxT; FCT166xxxT; FCT163xxx; FCT805/6; FCT805T/6T; FCT810T; FCT807T; FCT3805; FCT3807; FCT88915TT; FCT388915; FCT3932; FCT388915T
本应用笔记详细阐述了IDT公司关于CMOS器件功耗估算的技术方法，旨在帮助工程师准确计算CMOS逻辑器件在系统中的实际功耗。文档内容涵盖了热极限分析、基于数据表规格的总功耗估算以及负载功耗计算等关键环节。通过提供等效功耗模型和具体的计算方程，该资料为用户使用FCT/FCTT逻辑和时钟缓冲器进行功耗评估提供了理论依据和实操指导，有助于优化系统热设计并确保器件在安全范围内工作。基于该方案，IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
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基于3.3V低偏斜锁相环的CMOS时钟驱动器（带3态）
Rev A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）L-0503-04
3/28/2005
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| 数据手册 - 英文 |
3.3V LOW SKEW PLL-BASED CMOS CLOCK DRIVER (WITH 3-STATE) IDT74FCT388915T 70/100/133/150
MARCH 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
3/28/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
May 29, 2003
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产品/工艺变更通知单
8/16/2004
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IDT709169/59L HIGH-SPEED 16/8K x 9SYNCHRONOUS PIPELINEDDUAL-PORT STATIC RAM
JANUARY 2009
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
74FCT88915TTAJG产品停用通知（PDN）
25-Sep-2012
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709169/59L HIGH-SPEED 16/8K x 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
APRIL 2019
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产品停产通知（PDN）N-16-02
March 7, 2016
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IDT74FCT810BT/CT快速CMOS缓冲/时钟驱动器数据表
MAY 2010
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N-10-01 QA产品停用通知（PDN）
2/23/2010
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IDT709189/79L高速64/32K x 9同步流水线双端口静态RAM数据表
01/29/09
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IDT74FCT139T产品/工艺变更通知（PCN）
11/28/2007
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MK3807-01缓冲器/时钟驱动器数据表
REV G
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产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：L0203-09R2
8/16/2004
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FAST CMOS1-TO-10 CLOCK DRIVER IDT74FCT807BT/CT
MAY 2010
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：L0203-09R1
May 29, 2003
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IDT74FCT3573/A 3.3V CMOS八进制透明锁存器数据表
OCTOBER 2009
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产品/工艺变更通知（PCN）A0701-03R1
REV. 00
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2.5V CMOS双1至5时钟驱动器
FEBRUARY 2014
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产品/工艺变更通知（PCN）A1309-03
10/22/13
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IDT72V70810 3.3 VOLT Time SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH 1,024 x 1,024
REVISION A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054产品/工艺变更通知（PCN）
12/5/2003
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IDT49FCT20805 2.5V CMOS DUAL1-TO-5 CLOCK DRIVER
FEBRUARY 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0508-02
09/05/05
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IDT74FCT2374AT/CT快速CMOS八进制寄存器（3态）数据表
SEPTEMBER 2009
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产品/工艺变更通知（PCN）集成设备技术公司，地址：2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054
12/5/2003
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快速CMOS 1到10时钟驱动器
MAY 2010
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产品/工艺变更通知单（PCN）A-0309-04
REV. 00
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IDT74FCT38074 3.3V CMOS 1-TO-4 CLOCK DRIVER
MAY 2010
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世强AI
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应用/方案
CMOS器件功耗估算应用注AN-154
本文档为IDT公司发布的应用笔记AN-154，主要介绍了如何估算CMOS器件的功耗。内容涵盖了热限制、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。通过提供公式和实例，帮助工程师确定设计是否超出功耗限制，并确保器件可靠性。文档还给出了IDT时钟驱动器的频率限制表格，以供参考。
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CMOS器件功耗估算应用说明
本文档为IDT公司发布的《估算CMOS器件功耗》应用笔记，旨在帮助工程师估算CMOS逻辑器件在系统中的功耗。内容涵盖了功耗估算方法、热限制、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。文章提供了计算公式和实例，以帮助工程师确保设计不会超过热限制，并计算整体系统功耗。
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CMOS器件功耗估算应用说明
本文档为IDT公司发布的《估算CMOS器件功耗》应用笔记（AN-154），主要介绍了如何估算CMOS逻辑器件在系统中的功耗。内容涵盖热极限、基于数据表规格估算总功耗、负载功耗等方面。通过提供等效功耗模型和方程，帮助工程师使用FCT/FCTT逻辑和时钟缓冲器进行功耗估算。
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CMOS器件功耗的估算
本文档为应用笔记，主要介绍了如何估算CMOS器件在系统中的功耗。内容涵盖了热限制、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。文章提供了计算公式和实例，帮助工程师评估设计中的功耗问题，确保设备在规定的热限制内运行。
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CMOS器件AN-154功耗估算应用说明
本文档为应用笔记，主要介绍了如何估算CMOS器件在系统中的功耗。内容涵盖热限、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。文章提供了计算公式和实例，帮助工程师确定设计是否超出功耗限制。
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锁相环时钟发生器
本文介绍了锁相环（PLL）在模拟系统设计和通信系统中的应用，重点讲解了PLL的工作原理、关键组件及其在时钟分布中的应用。文章详细阐述了PLL的四个主要组件：相位/频率检测器、电荷泵、环路滤波器和电压控制振荡器。此外，还讨论了PLL的锁定过程、延迟补偿、频率倍增、抖动以及PLL的稳定性分析。文章最后总结了PLL在时钟生成中的应用，并提供了IDT公司相关PLL产品的信息。
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FCT-T八进制逻辑特性及应用说明
本文档为IDT FCT Octal Logic的特性与应用指南，主要内容包括FCT Octal Logic的家族分类、设计方法、直流电气特性、输入输出特性、功耗等。文档详细介绍了FCT Octal Logic的多种配置，包括高驱动、平衡驱动和CMOS驱动，以及它们在不同应用中的优缺点。此外，文档还提供了FCT逻辑的AC电气特性、功耗、漏电流等详细信息，为设计师提供了全面的技术参考。
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FCT-T八进制逻辑特性及应用说明
本文档为IDT FCT Octal Logic的特性与应用指南，主要内容包括FCT Octal Logic的家族分类、设计方法、直流电气特性、输入输出特性、功耗等。文档详细介绍了FCT Octal Logic的多种配置，包括高驱动、平衡驱动和CMOS驱动，以及它们在不同应用中的优缺点。此外，文档还提供了FCT逻辑的AC电气特性、功耗、漏电流等详细信息，为设计师提供了全面的技术参考。
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台舟电子TP74LVC1G/2G系列逻辑芯片：高性能＋低功耗，助力现代电子系统高效稳定运行
台舟电子TP74LVC1G系列与TP74LVC2G系列属于高性能、低电压CMOS逻辑器件，工作电压覆盖1.65V至5.5V，适配从传统5V系统到现代低至1.8V的低压系统。系列产品具备极低的静态功耗、强大的输出驱动能力、优异的噪声抑制性能以及超越行业标准的ESD防护等级，适用于对空间、功耗和可靠性有严苛要求的广泛应用场景。
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华冠半导体 HG74HC245 逻辑芯片：74 系列 CMOS 总线收发器的环境适应性与长期稳定性研究
华冠半导体HG74HC245是一款高速CMOS八位双向总线收发器，兼容LSTTL电平，具备三态输出与高抗静电能力，工作温度-40～85℃，适用于计算机、工业控制、通信设备及汽车电子中的总线缓冲与电平转换场景。
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【技术】浅析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路
在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通(即“截止”或“关断”)，所以称为“互补型CMOS管”。本文解析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路。
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3.3伏特逻辑特性和应用应用注释AN-124
本文档为IDT公司发布的关于3.3伏逻辑特性与应用的应用笔记。内容涵盖3.3伏逻辑电路的特点、应用领域、电气特性、AC性能、功耗、可靠性、噪声考虑以及3.3伏与5伏逻辑的接口问题。文档详细介绍了IDT 3.3伏逻辑组件的输入、输出结构，以及与5伏逻辑的兼容性，并提供了相关的设计指南。
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3.3伏特逻辑特性和应用应用注释AN-124
本文介绍了3.3伏逻辑电路的特性及其应用。文章首先阐述了3.3伏逻辑标准在降低功耗、提高系统性能和密度方面的优势，并分析了其在便携式设备、军事系统和绿色环保系统等领域的应用。接着，详细介绍了IDT公司3.3伏逻辑组件的特点，包括电源条件、输入和输出结构、电气特性、AC性能、功耗、可靠性和噪声考虑等方面。此外，还讨论了3.3伏和5伏系统之间的接口问题，并提供了相应的解决方案。
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FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
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热插拔多电源系统设计应用说明
本文档为应用笔记，主要讨论了热插拔和多电源系统设计中的接口设计问题。内容涵盖了热插拔和多电源系统应用中的常见问题，如对未供电或部分供电设备的接口引脚施加电压，以及正确排序对未供电组件的供电连接。文章提供了组件选择和设计技术建议，以实现成功的接口设计。
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热插拔多电源系统设计应用说明
本文档为应用笔记，主要讨论了热插拔和多电源系统设计中的接口设计问题。内容涵盖了热插拔和多电源系统应用中的常见问题，如对未供电或部分供电设备的接口引脚施加电压，以及正确排序对未供电组件的供电连接。文章提供了组件选择和设计技术建议，以实现成功的接口设计。
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3.3电压逻辑特性和应用说明
本文详细介绍了3.3伏逻辑电路的特性及其应用。文章首先阐述了3.3伏逻辑电路在降低功耗、提高系统性能和密度方面的优势，并分析了其在便携式设备、空间和军事系统等领域的应用。随后，文章重点介绍了IDT公司3.3伏逻辑电路的特点，包括电源条件、输入输出特性、AC性能、功耗、可靠性和噪声考虑等方面。此外，文章还讨论了3.3伏与5伏逻辑电路的接口问题，并提供了相应的解决方案。
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【产品】可实现标准门功能和插槽替换的低压CMOS缓冲门器件HT4125，工作电压范围1.8~5.5V
禾润推出的HT4125是一款低压CMOS缓冲门器件，可运行在针对便携式和电池设备的更宽电压范围内。其采用了较低阀值电路来设计此输入，以便匹配Vcc=3.3V时的1.8V输入逻辑，并且可被用在1.8V至3.3V电平上行转换器功能中。
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热插拔和多电源系统设计应用说明AN-158
本文档为应用笔记，主要讨论了热插拔和多电源系统设计中的接口设计问题。内容涵盖了热插拔和多电源系统应用中的常见问题，如对未供电或部分供电设备的接口引脚施加电压，以及正确排序对未供电组件的供电连接。文中提供了组件选择和设计技术建议，以实现成功的接口设计。
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