APT5010JVR 500V 44A 0.100Ω
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
APT
型号：
APT5010JVR
本数据手册详细介绍了APT5010JVR型Power MOS V®功率MOSFET的技术规格与性能参数。该器件是一款500V Drain-Source电压、44A Continuous Drain电流及0.100Ω On-Resistance的高性能功率MOSFET，具备快速开关速度、低漏电流以及经过100% Avalanche测试的可靠性优势，并采用SOT-227封装，适用于各种高电压应用场景。针对文中所述器件，Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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APT5024BVR APT5024SVR 500V 22A 0.240Ω功率MOS V®
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APT5024BVFR APT5024SVFR 500V 22A 0.240Ω
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APT5017BVFR APT5017SVFR 500V 30A 0.170Ω
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APT5024BLL（G）APT5024SLL（G）500V 22A 0.240Ω
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APT5016BFLL APT5016SFLL 500V 30A 0.160Ω
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APT50M75B2FLL APT50M75LFLL 500V 57A 0.075Ω
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APT5010B2LL（G）APT5010LLL（G）500V 46A0.100Ω
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APT5014BFLL APT5014SFLL 500V 35A 0.140Ω
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APT5016BLL APT5016SLL 500V 30A 0.160Ω
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APT5018BFLL APT5018SFLL 500V 27A 0.180Ω
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APT50M75JLL 500V 51A 0.075Ω
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APT5018BLL（G）APT5018SLL（G）500V 27A 0.180Ω
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APT5015BVFR APT5015SVFR 500V 32A 0.150Ω
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APT50M75B2LL（G）APT50M75LLL（G）500V57A0.075Ω
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APT50M75JFLL 500V 51A 0.075Ω
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APT50M38JLL 500V 88A 0.038Ω
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APT50M50JFLL 500V 71A 0.050Ω
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APT50M50JVFR 500V 77A 0.050Ω
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APT5028BVR 500V 20A 0.280Ω
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APT50M50L2LL 500V 89A 0.050Ω
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APT50GP60J 1200V
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APT50M50JLL 500V 71A 0.050Ω
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APT50M50JVR 500V 77A 0.050Ω
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APT5010JVFR 500V 44A 0.100Ω
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APT5017SVR 500V 30A 0.170Ω
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APT5017BVR 500V 30A 0.170Ω
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APT5010LVR 500V 47A 0.100Ω
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APT5010LVFR 500V 47A 0.100Ω
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APT5014LVR 500V 37A 0.140Ω
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APT5020SVFR 500V 26A 0.200Ω
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APT5020BVFR 500V 26A 0.200Ω
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APT5020BVR 500V 26A 0.200Ω
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APT5015BVR 500V 32A 0.150Ω
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APT30M70BVFR（G）300V 48A 0.070Ω功率MOS V®
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技术论坛
地平线X3 Module开发板接入遥控手柄无法使用，没有生成/dev/input/js0设备节点, 请问是什么原因？
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看见平台有一份苏州国芯科技有限公司的关于DDR3的介绍，这是国产的DDR3芯片吗，是否有相关型号及数据手册提供。
手册网址：https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=1570222
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项目：电力智能控制模块
需求：需要工业级MicroSD卡，确保-40~85℃正常工作，数据不丢失。4GB或8GB。请帮忙推荐货期、质量都比较好的型号。
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3000/1的互感器，有什么推荐的型号和品牌吗？之前接触过APT的
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应用/方案
【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，采用高密度单元模块设计，提供超低漏源导通电阻
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)特性并具有低栅极电荷特征，器件适用于各种应用领域，诸如电源开关应用，硬件开关和高频电路以及不间断电源(UPS)等。
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【产品】低栅电荷的N沟道增强型功率MOSFET FIR10N60FG，静态漏源导通电阻典型值0.68Ω
FIR10N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-Cell™结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。
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【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
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【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS，采用平面条形VDMOS技术
SFF5N50TS/SFD5N50TS是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装，适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
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【产品】采用先进的沟槽工艺技术的双N沟道增强型功率MOSFET 4502，具有优异的漏源导通电阻
诚芯微推出的型号为4502的双N沟道增强型功率MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
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【应用】N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q可用于电源板，脉冲漏极电流极限值高达54A
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q具有宽工作温度范围，宽电压特性，高脉冲漏极电流，以及低漏源导通电阻，可以提高电源板的可靠性，降低电源板的功耗，降低电源板的尺寸以及成本。
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【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW120R45VT，基于SAMWIN技术生产，导通电阻低
SW120R45VT是芯派科技推出的一款采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件基于先进的SAMWIN技术生产，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装，漏源击穿电压40V
威兆半导体推出N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装。在TA=25℃，漏源击穿电压为40V，具有切换快，效率高的特性。符合无卤素和RoHS标准。
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APT32F103x 系列 103x 系列通用型 32 位 RISCV 微处理控制器使用手册
本手册针对APT32F103x系列32位RISC-V微处理器，提供了详细的内核、存储和外设信息。内容包括系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断和异常处理机制、DMA控制器功能描述及寄存器说明等。手册旨在帮助开发者全面理解和使用该系列芯片。
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【产品】正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A，栅极电荷低，用于负载开关等领域
正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷，具有高功率和电流处理能力，该产品适合用于负载开关、电源管理、PWM应用。
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【产品】铨力半导体推出的100V/14.6A N沟道增强型功率MOSFET AP15N10K，采用高单元密度沟槽技术
铨力半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET AP15N10K，TC=25℃，漏源电压最大额定值为100V，栅源电压最大额定值为±20V。具有超低栅极电荷，以及出色的 CdV/dt 衰减效果，采用先进的高单元密度沟槽技术，符合RoHS标准且无卤素。
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【产品】100V/40A N沟道增强型功率MOSFET RU1H35R，符合RoHS标准，漏源导通电阻典型值低至21mΩ
锐骏半导体推出采用TO-220封装的N沟道增强型功率MOSFET RU1H35R，器件采用超高密度单元设计，经过100%雪崩测试，无铅、绿色环保且符合RoHS标准，适用于开关应用。
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