APT5024BLL(G) APT5024SLL(G) 500V 22A 0.240Ω
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
APT
型号：
APT5024BLL(G); APT5024SLL(G); APT5024BLL_SLL(G)
本数据手册详细介绍了APT5024BLL(G)和APT5024SLL(G)两款新一代低损耗、高压N沟道增强型功率MOSFET。该系列器件专为高效能设计而打造，具备500V耐压、22A电流及0.240Ω导通电阻等关键参数。其核心优势在于采用APT专利的金属栅极结构，显著降低了Miller电容和栅极电荷，从而实现了低导通电阻、低栅极电荷及快速开关速度。此外，器件具有较低的输入电容和增加的功耗能力，并提供TO-247或表面贴装D3PAK两种封装选择，符合RoHS标准及无铅端子要求。Microchip Technology（原APT）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理，并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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APT5024BVR APT5024SVR 500V 22A 0.240Ω功率MOS V®
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APT5024BVFR APT5024SVFR 500V 22A 0.240Ω
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APT5017BVFR APT5017SVFR 500V 30A 0.170Ω
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APT5016BFLL APT5016SFLL 500V 30A 0.160Ω
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APT50M75B2FLL APT50M75LFLL 500V 57A 0.075Ω
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APT5010B2LL（G）APT5010LLL（G）500V 46A0.100Ω
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APT5014BFLL APT5014SFLL 500V 35A 0.140Ω
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APT5016BLL APT5016SLL 500V 30A 0.160Ω
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APT5018BFLL APT5018SFLL 500V 27A 0.180Ω
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APT50M75JLL 500V 51A 0.075Ω
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APT5018BLL（G）APT5018SLL（G）500V 27A 0.180Ω
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APT5015BVFR APT5015SVFR 500V 32A 0.150Ω
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APT50M75B2LL（G）APT50M75LLL（G）500V57A0.075Ω
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APT50M75JFLL 500V 51A 0.075Ω
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APT50M38JLL 500V 88A 0.038Ω
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APT50M50JFLL 500V 71A 0.050Ω
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APT50M50JVFR 500V 77A 0.050Ω
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APT5028BVR 500V 20A 0.280Ω
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APT50M50L2LL 500V 89A 0.050Ω
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APT50GP60J 1200V
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APT50M50JLL 500V 71A 0.050Ω
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APT50M50JVR 500V 77A 0.050Ω
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APT5010JVFR 500V 44A 0.100Ω
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APT5017SVR 500V 30A 0.170Ω
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APT5010JVR 500V 44A 0.100Ω
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APT5010LVR 500V 47A 0.100Ω
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APT5017BVR 500V 30A 0.170Ω
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APT5010LVFR 500V 47A 0.100Ω
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APT5014LVR 500V 37A 0.140Ω
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APT5020SVFR 500V 26A 0.200Ω
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APT5020BVFR 500V 26A 0.200Ω
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APT5020BVR 500V 26A 0.200Ω
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APT5015BVR 500V 32A 0.150Ω
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APT30M61BLL APT30M61SLL 300V 54A 0.061Ω功率MOS 7 R MOSFET
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APT30M17JLL 300V 135A 0.017Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev A
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APT30M36B2LL APT30M36LLL 300V 84A 0.036Ω功率MOS 7 R MOSFET
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APT30M30JLL 300V 88A 0.030Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev B
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APT30M30JFLL 300V 88A 0.030Ω功率MOS 7 R FREDFET
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APT30M36JLL 300V 76A 0.036Ω功率MOS 7 R MOSFET
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APT30M75BLL APT30M75SLL 300V 44A 0.075Ω功率MOS 7 R MOSFET
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APT30M17JFLL 300V 135A 0.017Ω功率MOS 7 R FREDFET
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APT30M75BFLL APT30M75SFLL 300V 44A 0.075Ω功率MOS 7 R FREDFET
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世强AI
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应用/方案
220V/65A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs VM2002 is Suit for 1.8V Gate Drive Applications
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors VM2002 are using trench DMOS technology. This advanced technology has been specially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
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【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，采用高密度单元模块设计，提供超低漏源导通电阻
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)特性并具有低栅极电荷特征，器件适用于各种应用领域，诸如电源开关应用，硬件开关和高频电路以及不间断电源(UPS)等。
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【产品】低栅电荷的N沟道增强型功率MOSFET FIR10N60FG，静态漏源导通电阻典型值0.68Ω
FIR10N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-Cell™结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。
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【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
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【应用】N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q可用于电源板，脉冲漏极电流极限值高达54A
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q具有宽工作温度范围，宽电压特性，高脉冲漏极电流，以及低漏源导通电阻，可以提高电源板的可靠性，降低电源板的功耗，降低电源板的尺寸以及成本。
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【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW120R45VT，基于SAMWIN技术生产，导通电阻低
SW120R45VT是芯派科技推出的一款采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件基于先进的SAMWIN技术生产，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装，漏源击穿电压40V
威兆半导体推出N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装。在TA=25℃，漏源击穿电压为40V，具有切换快，效率高的特性。符合无卤素和RoHS标准。
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【产品】正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A，栅极电荷低，用于负载开关等领域
正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷，具有高功率和电流处理能力，该产品适合用于负载开关、电源管理、PWM应用。
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