APT50GP60J 1200V_代理商_研发采购服务

APT50GP60J 1200V

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

APT

型号：

APT50GP60J

本数据手册详细介绍了APT50GP60J 1200V功率MOSFET IGBT的技术特性与性能参数。该器件专为高频、高压开关应用设计，并针对高频开关电源进行了深度优化。其核心特性包括低导通损耗、低栅极电荷以及超快速尾电流关断，能够显著提升能效并降低开关损耗。在关键参数方面，该器件集电极-发射极电压为600V，集电极电流在25°C时可达100A，110°C时为46A，安全工作区支持190A@600V，总功耗为329W，工作和存储结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了优异的热性能与可靠性。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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