2N3019S LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORQualified per MIL-PRF-19500/391
发布时间:
2018-08-01
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
2N3019S
本数据手册详细介绍了2N3019S低功耗NPN硅晶体管,这是一款经过军事认证的高可靠性器件,完全符合MIL-PRF-19500/391标准。该晶体管专为严苛环境设计,具备低功耗与轻量化的显著特性,并采用坚固耐用的TO-39金属封装,同时提供TO-5、TO-46及TO-18等多种封装选项,以灵活满足不同功率等级与开关速度的设计需求。此外,该器件符合RoHS环保指令,广泛应用于军事及各类高可靠性电子系统中。基于该器件的技术规格,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求,从而有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
2N3019低功率NPN硅晶体管
Rev. 2
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
高可靠性抗辐射半导体
2017/11/25
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
扬斯_2N3057A
Rev. 1
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
JANS批准的双极晶体管
2017/11/25
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/391JANS_2N3019和JANS_2N3019S标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev.3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/391标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/391标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N3057A低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1 (121562)
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N3700低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N3700UB低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N3700 Rad硬低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N3700UB Rad硬低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N3439至2N3440 NPN低功耗硅晶体管
Rev. 4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NPN硅低功率晶体管2N2484UA技术数据表
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NPN低功率硅晶体管2N918技术数据表
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/253标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/182标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/181标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
抗辐射NPN低功率硅晶体管2N3439技术数据表
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N3439UA至2N3440UA NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1 (111683)
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313
2017/12/05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/368
2017/12/13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/225
2017/12/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376
2017/12/05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N3439L至2N3440L NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N718A 2N1613 2N1613L技术数据表
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MRF517射频和微波分立小功率晶体管
2018/01/19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/343 2n2857UB标准的RF和微波分立低功率晶体管
Rev.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N3866/2N3866射频和微波分立低功耗晶体管
2017/12/13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N3866/2N3866A射频和微波分立低功耗晶体管
January 2009
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N2857号
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LX7730 64位空间模拟输入遥测控制器
rev 2.4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PD70100/PD70200 IEEE 802.3af/AT PD前端IC
Revision 3.0
|
下载 |
| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
Libero®SoC V2021.1发行说明
Revision F
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSCSM70VM19C3AG Vienna整流器相脚SiC电源模块规格书
Revision 1.0
|
下载 |
| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
CoreSmartbert v2.6发行说明
Revision 7.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M2S050材料申报数据表
Revision No. 2
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
19T-RTAX2000S-CQ352-DFJCN1总电离剂量试验报告
Rev. 0
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
CN19031 PolarFire FPGA Quad0/PCIE1
December 18,2019
|
下载 |
技术论坛
我司设计一款并卷机电机驱动器,原整流桥设计了MICROSEMI MSD75-16
正在导入第二供应商,请推荐性能相当的整流桥。
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【产品】集电极-发射极饱和电压仅0.1V的互补硅晶体管,适用于低压大电流驱动器与开关应用
AUK作为KODENSHI(可天士)集团旗下品牌,专注于硅半导体,化合物半导体,光传感器领域,DN030E、DP030E、DN030U、DP030U作为KODENSHI AUK公司推出的互补硅晶体管,DN030E和DN030U是NPN型,DP030E和DP030U是PNP型,具有低饱和电压和低功耗的特点,适用于低压大电流驱动器和开关。
阅读原文 >>
【产品】80V/1.5A表面贴装NPN硅晶体管CXT3019,可作为大电流通用放大器使用
Central Semiconductor公司推出了一款表面贴装NPN硅晶体管CXT3019,其最高开关频率可达100MHz,集射基电压最大80V,集电极持续工作电流最高为1.5A,可见其工作电流很大,可作为大电流通用放大器使用。表面贴装NPN硅晶体管CXT3019功率损耗最大只有1.2W,集电极-基极截止电流最大仅为10nA,低功耗可减少芯片发热量,有利于提高产品效率降低芯片热功耗。
阅读原文 >>
【产品】功耗低至250mW表面贴装互补硅晶体管,专为小信号通用放大器和开关应用而设计
CMUT3904(NPN)和CMUT3906(PNP)是CENTRAL半导体公司推出的两款表面贴装互补硅晶体管。该晶体管的集电极-基极间电压分别为60V、40V,集电极电流为200mA,他们拥有低至250mW的功耗,可满足低功耗的设计要求。这两款晶体管采用外延平面工艺制造,并采用ULTRAmini™表面贴装封装,专为小信号通用放大器和开关应用而设计。
阅读原文 >>
【产品】饱和压降低至0.1V的增强型表面贴装互补硅晶体管
CMBT3904E(NPN)和CMBT3906E(PNP)是CENTRAL半导体公司推出的两款增强型表面贴装互补硅晶体管,他们具有低饱和压降、低功耗、尺寸小等特点,均采用了FEMTOmini™SOT-923封装。CMBT3904E和CMBT3906E互补硅晶体管非常适合于超小尺寸和功耗为主要要求的应用。
阅读原文 >>
基于RISC-V的PolarFire®SoC入门:FPGA网络研讨会系列会议14 ReNode中的PolarFire SoC Icicle套件模型
本资料介绍了基于RISC-V的PolarFire®SoC FPGA的Webinar系列,特别是第14场关于Renode Icicle Kit Model的讨论。内容包括SoftConsole v6.3的发布,其中包含Renode v1.9.0和Icicle Kit模型,以及模型名称的更新。资料详细介绍了Renode Icicle Kit Model的功能和特性,包括对eMMC、SD、USB、MAC、SPI、CAN、I2C、DDR等组件的支持,以及MSS I/Os和PCIe接口。此外,还提到了当前传感器模型的开发进度和未来计划。
阅读原文 >>
Libero®SoC V12.1及更高版本SmartTime静态时序分析仪用户指南
本资料为Microchip Technology Inc.提供的Libero® SoC v12.1及以后版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。指南详细介绍了SmartTime的功能和操作方法,包括设计流程、设置配置、时序分析、生成时序报告等。SmartTime工具用于可视化设计中的时序问题,评估时序要求,创建自定义时序集,设置时序异常,以及定义与其他工具的交叉探针路径。指南涵盖了时序分析的基本概念、高级时序分析、时序报告生成等方面,旨在帮助用户有效地进行时序分析和设计验证。
阅读原文 >>
Libero®SoC V12.3及更高版本SmartDesign用户指南
本文档介绍了Microchip的SmartDesign工具,这是一个基于视觉块的设计创建和输入工具,用于实例化、配置和连接Microchip IP核、用户生成IP核、自定义和胶水逻辑HDL模块。SmartDesign提供了一个类似于面包板的画布,用于将各种设计组件连接在一起。最终结果是一个经过设计规则检查和自动抽象的合成准备好的HDL文件。SmartDesign可以生成整个FPGA设计或可重用的大设计中的组件子系统。文档涵盖了SmartDesign的画布布局、设计流程、组件实例化、连接、生成设计以及用户操作等方面。
阅读原文 >>
Libero®SoC V2021.1 SmartTime静态时序分析仪(STA)用户指南
本资料为Libero® SoC v2021.1版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。主要内容包括SmartTime的功能介绍、设计流程、设置配置、时序分析、高级时序分析、时序报告生成、时序概念解释、教程、对话框操作、Tcl命令、术语表、修订历史和客户支持信息。SmartTime工具用于可视化识别设计中的时序问题,评估时序要求,创建自定义时序报告,并与其他工具定义交叉探针路径。
阅读原文 >>
FlashPro用户指南软件v11.9
FlashPro用户指南主要介绍了Microsemi公司开发的FlashPro编程软件工具,该工具用于SmartFusion2、IGLOO2、RTG4、SmartFusion、IGLOO、ProASIC3和Fusion等设备的编程。指南涵盖了软件的安装、使用、功能特点、编程设置、操作流程以及故障排除等内容。FlashPro支持多种编程功能,包括自动链路构建、非Microsemi BSDL文件导入、多设备链路编程和串行化、生成STAPL、SVF和IEEE 1532文件等。指南还提供了详细的操作教程和故障排除信息,以帮助用户有效地使用FlashPro进行设备编程。
阅读原文 >>
FlashPro Express用户指南软件v11.9
本指南详细介绍了Microsemi的FlashPro Express编程工具,旨在解决生产编程环境中的安全编程保证问题。FlashPro Express支持多种Microsemi器件,包括SmartFusion2、IGLOO2、RTG4、SmartFusion、IGLOO、ProASIC3、Fusion和ProASICPLUS,并提供两种安装方式:集成于Libero或作为独立安装。指南涵盖了软件和硬件的安装、用户界面、编程设置、链编程、TCL命令以及故障排除等内容。
阅读原文 >>