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MSR2N2222AUA Rad Hard NPN Silicon Switching Transistor Screened per MIL-PRF-19500 & ESCC 22900
发布时间: 2018-08-01
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
MSR2N2222AUA
本数据手册详细介绍了Microsemi公司生产的MSR2N2222AUA型号辐射硬化NPN硅开关晶体管。该器件专为高可靠性应用设计,具备优异的辐射硬化特性,完全符合GSFC EEE-INST-002关于可靠性、筛选及辐射硬度保证的要求。产品拥有JEDEC注册的2N2222标准特性,并已通过MIL-PRF-19500和ESCC 22900标准的严格筛选与辐射测试。在技术规格方面,该晶体管的TID等级符合MIL-PRF-19500标准,支持ELDRS测试至0.01 Rad/s,且通过了RHA(辐射硬化保证)批量验证测试(ELDR 0.1 Rad/s剂量率)。此外,MKCR/MHCR芯片晶圆方案亦可供选择。该产品主要应用于辐射硬化电源、辐射硬化电机控制、通用开关、仪表放大器以及EPS卫星开关电源等关键领域。Microsemi在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
MSR2N2222A(L)Rad硬NPN硅开关晶体管,符合MIL-PRF-19500和ESCC 22900标准
Rev. 1
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MVR2N2222AUA Rad硬NPN硅开关晶体管
Rev. 2
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MVR2N2222A(L)Rad硬NPN硅开关晶体管
Rev. 2
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N2222AUB/UBC Rad硬NPN硅开关晶体管
Rev. 1
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900 MVR2N2222AUB/UBC筛选的Rad硬NPN硅开关晶体管
Rev.2
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MSR2N2369AUA Rad硬NPN硅高速开关晶体管,符合MIL-PRF-19500和ESCC 22900标准
Rev. 1
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N3700 Rad硬低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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MSR2N2369AUB/UBC Rad硬NPN硅高速开关晶体管,符合MIL-PRF-19500和ESCC 22900标准
Rev. 1
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N3700UB Rad硬低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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数据手册 - 英文
NPN功率硅开关晶体管2N7373技术数据表
Rev. 3
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NPN功率硅开关晶体管2N5339技术数据表
Rev. 3
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NPN硅开关晶体管2N3735技术数据表
Rev. 1
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2N7373抗辐射NPN功率硅开关晶体管
Rev. 1
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NPN功率硅开关晶体管2N5664技术数据表
Rev. 1
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2N3960 NPN硅开关晶体管,符合MIL-PRF-19500/399标准
Rev. 2
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NPN硅开关晶体管2N2221A技术数据表
Rev. 2
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符合MIL-PRF-19500/312标准的NPN硅开关晶体管
2017/12/24
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2N3996 2N3997 2N3998 2N3999技术数据表NPN功率开关硅晶体管
Rev. 1
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2N3501UB抗辐射NPN硅开关晶体管,符合MIL-PRF-19500/366标准
Rev. 1 (121564)
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数据手册 - 英文
符合MIL-PRF-19500/99标准的NPN中等功率硅开关晶体管
2017/12/24
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NPN开关硅晶体管2N2218技术数据表
Rev. 2
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JANS2N3498至JANS2N3501抗辐射NPN硅开关晶体管符合MIL-PRF-19500/366
Rev. 3
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2N3960UB NPN硅开关晶体管符合MIL-PRF-19500/399标准
Rev. 1
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2N3501UB NPN硅开关晶体管符合MIL-PRF-19500/366标准
Rev. 1
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抗辐射NPN硅开关晶体管2N2221A技术数据表
Rev. 3
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数据手册 - 英文
2N6989 2N6989U 2N6990多个(四通道)NPN硅双列直插式和扁平封装开关晶体管
Rev. 1
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符合MIL-PRF-19500/559标准的多(四)NPN硅双列直插式和扁平封装开关晶体管
2017/12/24
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开发环境(软件/固件) - 英文
CoreQSGMII
Revision 1.0
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测试报告 - 英文
电离总剂量试验报告:无22T-RT4G150-CQ352-K7HWA
Rev. 0
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测试报告 - 英文
电离总剂量试验报告:无21T-RT4G150-LG1657-K7KAS
Rev. 0
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测试报告 - 英文
电离总剂量试验报告:无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ57T1
Rev. 0
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测试报告 - 英文
电离总剂量试验报告:无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ26Y1
Rev. 0
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测试报告 - 英文
电离总剂量试验报告:无21T-RTAX2000S-CQ352-DHK3S1
Rev. 0
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测试报告 - 英文
20T-RTAX2000S-CQ352-DH7FH1电离总剂量测试报告
Rev. 0
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电路原理图 - 英文
DVP-100-000518-001
REV 1
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测试报告 - 英文
16T-RTAX2000D-CQ352B-D8QLF1总电离剂量试验报告
February 17, 2016
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MX-503高精度微机控制晶体振荡器
08/2018
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
40V 200mA小NPN开关晶体管MMBT3904的功能性?开关功能、 放大功能、电流控制与保护
MMBT3904 是一款常用的40V 200mA小NPN开关晶体管,可应用在常见的各种电子系统,在电子系统中有着多种功能性应用。
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【产品】SOT-23封装NPN开关晶体管MBT5550和MBT55501系列
AiT推出的MBT5550和MBT55501系列NPN开关晶体管,集电极-发射极电压最大额定值为140Vdc,集电极-基极电压最大额定值为160Vdc,发射极-基极电压最大额定值为6V。器件采用SOT-23表面贴片封装,非常适合自动装配。
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【产品】集成NPN开关晶体管和肖特基二极管的多分立功率器件,功耗仅350mW
CENTRAL的CMLM2205多分立功率器件,其集成了一个NPN开关晶体管和一个低VF肖特基二极管。CMLM2205采用SOT-563表贴封装,其尺寸为1.7mmx1.7mmx0.6mm,功耗只有350mW。该产品专为小信号通用型应用而设计,其尺寸和工作效率是其首要考虑的。
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RT PolarFire®FPGA DDR3本机接口
本应用笔记介绍了如何使用RT PolarFire FPGA的Native Interface模式配置DDR3控制器,以实现向DDR3内存执行写和读突发操作。通过选择拨动开关的ON/OFF状态,可以设置不同的操作模式(如递增模式、走位1模式、走位0模式和递减模式)。此外,还介绍了如何使用SmartDebug工具验证写和读数据。笔记中详细描述了硬件和软件要求、设计实现步骤,以及如何通过Libero SoC和SmartDebug工具运行和验证设计。
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SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的电路板和布局设计指南
本资料为Microsemi公司发布的关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的板级和布局设计指南。内容涵盖设计考虑因素、电源设计、I/O瞬态、时钟设计、复位电路、设备编程、SerDes设计、LPDDR、DDR2和DDR3设计、用户I/O和时钟引脚配置、双电源设计、brownout检测、同时切换噪声、电源布局、SerDes布局、PLL布局、I/O电源布局、编程电源布局、高速串行链路布局、仿真考虑、DDR3布局指南、创建原理图符号等。
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SPI-DirectC V2021.2用户指南
本指南介绍了SPI-DirectC软件,用于支持Microchip微处理器的嵌入式在系统编程(ISP)。指南详细说明了如何使用SPI-DirectC在支持的Microchip设备上启用基于微处理器的嵌入式ISP,包括系统概述、数据文件生成、SPI-DirectC代码集成、必要的源代码修改、数据文件格式、源文件描述、数据文件位方向以及示例项目。指南涵盖了SPI-DirectC的安装、配置和使用,旨在帮助用户进行有效的ISP操作。
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SPI-DirectC V2021.1用户指南
SPI-DirectC v2021.1用户指南主要介绍了如何使用SPI-DirectC进行嵌入式In-System Programming(ISP)以支持Microchip的IGLOO2、SmartFusion2、PolarFire和PolarFire SoC设备。指南详细说明了系统概述、数据文件格式、源代码修改、编译器开关、硬件接口组件、数据文件位方向以及示例项目等内容,旨在帮助用户生成数据文件、集成SPI-DirectC代码并实现设备编程。
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SmartFusion®2和Igloo®2高速串行接口配置用户指南
本指南介绍了如何配置SmartFusion2和IGLOO2系列中的高速串行接口,包括协议配置、PCIe配置、通道配置、信号完整性选项、发送去加重、接收CTL均衡、电源管理设置、高速串行接口控制寄存器配置、固件和仿真级别。指南详细说明了配置步骤和参数设置,适用于Libero SoC SERDES_IF核心。
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商用航空解决方案
Microsemi公司提供一系列高可靠性产品,包括集成电路、功率模块、开关器件、FPGA和SoC等,为商业航空领域提供全面的解决方案。产品应用于飞行控制、动力系统、机舱管理系统、通信雷达、电力系统等关键领域,旨在提高飞机性能、可靠性和安全性。
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M1AFS\ U嵌入式\ U套件的Microsemi电源管理解决方案
本文档介绍了Microsemi公司针对M1AFS嵌入式套件中使用的竞争对手的功率管理IC的替代方案。通过比较列表,详细说明了针对现有套件的升级改造的功率管理IC的需求。文档中提供了测试数据和图像,以展示Microsemi解决方案与竞争对手解决方案的性能对比。此外,还包括了推荐的替换IC的原理图和PCB布局。
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CoreAxi4DMA控制器
本手册详细介绍了Microsemi公司提供的CoreAXI4DMAController v2.1版本,这是一个AXI4 DMA控制器,用于在AXI系统中执行内存到内存风格的DMA传输。该核心提供内置的流控制技术,以确保AXI接口的带宽得到最佳利用。此外,该核心还提供AXI4内存映射从属设备的桥接,以支持AXI4-Stream主设备。手册涵盖了核心的架构、功能描述、接口描述、寄存器映射和描述、工具流程等内容,并提供了性能和利用率数据。
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Libero®SoC V12.1及更高版本SmartTime静态时序分析仪用户指南
本资料为Microchip Technology Inc.提供的Libero® SoC v12.1及以后版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。指南详细介绍了SmartTime的功能和操作方法,包括设计流程、设置配置、时序分析、生成时序报告等。SmartTime工具用于可视化设计中的时序问题,评估时序要求,创建自定义时序集,设置时序异常,以及定义与其他工具的交叉探针路径。指南涵盖了时序分析的基本概念、高级时序分析、时序报告生成等方面,旨在帮助用户有效地进行时序分析和设计验证。
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FlashPro用户指南软件v11.9
FlashPro用户指南主要介绍了Microsemi公司开发的FlashPro编程软件工具,该工具用于SmartFusion2、IGLOO2、RTG4、SmartFusion、IGLOO、ProASIC3和Fusion等设备的编程。指南涵盖了软件的安装、使用、功能特点、编程设置、操作流程以及故障排除等内容。FlashPro支持多种编程功能,包括自动链路构建、非Microsemi BSDL文件导入、多设备链路编程和串行化、生成STAPL、SVF和IEEE 1532文件等。指南还提供了详细的操作教程和故障排除信息,以帮助用户有效地使用FlashPro进行设备编程。
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