APT4016BVFR APT4016S_代理商_研发采购服务

APT4016BVFR APT4016SVFR APT4016BVFRG* APT4016SVFRG* 400V 27A 0.16Ω

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

APT4016BVFR; APT4016SVFR; APT4016BVFRG*; APT4016SVFRG*; APT4016B_SVFR(G)

本数据手册详细介绍了APT公司生产的APT4016BVFR、APT4016SVFR及其衍生型号APT4016BVFRG、APT4016SVFRG系列高压N沟道增强型功率MOSFET。该系列器件具备优异的电气性能，其漏源电压额定值为400V，连续漏极电流可达27A，导通电阻低至0.16Ω。产品特性包括快速开关速度、雪崩能量额定、低漏电流以及集成的快速恢复体二极管，能够有效提升系统效率与可靠性。在封装形式上，该系列提供了通用的TO-247封装以及表面贴装D3Pak封装，均符合RoHS标准并采用无铅端子工艺，以适应不同的组装需求。资料内容涵盖了产品的最大额定值、静态与动态电气特性、热特性及典型性能曲线，为工程师进行电路设计与评估提供了详实的技术参考。APT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。

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数据手册 - 英文	APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113 rev 3	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev C	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev C	下载
技术文档 - 英文	超快软恢复整流二极管 Rev C	下载
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产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT43F60B2 APT43F60L 600V，45A，0.15Ω（最大值），trr≤270ns n沟道FREDFET Rev D	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230 rev 3	下载
数据手册 - 英文	APT45GR65B APT45GR65S 650V，45A，VCE（on）=1.9V（典型值）超快速NPT-IGBT® Rev B	下载
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技术文档 - 英文	APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V，45A，VCE（开）=1.9V典型超快NPT-IGBT® Rev B	下载
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技术文档 - 英文	APT40GR120B2DU30 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT® Rev A	下载
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数据手册 - 英文	400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V® Rev A	下载
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数据手册 - 英文	APT42F50B APT42F50S 500V，42A，0.13Ω（最大值），trr，≤260ns n沟道FREDFET Rev F	下载
数据手册 - 英文	功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G* Rev.A	下载
数据手册 - 英文	功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω Rev.A	下载
数据手册 - 英文	1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范，端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT Rev A	下载
数据手册 - 英文	APT47GA60JD40 Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT47F60J 600V，49A，0.09Ω（最大值），trr≤310ns n沟道FREDFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT45M100J 1000V、45A、0.18Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev C	下载
数据手册 - 英文	APT47M60J 600V、49A、0.09Ω（最大值）N沟道MOSFET Rev E	下载

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应用/方案

【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F，漏源电压500V，导通电阻仅0.32Ω

SLKOR推出的SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装，也使其在PCB设计中具有良好的散热性能，从而保证器件的高可靠性。

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【产品】1200V/55A的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET S2M0040120K，具有正温度特性

S2M0040120K是SMC推出的一款采用TO-247-4封装的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET。该器件在极端温度下具有非常低的总导通损耗和非常稳定的开关特性，在具有挑战性的环境下，对于能源敏感型应用和高频应用来讲是理想之选。

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双SiC MOSFET驱动器参考设计

本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。

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【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N60FG，漏源电压最大额定值600V

FIR12N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-CellTM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。

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【产品】栅源电压±30V的N沟道增强型高压功率MOSFET-MX7N65，栅极电荷低，适用于开关电源等产品

无锡明芯微推出的MX7N65N沟道增强型高压功率MOSFET，具有低栅极电荷，高雪崩耐量以及较强dv/dt能力等特性。该产品漏源电压为650V，栅源电压±30V，最大脉冲电流为28A。其应用广泛，适用于开关电源、电子变压器、电子镇流器以及其他高压转换产品。

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【产品】极低开关损耗的增强型N沟道功率MOSFET SROSG80R380FF，低RDS值为380mΩ

萨瑞微电子推出一款增强型N沟道功率MOSFET SROSG80R380FF，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷，最大限度地减少传导损耗，同时能提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。

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【产品】1700V的N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，采用TO-247-3封装

派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，工作结温范围为-55℃ 至 +200 ℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

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【产品】600V N沟道增强型功率MOSFET BSS127，采用SOT-23封装

丽正国际推出的BSS127是新一代N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术，可提供出色的高压特性和快速开关特性，使其非常适合小信号和电平转换应用。在环境温度为 25°C时，BSS127可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为0.021A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为250℃/W。

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军品级N沟道增强型SiC MOSFET，采用C2M MOSFET技术

Wolfspeed（原CREE）推出的CPM2-1200-0040B系列碳化硅MOSFET，N通道增强模式，采用C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术，具有高阻断电压、低导通电阻、低电容的特点，易于并联或单驱动，具有较高的系统效率和功率密度，较低的冷却需求，支持高速转换，非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压直流/直流转换器、马达驱动器、脉冲电源等应用领域。

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