APT40GP60B2DQ2 APT40_代理商_研发采购服务

APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G* 600V

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

APT40GP60B2DQ2; APT40GP60B2DQ2G*; APT40GP60B2DQ2(G); APT40GT60BR

本数据手册详细介绍了APT40GP60B2DQ2(G) 600V功率MOSFET的技术规格与性能特性。该器件专为高功率应用设计，集电极-发射极电压达600伏，集电极电流在25°C时为100A，110°C时为62A，脉冲集电极电流最高可达160A。其总功耗为543瓦，工作和存储结温范围覆盖-55°C至150°C，具备优异的耐温性能。在电气特性方面，该MOSFET表现出低导通损耗、低栅极电荷以及超快尾电流关断等优势，能够有效提升能效。资料还提供了详细的动态特性曲线，涵盖开关能量损耗、开关时间及电流升降时间，并明确了其在100 kHz频率下可支持41A电流，在200 kHz频率下支持26A电流，同时具备SSOA额定值，适用于对开关速度和可靠性有严苛要求的电子电路设计。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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应用/方案

【产品】高功率IGBT模块214-HG200A1200V ，可用于高压直/交流的逆变/变频以及高速开关

214-HG200A1200V是华东光电所推出的一款高功率IGBT模块，用于高压直流/交流的逆变/变频以及高速开关，其直流电压1200V、直流电流200A，总功率损耗1000W，开通延迟时间0.14μs，关断延迟时间0.32μs。

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双SiC MOSFET驱动器参考设计

本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。

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下一代大功率IGBT模块

新一代高功率IGBT模块，具备可靠性、效率和操作性能。涵盖1800A至2000A 3.3KV、1500A 4.5kV、1000A至1200A 6.5kV等规格。适用于高可靠性逆变器、电机控制器、牵引驱动和多种电路拓扑（半桥、单开关、斩波器）。Dynex制造工厂为垂直整合设施，提供器件设计、晶圆制造、封装、资格认证和测试。产品在-40/-50oC至+150oC的温度范围内均能保持高可靠性。模块设计注重低电感功率母线，以应对快速开关瞬变。特点包括最低总损耗、150oC工作结温、最坚固的模块封装、三种芯片选项以优化性能。

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【经验】驱动芯片SID1152K在中大功率IGBT驱动板上的应用，5A输出电流

Power Integrations公司的SID11*2系列IGBT和MOS管驱动芯片集成PI公司特有的FluxLink技术，副边单电源供电。外围电路简单，易于调试，可以简化设计，提高产品开发效率，是中大功率逆变设备驱动电路的设计首先。

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【产品】650V/40A高速大功率IGBT助力功率因数校正电路，内置快速恢复二极管

RENESAS（瑞萨）公司推出的RJH65T46DPQ-A0高速大功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管），集电极功耗为340.9W，结壳热阻仅为0.44°C/W，发射极的饱和电压VCE(sat)的典型值为1.8V，内置了快速恢复二极管，反向恢复时间典型值仅需100ns。产品具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄化晶圆制造工艺，适用于功率因数校正电路，电动工具，电动汽车动力系统，逆变电源，轨道交通等应用领域。

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【产品】650V，200A/400A高速大功率IGBT模块，隔离电压高达2500V

PRHMB400W6、PRFMB200W6两款IGBT模块均为京瓷出品，它们的集电极-发射极电压和反向重复峰值电压均为650V，适合较高电压应用环境中。两者隔离电压均高达2500V（交流、1分钟），电气隔离性能出色，满足大功率隔离设计，具有超高的安全性与稳定性。

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【产品】采用NPT IGBT技术的大功率IGBT模块

IXYS（Littelfuse收购）推出的MII75-12A3系列大功率IGBT（NPT）模块，自重仅为110g，具有先进的电源循环，采用NPT IGBT技术，具有较低的开关损耗和高短路能力。产品的集电极发射极电压最大值为1200V（结温25℃时），TC为25℃时的集电极电流最大值为90A。

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