APT47N60BC3(G) APT47N60SC3(G) 600V 47A 0.070Ω
发布时间:
2018-08-01
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT47N60BC3(G); APT47N60SC3(G); APT47N60BC3_SC3(G)
本数据手册详细介绍了APT47N60BC3(G)和APT47N60SC3(G)两款Super Junction MOSFET的技术规格与性能特性。作为600V、47A的功率器件,这两款产品具备0.070Ω的低导通电阻(RDS(ON)),能够显著提升系统效率。其关键优势还包括低Miller电容与超低栅极电荷Qg,有效减少了开关损耗并缩短开关时间。此外,器件具有雪崩能量额定值和极端dv/dt额定值,确保了在严苛条件下的运行可靠性。产品采用流行的TO-247或表面贴装D3封装,并符合RoHS环保标准。Microchip在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT43F60B2 APT43F60L 600V,45A,0.15Ω(最大值),trr≤270ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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APT44F80B2 N沟道FREDFET
Rev D
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APT44F80B2 APT44F80L 800V,47A,0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET
Rev D
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APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V,45A,VCE(开)=1.9V典型超快NPT-IGBT®
Rev B
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APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET
Rev C
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APT45GR65B APT45GR65S 650V,45A,VCE(on)=1.9V(典型值)超快速NPT-IGBT®
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
APT40GR120B2DU30 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT®
Rev A
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APT44GA60B APT44GA60S
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
APT40GR120B2SCD10 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能
2017/11/15
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APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G*600V
Rev A
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APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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碳化硅半导体产品
05/18
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碳化硅半导体产品
05,17
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APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
Rev D
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MEA执行器电源系统
2017/11/23
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| 数据手册 - 英文 |
400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®
Rev A
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Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT4016BVFR APT4016SVFR APT40 16BVFRG*APT40 16SVFRG*400V 27A 0.16Ω
Rev A
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功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
Rev.D
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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APT42F50B APT42F50S 500V,42A,0.13Ω(最大值),trr,≤260ns n沟道FREDFET
Rev F
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω
Rev.A
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1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范,端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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APT47F60J 600V,49A,0.09Ω(最大值),trr≤310ns n沟道FREDFET
Rev C
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APT47GA60JD40
Rev C
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APT47M60J 600V、49A、0.09Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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APT40GT60BR 600V,80A,VCE(ON)=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev D
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APT46GA90JD40
Rev D
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APT45M100J 1000V、45A、0.18Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
时科650V/40A超级结MOSFET SKJ40N65-T7,为应用场景有效保驾护航
超结MOS的选型需要综合考虑电压和电流额定值、导通电阻、开关速度、热管理、安全裕度、寄生参数以及应用的具体需求,选择合适的产品以确保最佳性能和可靠性。时科SKJ40N65-T7超级结MOSFET漏源电压(VDS)650V,连续漏极电流(ID)40A,在高电压下也能保持低导通电阻,有效减少开关损耗。
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【经验】超级结MOSFET在电源上的应用优点及问题
COOLMOS的前世今生COOLMOS也就是super junction MOS由于大家习惯沿用了英飞凌的叫法,所以一直叫COOLMOS,也叫超结MOS。COLLMOS在电源上应用的优点有通态阻抗小,通态损耗小、同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高、棚电荷小,对电路的驱动能力要求降低、节电容小,开关速度加快,开关损耗小。
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双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计,旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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新型600V超级结MOSFET系列:内置高速二极管的R60xxVN系列(Prestomos™)/R60xxYNx低导通电阻系列
ROHM推出新型600V Super Junction MOSFET系列,包括R60xxVN系列和R60xxYNx系列。这些产品采用新工艺,实现单位面积20%的更低导通电阻,同时兼具高速开关和低导通电阻特性,适用于PFC和同步整流等应用。产品包括TO-252 DPAK、TO-3PF和TO-247AD(TO-247)等封装。
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如何使用PowerDsine HiPoE解决方案为Cisco 802.11n Aironet 1250供电
本文档为PowerDsine HiPoE™Quick Reference,主要介绍了如何使用PowerDsine HiPoE解决方案为Cisco 802.11n Aironet 1250接入点供电。文档中详细介绍了PD-PS-401G Dongle、PowerDsine 7000G HiPoE Midspan和PD-PS-401G HiPoE Adapter等产品的信息,并提供了订购信息。此外,还列出了不同型号的PowerDsine 7000G系列Midspan产品的详细信息。
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工业物联网解决方案强大的工业性能可扩展、低功耗、安全
本文介绍了Microsemi公司针对工业物联网(IIoT)的解决方案,包括以太网交换机和物理层(PHY)产品。Microsemi的产品旨在满足IIoT对低功耗、高性能和安全性连接的需求。文章强调了Microsemi在以太网交换和PHY技术方面的长期经验,以及其软件解决方案如何帮助缩短产品上市时间。此外,还提供了Microsemi的Gigabit Ethernet交换机和PHY产品的详细规格。
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商用航空解决方案
Microsemi公司提供广泛的半导体和系统解决方案,专注于商业航空领域。其产品包括智能电源解决方案、FPGA和SoC、功率开关离散和模块、瞬态电压抑制(TVS)二极管、模拟混合信号IC、射频和微波解决方案、以太网交换机、PHYs、软件和以太网供电(PoE)解决方案、内存和存储解决方案、先进封装能力以及安全解决方案。这些产品应用于飞行控制、舱内管理、引擎系统、通信雷达、电力电子系统等领域,旨在提高飞机的性能、可靠性和安全性。Microsemi通过其研发中心和技术服务,为航空航天应用提供定制化的解决方案。
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