APT20M18B2VFR A20M18LVFR 200V 100A 0.018Ω
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT20M18B2VFR; A20M18LVFR; APT20M18B2VFR_LVFR
本数据手册详细介绍了APT20M18B2VFR和A20M18LVFR两款高压N沟道增强型功率MOSFET的技术特性。该系列器件采用新型技术设计，具备200V耐压和100A大电流处理能力，导通电阻低至0.018Ω，并展现出快速开关速度及低漏电流的优异性能。产品提供TMAX™或TO-264封装选项，集成了快速恢复体二极管与雪崩能量额定功能，工作和存储结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的高电压应用环境。基于该方案，Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
APT20GN60B APT20GN60S APT20GN60B（G）APT20 GN60S（G）600V
Rev B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi Corporation产品停产通知（PDN）编号：PPS1109070825
rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev B
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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碳化硅半导体产品
05/18
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05,17
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APT20GN60BDQ2 APT20GN60SDQ2 APT20GN60BDQ2（G）APT20 GN60SDQ2（G）
Rev A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
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超快软恢复双整流二极管
Rev E
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复双整流二极管
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT20GN60BDQ1 APT20GN60SDQ1 APT20GN60BDQ1（G）APT20 GN60SDQ1（G）600V
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
典型APD15G、T25G、T220V、BSCR12产品
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT24M80B APT24M80S800V, 25A, 0.39Ω Max N-Channel MOSFET
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
MSC2X/APT2X标准零件编号变更通知（19-054）
November 20, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
APT20M16B2FLL APT20M16LFLL 200V 100A 0.016Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT22F120B2 APT22F120L 1200V, 23A, 0.70Ω Max, trr≤270ns N-Channel FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi DPG（电源离散和模块业务部门）
November2017
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1200V APT25GN120B APT25GN120S APT25GN120BG*APT25 GN120SG*
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APT24F50B APT24F50S 500V, 24A, 0.24Ω Max, trr≤210ns N-Channel FREDFET
Rev E
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APT22F80B APT22F80S 800V, 23A, 0.43Ω Max, trr≤260n N-Channel FREDFET
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APT29F100B2 APT29F100L 1000V, 30A, 0.44Ω Max, trr≤270ns N-Channel FREDFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F，漏源电压500V，导通电阻仅0.32Ω
SLKOR推出的SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装，也使其在PCB设计中具有良好的散热性能，从而保证器件的高可靠性。
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【产品】1200V/55A的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET S2M0040120K，具有正温度特性
S2M0040120K是SMC推出的一款采用TO-247-4封装的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET。该器件在极端温度下具有非常低的总导通损耗和非常稳定的开关特性，在具有挑战性的环境下，对于能源敏感型应用和高频应用来讲是理想之选。
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双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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