S200 – 50 200 Watts, 50 Volts, Class AB or C Milcom 1.5 - 30MHz
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
APT
型号：
S200 – 50
本数据手册详细介绍了S200-50型高频单边带（SSB）放大器的技术规格与性能参数。该器件专为50伏电源供电设计，支持在A类、AB类或C类模式下工作，具备优异的线性度与耐用性。S200-50的绝对最大额定功率达320瓦，最大输出功率为200瓦，集电极到发射极电压为110伏，集电极电流为30安培，且效率高达60%。在物理特性方面，其输出电容为10皮法拉，热阻低至0.55摄氏度/瓦，并拥有1230:1的高负载失配容忍度。此外，该器件的工作温度范围宽广，覆盖-65至+150摄氏度，能够适应严苛的环境要求。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足的库存以应对不同阶段的采购需求。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试服务，覆盖从研发打样到量产的全生命周期，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
UMIL 10100瓦，28伏，AB类或C类Defcom 100-400 MHz
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
UMIL 25 25瓦，28伏，AB类Defcom 225-400 MHz
Rev. A
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APT32F1021B 数据手册
V1.2
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APT32F102 开发板使用手册
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APT32F1731 数据手册
V0.2
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APT32F1031 数据手册
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APT32F1023 数据手册
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APT32F1103 数据手册
V2.2
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APT32S003F7P6 数据手册
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APT32F1021 数据手册
V1.13
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APT32F171 数据手册
V2.0
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APT32F1732 数据手册
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APT32S003F8PT 数据手册
V1.8
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APT8043BLL APT8043SLL 800V 20A 0.430Ω
Rev C
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APT8043BFLL APT8043SFLL 800V 20A 0.430Ω
Rev B
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APT8030LVR 800V 27A 0.300Ω
Rev B
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APT8030LVFR 800V 27A 0.300Ω
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APT8030JVFR 800V 25A 0.300Ω
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APT8024JLL 800V 29A 0.240Ω
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APT8020JLL 800V 33A 0.200Ω
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APT8018L2VFR 800V 43A 0.180Ω
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APT8015JVR 800V 44A 0.150Ω
Rev B
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技术论坛
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项目：电力智能控制模块
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我使用如下命令在树莓派编译Silicon Labs 的 Wi-SUN Border Rouder（wsbrd ）时，出现报错：error: failed to run custom build command for `libdbus-sys v0.2.2`，请问这是什么问题呢？
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应用/方案
【产品】50V高压输出的大电流达林顿晶体管阵列ULN2803，额定集电极电流500mA
上海贝岭推出的ULN2803是高压大电流达林顿晶体管阵列，每个阵列包含八个开路集电极-公共发射极对；每对额定电流为500mA。抑制二极管用于感应负载驱动，输入和输出对置，以简化电路板布局；能够驱动各种负载。
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APT32F103x 系列 103x 系列通用型 32 位 RISCV 微处理控制器使用手册
本手册针对APT32F103x系列32位RISC-V微处理器，提供了详细的内核、存储和外设信息。内容包括系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断和异常处理机制、DMA控制器功能描述及寄存器说明等。手册旨在帮助开发者全面理解和使用该系列芯片。
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APT32F102xB 系列 102xB 系列通用型 32 位微处理控制器使用手册
本手册为APT32F102xB系列32位微处理控制器提供了全面的技术信息，包括系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断向量控制器等。内容包括：
- 系统存储空间的详细划分和地址分配。
- 特殊功能寄存器的分类和功能描述。
- 中断向量控制器的特性、工作原理和配置方法。
- 中断优先级设置、抢占机制和响应时间的分析。
资料涵盖了APT32F102xB系列的核心技术细节，适用于应用开发人员参考和使用。
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APT32F171 使用手册
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【产品】高耐压、大电流8路达林顿管阵列ICF ULN2803，每个通道灌电流可达500mA，输出可在高负载电流下并行运行
百隆电子推出的ICF ULN2803是高耐压、大电流达林顿阵列，由八个共发射极的达林顿管组成。每个通道灌电流可达500mA，极限电流为600mA。达林顿阵列可以在高负载电流下并行运行。
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【产品】采用SOP18封装的达林顿晶体管阵列SKD2803，输出电压高达50V
洺太推出的SKD2803是具有高电压高电流的达林顿晶体管阵列，每个阵列包含八个开集电极共发射极对。每一对额定电流达到500mA。抑制二极管此外还包含了电感负载阻抗，输入与输出被固定在相反的位置以简化电路板设计。该设备具有驱动多种负载的能力。
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APT8102X 电容式触摸传感器使用手册
APT8102X是一款多通道电容式触摸传感器，支持17路采集通道，适用于多种触摸按键控制。它具有I2C通信接口，可配置灵敏度、工作模式等参数。手册详细介绍了寄存器配置、应用电路设计、通讯协议以及不同封装类型的尺寸信息。此外，还提供了改版历史记录。
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ULN2002/3/4AD高电压、大电流达林顿阵列
ULN2002A、ULN2003A和ULN2004A是高压、大电流达林顿阵列，包含七个开集电极、共发射极对，每个对额定500mA。这些器件适用于驱动各种负载，如电磁铁、继电器、直流电机、LED显示屏、热打印头和高功率缓冲器。产品具有广泛的操作温度范围，高输出电流，并兼容多种逻辑家族。提供SO-16和DIP-16封装选项。
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【技术】共源共栅放大器的概念、工作原理、应用及其优缺点介绍
共源共栅放大器用于增强模拟电路的性能。共源共栅放大器包括两个阶段，例如CE（共发射极）级和CB（公共基极）级，其中CE馈入CB。当我们将其与放大器的单级进行比较时，其组合可以具有不同的特性，例如高输入/输出隔离度，高i/p阻抗，高o/p阻抗和高带宽。合科泰半导体将在本文对共源共栅放大器的概念、工作原理、应用及其优缺点进行介绍。
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PREMO（普莱默）公司介绍（2020年）
PREMO是一家拥有57年历史的创新公司，专注于创新磁性应用，尤其在物联网、智能电网、虚拟现实等领域。公司业务涵盖汽车、工业、智能电网和新技术领域，产品包括RFID组件、感应组件、滤波器和传感组件。PREMO在全球拥有超过1200名员工，业务遍及36个国家，并在全球设有35个销售代表处、3个工厂和4个研发中心。
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APT32S003 S003 通用型 32 位微处理控制器使用手册
本手册针对APT32S003系列32位微处理器，提供了详细的内核、存储和外设信息。内容包括产品分类定义、历史版本说明、系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断向量控制器(INTC)的特性和工作原理、中断优先级和抢占机制、中断响应时间和嵌套条件、中断唤醒机制以及中断操作步骤等。此外，还包含了相关寄存器的详细描述和配置方法。
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APT32F110x 系列 110x 系列通用型 32 位微处理控制器使用手册
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更快开关速度，更高功率，成熟封装 45kW至500kW SEMITRANS® 产品介绍
SEMITRANS封装是一种工业标准封装，适用于20kW至500kW逆变器，具备铜底板和螺丝安装功率端子。该封装采用低电感设计，支持900A和1700V的模块规格。SEMITRANS系列提供600V至1700V的电压级别和25A至900A的电流范围，包括半桥、斩波器、单开关、多电平、三相全桥和共发射极拓扑结构。新推出的62mm封装提高了功率输出，适用于半桥、斩波器和共发射极配置。此外，还介绍了高速IGBT和CAL4U二极管，以实现更快的开关速度和更高的功率输出。
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【产品】80V/1A的NPN晶体管CMPT491E，采用SOT-23封装
Central Semiconductor（中央半导体）的CMPT491E类型是工业标准491 NPN硅晶体管的增强版本。该器件通过外延平面工艺制造，并在SOT-23表面贴装封装中进行环氧树脂成型。CMPT491E具有低VCE（SAT）（C-E饱和压降），高hFE(共发射极电流放大系数)，采用SOT-23封装，专为大电流通用放大器应用而设计。
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