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APT65GP60B2 600V
发布时间: 2018-08-01
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
APT
型号:
APT65GP60B2
本数据手册详细介绍了APT公司生产的APT65GP60B2型号600V高压功率MOSFET IGBT。该器件采用穿通技术,具备低导通损耗、低栅极电荷及超快尾电流关断等优异特性,并具有SSOA额定值。其电气参数设计支持100 kHz操作频率,在400V电压下可达54A电流,特别适用于高频、高压开关应用及高频开关电源的优化设计。资料中还涵盖了该产品的动态特性、热和机械特性以及典型性能曲线,为工程师提供全面的设计参考。APT在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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APT6038BLL APT6038SLL 600V 17A 0.380Ω
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APT6013B2FLL APT6013LFLL 600V 43A 0.130Ω
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APT6025BLL APT6025SLL 600V 24A 0.250Ω
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APT6038BFLL APT6038SFLL 600V 17A 0.380Ω
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APT6029BFLL APT6029SFLL 600V 21A 0.290Ω
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APT6029BLL APT6029SLL 600V 21A 0.290Ω
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APT6017B2LL APT6017LLL 600V 35A0.170Ω
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APT6011B2VR APT6011LVR 600V 49A 0.110Ω
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APT6030BVR APT6030SVR 600V 21A 0.300Ω
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APT6021BLL APT6021SLL 600V 29A 0.210Ω
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APT6015B2VFR APT6015LVFR 600V 38A0.150Ω
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APT6030BVFR APT6030SVFR 600V 21A 0.300Ω
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APT6021BFLL APT6021SFLL 600V 29A 0.210Ω
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APT6025BFLL APT6025SFLL 600V 24A 0.250Ω
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APT6017B2FLL APT6017LFLL 600V 35A 0.170Ω
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APT6017JFLL 600V 31A 0.170Ω
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APT60M80L2VR 600V 65A 0.080Ω
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APT60M75L2FLL 600V 73A 0.075Ω
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APT60M75JLL 600V 58A 0.075Ω
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APT60M75JFLL 600V 58A 0.075Ω
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APT60M75JVR 600V 62A 0.075Ω
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APT6035BVR 600V 18A 0.350Ω
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APT6015B2VR 600V 38A 0.150Ω
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APT65GP60J 600V
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APT60M75L2LL 600V 73A 0.075Ω
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APT6013JFLL 600V 39A 0.130Ω
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APT6013JLL 600V 39A 0.130Ω
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APT6025SVR 600V 25A 0.250Ω
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600V APT65GP60JDQ2
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APT6035SVR 600V 18A 0.350Ω
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APT6015LVR 600V 38A 0.150Ω
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APT6025BVR 600V 25A 0.250Ω
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APT80GP60B2 600V功率MOS 7®IGBT
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APT30GP60B APT30GP60S 600V功率MOS 7®IGBT
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APT75GP120J 1200V
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APT75GP120B2 1200V
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900V APT15GP90BDQ1 APT15GP90BDQ1G*
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1200V APT13GP120BDQ1 APT13GP120BDQ1G*
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APT35GP120J
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600V APT12GT60BR APT12GT60BRG*
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APT50GP60J 1200V
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Simcenter™ POWERTESTER硬件是Siemens Xcelerator这一全面、集成式软硬件和服务产品组合的一部分,旨在实现零件可靠性评估流程的自动化,以便正确估算功率模块的使用寿命,识别可在开发过程中消除的弱点,从而提高可靠性和使用寿命。本文说明如何将Simcenter POWERTESTER应用于各包含两个半桥的四个中等功率IGBT模块,展示了通过器件自动功率循环获得丰富数据。
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Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE
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重磅新品发布!森国科推出大功率IGBT分立器件,兼具易于驱动、控制简单、高开关频率和低饱和压降等优点
2023年7月,森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点,多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。
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