APT75GP120B2 1200V
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
APT
型号：
APT75GP120B2
本数据手册详细介绍了APT75GP120B2型号的1200V高压功率MOSFET IGBT的技术规格与性能参数。该器件具备低导通损耗、低栅极电荷及超快尾电流关断等关键特性，能够有效提升电源转换效率。资料详细列出了其最高额定值，包括总功耗1042瓦以及-55°C至150°C的宽工作结温范围，并展示了在100 kHz（800V/20A）及50 kHz（800V/38A）条件下的操作频率表现。此外，该产品拥有反向偏置安全工作区（RBSOA）额定值，并提供了涵盖静态电气特性、动态特性及热机械特性的完整性能曲线，为工程师进行精确设计与系统评估提供了详实的数据支持。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台配备专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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项目：电力智能控制模块
需求：需要工业级MicroSD卡，确保-40~85℃正常工作，数据不丢失。4GB或8GB。请帮忙推荐货期、质量都比较好的型号。
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地平线X3派NTFS文件系统挂载，不支持读写模式，怎么解决？
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地平线X3M开发板上我烧录系统后，为什么没有apt命令，没有办法安装 together ros系统，请问如何解决这个问题？
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世强AI
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650V 耐压平台＋50A 持续电流！時科 SKIS50N65-T7 ，高效稳定可靠的中高功率IGBT解决方案
時科SKIS50N65-T7 IGBT提供高效稳定可靠的中高功率解决方案，具备650V耐压、50A电流及低损耗特性，适用于工业逆变焊机、电机驱动、UPS电源、太阳能逆变器及开关电源等领域，采用成熟工艺与多重安全结构确保高可靠性。
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AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113，工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器，具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出（低至3V逻辑）兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配，以简化高频应用中的应用。
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APT32F103x 系列 103x 系列通用型 32 位 RISCV 微处理控制器使用手册
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解析功率循环对IGBT寿命的影响——准确估算功率器件的寿命
Simcenter™ POWERTESTER硬件是Siemens Xcelerator这一全面、集成式软硬件和服务产品组合的一部分，旨在实现零件可靠性评估流程的自动化，以便正确估算功率模块的使用寿命，识别可在开发过程中消除的弱点，从而提高可靠性和使用寿命。本文说明如何将Simcenter POWERTESTER应用于各包含两个半桥的四个中等功率IGBT模块，展示了通过器件自动功率循环获得丰富数据。
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APT32F102xB 系列 102xB 系列通用型 32 位微处理控制器使用手册
本手册为APT32F102xB系列32位微处理控制器提供了全面的技术信息，包括系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断向量控制器等。内容包括：
- 系统存储空间的详细划分和地址分配。
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- 中断向量控制器的特性、工作原理和配置方法。
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APT32F171 使用手册
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Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE
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功率器件IGBT的原理
IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT（双极结型晶体三极管) 和 MOS（绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特征。
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APT8102X 电容式触摸传感器使用手册
APT8102X是一款多通道电容式触摸传感器，支持17路采集通道，适用于多种触摸按键控制。它具有I2C通信接口，可配置灵敏度、工作模式等参数。手册详细介绍了寄存器配置、应用电路设计、通讯协议以及不同封装类型的尺寸信息。此外，还提供了改版历史记录。
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igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于大功率应用中，如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前，本文中芯长征科技先来介绍一下IGBT的基本工作原理和应用特点。
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重磅新品发布！森国科推出大功率IGBT分立器件，兼具易于驱动、控制简单、高开关频率和低饱和压降等优点
2023年7月，森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管（BJT）低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。
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APT32S003 S003 通用型 32 位微处理控制器使用手册
本手册针对APT32S003系列32位微处理器，提供了详细的内核、存储和外设信息。内容包括产品分类定义、历史版本说明、系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断向量控制器(INTC)的特性和工作原理、中断优先级和抢占机制、中断响应时间和嵌套条件、中断唤醒机制以及中断操作步骤等。此外，还包含了相关寄存器的详细描述和配置方法。
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APT32F110x 系列 110x 系列通用型 32 位微处理控制器使用手册
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