MSASC75W45F MSASC75W45FR 45 Volts 75 Amps LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
MSASC75W45F; MSASC75W45FR
本数据手册详细介绍了MSASC75W45F系列肖特基二极管的技术规格与应用特性。该器件是一款45伏、75安培的低漏电流肖特基二极管，专为各类电子设备中的电源管理而设计。其核心优势在于具备低漏电流、高反向能量能力以及低正向电压降，能够有效提升电源转换效率。在封装方面，该系列采用静电密封、低剖面的陶瓷表面贴装电源封装，不仅具有低封装电感和非常低的导热系数，还确保了优异的散热性能与稳定性。此外，产品提供标准极性（带是阳极）和反向极性（带是阴极）两种配置，并支持TXV级和S级筛选，以满足不同应用场景的严苛要求。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MSASC75W100F (1N6820) 100 Volts 75 Amps LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
2018/01/11
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Adaptec SAS RAID大学培训模块简介
March 2016
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MSASC25H45K MSASC25H45KR 45伏25安低电压降肖特基二极管
2017/12/04
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SAS螺母和螺栓大学培训模块
March 2016
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1N6818 (MSASC75H45F) 1N6818R (MSASC75H45FR) 45 Volts 75 Amps LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
2018/01/11
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| 技术文档 - 英文 |
Adaptec®存储板解决方案数据中心解决方案
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MSASC25W100K MSASC25W100KR 100伏25安培薄型表面贴装肖特基二极管
2017/12/04
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MSASC25W45K (1N6816) MSASC25W45KR (1N6816R) 45 Volts 25 Amps LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
2018/01/11
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MSASC100H45H MSASC100H45HR 45 Volts 100 Amps SURFACE MOUNT LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
1N6821 (MSASC150H45L) 1N6821R (MSASC150H45LR) 45 Volts 150 Amps LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
2018/01/11
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1N6822 (MSASC150W45L) 1N6822R (MSASC150W45LR) 45 Volts 150 Amps LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
2018/01/11
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MSASC100W100H MSASC100W100HR 100 Volts 100 Amps LOW LEAKAGESCHOTTKY DIODE
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
MSASC150H45A 45 Volts 150 Amps LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
MSC050SDA0170B零恢复碳化硅肖特基二极管
Revision A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
MSC010SDA070B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
MSC030SDA070K零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
MSC030SDA170B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision A
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MSC050SDA120S零恢复碳化硅肖特基二极管
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
MSC030SDA120S零恢复碳化硅肖特基二极管
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
MSC015SDA120B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
MSC050SDA120B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision A
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MSC010SDA120B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision B
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MSC020SDA120B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision B
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APT20SCD120BHB 1200V 20A零恢复碳化硅肖特基二极管
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
MSC030SDA120B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
MSC030SDA120B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision ATI
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| 数据手册 - 英文 |
MSC010SDA120B数据表零恢复碳化硅肖特基二极管
Revision A
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
CoreQSGMII
Revision 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无22T-RT4G150-CQ352-K7HWA
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RT4G150-LG1657-K7KAS
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ57T1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ26Y1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DHK3S1
Rev. 0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
存储板解决方案Microsemi Adaptec®产品指南
本资料介绍了Microsemi Adaptec的存储解决方案，包括SmartRAID 3100、SmartHBA 2100、HBA 1100系列RAID适配器和SAS扩展卡。产品特点包括高性能、数据加密、低功耗和可靠性，适用于数据中心、云计算和软件定义存储环境。资料详细介绍了各产品的技术规格、性能特点和适用场景。
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PV Panels Protected by Diotec‘s Bypass Diode SK4045YD2-3G, Free from Heat Damage
Bypass diodes inside the PV modules prevent heat damage and are therefore mandatory protective elements. The SK4045YD2-3G by Diotec Semiconductor is a state-of-the-art 40 A / 45 V Schottky Bypass Diode in TO-263AB/D²PAK, offering low thermal resistance, low forward voltage, low leakage current, and high ESD capability.
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Breakthrough Technology Silicon Carbide Combines High Performance with Low Losses
The differences in material properties between silicon carbide and silicon limit the fabrication of practical silicon unipolar diodes (Schottky diodes) to a range of up to 100-150V, with a relatively high on-state resistance and leakage current.
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【产品】瑶芯微650V/6A碳化硅肖特基二极管AKC65D006GHH，符合RoHS标准，反向漏电流最大值可低至50μA
瑶芯微推出型号为AKC65D006GHH的650V/6A碳化硅肖特基二极管,器件具有高非重复正向峰值浪涌电流，低正向电压以及低漏电流等特性，无卤，符合RoHS标准。
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案例研究:采用Trench肖特基二极管，设计紧凑高效的AC/DC电源实现功率密度的显著提升
Recom Power开发了一款满足IEC60601-1严格要求的AC/DC电源，旨在提高功率密度至以往产品型号的两倍。该电源采用Nexperia的Trench肖特基二极管，以解决5V辅助输出过热问题，同时保持高效和紧凑设计。Trench肖特基二极管具有低正向压降、低反向恢复电荷和低漏电流，提高了电源的效率和热稳定性。该电源适用于医疗、工业、楼宇自动化等领域，无需风扇即可提供高功率密度。
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【产品】高温1200V/10A碳化硅肖特基二极管CHT-IO-1210，典型工作温度范围为-55~+210℃
CISSOID推出的高温1200V/10A碳化硅肖特基二极管CHT-IO-1210，该产品被设计用于在极宽的温度范围内实现高性能：典型工作温度范围为-55℃~+210℃，同时保持低漏电流。该二极管可用于多种应用，包括整流、续流二极管、钳位和通用用途。
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【产品】强茂新推高效率150V/1-30A、平面工艺技术的H型肖特基二极管
强茂近期推出了新的H型肖特基二极管，该产品具有优点：通过使用带有Pt阻挡层的平面晶圆，可以在高结温工作期间实现低漏电流；由于高温期间的低泄漏电流，反向损耗得以降低；由于较高的结温，VF降低，有助于改善正向损耗；适用于高温的工作环境。强茂H型肖特基提供了150V及1-30A的产品组合选择，并涵盖了多样化的封装种类。
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RT PolarFire®FPGA DDR3本机接口
本应用笔记介绍了如何使用RT PolarFire FPGA的Native Interface模式配置DDR3控制器，以实现向DDR3内存执行写和读突发操作。通过选择拨动开关的ON/OFF状态，可以设置不同的操作模式（如递增模式、走位1模式、走位0模式和递减模式）。此外，还介绍了如何使用SmartDebug工具验证写和读数据。笔记中详细描述了硬件和软件要求、设计实现步骤，以及如何通过Libero SoC和SmartDebug工具运行和验证设计。
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SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的电路板和布局设计指南
本资料为Microsemi公司发布的关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的板级和布局设计指南。内容涵盖设计考虑因素、电源设计、I/O瞬态、时钟设计、复位电路、设备编程、SerDes设计、LPDDR、DDR2和DDR3设计、用户I/O和时钟引脚配置、双电源设计、brownout检测、同时切换噪声、电源布局、SerDes布局、PLL布局、I/O电源布局、编程电源布局、高速串行链路布局、仿真考虑、DDR3布局指南、创建原理图符号等。
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SPI-DirectC V2021.2用户指南
本指南介绍了SPI-DirectC软件，用于支持Microchip微处理器的嵌入式在系统编程（ISP）。指南详细说明了如何使用SPI-DirectC在支持的Microchip设备上启用基于微处理器的嵌入式ISP，包括系统概述、数据文件生成、SPI-DirectC代码集成、必要的源代码修改、数据文件格式、源文件描述、数据文件位方向以及示例项目。指南涵盖了SPI-DirectC的安装、配置和使用，旨在帮助用户进行有效的ISP操作。
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SPI-DirectC V2021.1用户指南
SPI-DirectC v2021.1用户指南主要介绍了如何使用SPI-DirectC进行嵌入式In-System Programming（ISP）以支持Microchip的IGLOO2、SmartFusion2、PolarFire和PolarFire SoC设备。指南详细说明了系统概述、数据文件格式、源代码修改、编译器开关、硬件接口组件、数据文件位方向以及示例项目等内容，旨在帮助用户生成数据文件、集成SPI-DirectC代码并实现设备编程。
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SmartFusion®2和Igloo®2高速串行接口配置用户指南
本指南介绍了如何配置SmartFusion2和IGLOO2系列中的高速串行接口，包括协议配置、PCIe配置、通道配置、信号完整性选项、发送去加重、接收CTL均衡、电源管理设置、高速串行接口控制寄存器配置、固件和仿真级别。指南详细说明了配置步骤和参数设置，适用于Libero SoC SERDES_IF核心。
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【产品】25℃下正向压降最大仅1.5V的650V/20A的SiC肖特基二极管，适用于开关电源等应用
SCS320AJ是ROHM推出的SiC肖特基二极管，具有低正向电压，低漏电流和高浪涌电流能力的特点，恢复时间/电流可忽略不计，且二极管的开关与温度无关，电气性能出色。
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【产品】10A、20A、30A/150V肖特基势垒二极管，具有超低漏电流
FCG10AU15，FCG20BU15，FCG30AU15是京瓷推出的反向重复峰值电压为150V，平均整流输出电流依次为10.0A/20.0A/30.0A的三款肖特基势垒二极管，适用于次级侧整流，DC/DC转换器，防反二极管，续流二极管。
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SiC肖特基二极管
Wolfspeed推出的SiC肖特基二极管在高压应用中优于硅二极管，具有低开关损耗，提高系统效率。这些二极管基于Merged PIN Schottky (MPS)工艺，提供更高的正向浪涌能力和更低的反向漏电流。Wolfspeed提供丰富的参考设计、SPICE模型和技术文章，支持设计工程师使用SiC。此外，Wolfspeed二极管具有高温度和频率操作能力，低漏电流，易于并联，并符合AEC-Q101标准。
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CoreAxi4DMA控制器
本手册详细介绍了Microsemi公司提供的CoreAXI4DMAController v2.1版本，这是一个AXI4 DMA控制器，用于在AXI系统中执行内存到内存风格的DMA传输。该核心提供内置的流控制技术，以确保AXI接口的带宽得到最佳利用。此外，该核心还提供AXI4内存映射从属设备的桥接，以支持AXI4-Stream主设备。手册涵盖了核心的架构、功能描述、接口描述、寄存器映射和描述、工具流程等内容，并提供了性能和利用率数据。
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