APT8015JVR 800V 44A 0.150Ω
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
APT
型号：
APT8015JVR
本数据手册详细介绍了APT8015JVR型号器件，这是一款采用新技术的800V N通道增强型Power MOS V®功率MOSFET。该器件具备44A的连续漏极电流和0.150Ω的导通电阻，支持快速开关并具有低漏电特性，特别适用于高电压应用场景。在可靠性方面，产品经过了100%雪崩测试，并采用通用的SOT-227封装。针对文中所述器件，Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。此外，平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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APT20M22LVFR（G）200V 100A 0.022Ω功率MOS V®
Rev B
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APT8030LVR 800V 27A 0.300Ω
Rev B
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APT6035SVR 600V 18A 0.350Ω
Rev B
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APT6025BVR 600V 25A 0.250Ω
Rev C
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APT5024BVR APT5024SVR 500V 22A 0.240Ω功率MOS V®
Rev C
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APT30M70BVFR（G）300V 48A 0.070Ω功率MOS V®
Rev A
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APT6025SVR 600V 25A 0.250Ω
Rev B
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APT1001RBVR 1000V 11A 1.000Ω
REV C
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APT10050JVFR 1000V 19A 0.500Ω
Rev.B
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APT10086BVR 1000V 13A 0.860Ω
2017/11/29
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APT10050LVR 1000V 21A 0.500Ω
Rev.B
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APT12080JVFR 1200V 15A 0.800Ω
REV A
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APT12060B2VFR APT12060LVFR 1200V 20A 0.600Ω
REV A
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APT10025JVR 1000V 34A 0.250Ω
Rev.A
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APT1001RBVFR APT1001RSVFR 1000V 11A 1.00Ω
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APT1001RSVR 1000V 11A 1.000Ω
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APT10050B2VFR APT10050LVFR 1000V 21A 0.500Ω
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APT20M45BVFR（G）200V 56A 0.045Ω
Rev C
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APT1201R5BVFR APT1201R5SVFR 1200V 10A 1.500Ω
REV.A
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APT12045L2VFR 1200V 28A 0.450Ω
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APT8065SVRG
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APT20M45SVR 200V 56A 0.045Ω
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APT6015B2VR 600V 38A 0.150Ω
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APT6035BVR 600V 18A 0.350Ω
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APT8030JVFR 800V 25A 0.300Ω
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APT20M45SVFR（G）200V 56A 0.045Ω
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APT1201R6BVFR APT1201R6SVFR 1200V 8A 1.600Ω
Rev.A
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APT6015LVR 600V 38A 0.150Ω
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APT6030BVR APT6030SVR 600V 21A 0.300Ω
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APT60M75JVR 600V 62A 0.075Ω
Rev A
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APT5024BVFR APT5024SVFR 500V 22A 0.240Ω
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APT5018BFLL APT5018SFLL 500V 27A 0.180Ω
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APT6011B2VR APT6011LVR 600V 49A 0.110Ω
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APT60M80L2VR 600V 65A 0.080Ω
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APT6013B2FLL APT6013LFLL 600V 43A 0.130Ω
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APT8018L2VFR 800V 43A 0.180Ω
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APT5024BLL（G）APT5024SLL（G）500V 22A 0.240Ω
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APT5015BVFR APT5015SVFR 500V 32A 0.150Ω
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APT6015B2VFR APT6015LVFR 600V 38A0.150Ω
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APT6030BVFR APT6030SVFR 600V 21A 0.300Ω
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APT8030LVFR 800V 27A 0.300Ω
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APT30M36B2FLL APT30M36LFLL 300V 84A 0.036Ω功率MOS 7 R FREDFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F，漏源电压500V，导通电阻仅0.32Ω
SLKOR推出的SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装，也使其在PCB设计中具有良好的散热性能，从而保证器件的高可靠性。
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【产品】1200V/55A的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET S2M0040120K，具有正温度特性
S2M0040120K是SMC推出的一款采用TO-247-4封装的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET。该器件在极端温度下具有非常低的总导通损耗和非常稳定的开关特性，在具有挑战性的环境下，对于能源敏感型应用和高频应用来讲是理想之选。
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【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N60FG，漏源电压最大额定值600V
FIR12N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-CellTM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。
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【产品】栅源电压±30V的N沟道增强型高压功率MOSFET-MX7N65，栅极电荷低，适用于开关电源等产品
无锡明芯微推出的MX7N65N沟道增强型高压功率MOSFET，具有低栅极电荷，高雪崩耐量以及较强dv/dt能力等特性。该产品漏源电压为650V，栅源电压±30V，最大脉冲电流为28A。其应用广泛，适用于开关电源、电子变压器、电子镇流器以及其他高压转换产品。
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【产品】极低开关损耗的增强型N沟道功率MOSFET SROSG80R380FF，低RDS值为380mΩ
萨瑞微电子推出一款增强型N沟道功率MOSFET SROSG80R380FF，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷，最大限度地减少传导损耗，同时能提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。
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【产品】1700V的N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，采用TO-247-3封装
派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，工作结温范围为-55℃ 至 +200 ℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。
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【产品】600V N沟道增强型功率MOSFET BSS127，采用SOT-23封装
丽正国际推出的BSS127是新一代N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术，可提供出色的高压特性和快速开关特性，使其非常适合小信号和电平转换应用。在环境温度为 25°C时，BSS127可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为0.021A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为250℃/W。
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军品级N沟道增强型SiC MOSFET，采用C2M MOSFET技术
Wolfspeed（原CREE）推出的CPM2-1200-0040B系列碳化硅MOSFET，N通道增强模式，采用C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术，具有高阻断电压、低导通电阻、低电容的特点，易于并联或单驱动，具有较高的系统效率和功率密度，较低的冷却需求，支持高速转换，非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压直流/直流转换器、马达驱动器、脉冲电源等应用领域。
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