Integrated Device Technology ICS9ZX21901
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
BLM21A601R; MMZ2012S601A; HZ0805E601R; CBG0805-600-50
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Integrated Device Technology 9ZML1232 Power Filter
Rev.0.1
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| 商品功能框图 - 英文 |
9ZXL1930集成器件技术
Rev 0.2
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| 电路原理图 - 英文 |
IDT-9ZXL1951 QFN EVM\ U B版
Rev 1
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| 数据手册 - 英文 |
Integrated Device Technology ICS9ZX21201
Rev.0.4
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术加州圣何塞
R e v 0.3
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术加州圣何塞
Rev 0.1
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术加州圣何塞
Rev 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
Integrated Device Technology ICS9ZX21901
Rev.0.4
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| 电路原理图 - 英文 |
9DBV0441管道
Revision 0.2
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| 电路原理图 - 英文 |
BLM21A601R铁氧体磁珠FB1
Rev .2
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术加州圣何塞9DML0441/9DML0451
Rev 0.1
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术加利福尼亚州圣何塞9FGV0431\U SCH 9FGV0441
Rev 0.4
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| 技术文档 - 英文 |
加利福尼亚州圣何塞集成设备技术9FGV0231\U SCH 9FGV0231/9FGV0241
Rev 0.1
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| 电路原理图 - 英文 |
9DBL0641 Reference Schematic 电路原理图
Rev 0.3
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术
Rev0.3
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术
Rev 0.2
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| 电路原理图 - 英文 |
9FGV0841 电路原理图
Rev0.2
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| 电路原理图 - 英文 |
9ZXL0831 Integrated Device Technology 电路原理图
Rev 0.2
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| 技术文档 - 英文 |
集成设备技术加利福尼亚州圣何塞9DBV0831/9DBV0841
Rev 0.2
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| 电路原理图 - 英文 |
9DBL0941/9DBL0851 Integrated Device Technology 电路原理图
Rev 0.2
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| 电路原理图 - 英文 |
9DBL0442 Integrated Device Technology 电路原理图
Rev 0.3
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| 电路原理图 - 英文 |
9DBL0455 Integrated Device Technology 电路原理图
Rev 0.1
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| 技术文档 - 英文 |
铁素体磁珠建议
Revision 101404
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| 技术文档 - 英文 |
铁素体磁珠建议
Revision 101404
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| 数据手册 - 英文 |
DAC1008D650双通道10位DAC；最高650 MSPS；通过JESD204A接口实现2倍、4倍或8倍插值
Rev. 04
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| 数据手册 - 英文 |
81006i VCXO-to-6 LVCMOS输出
REVISION B
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| 数据手册 - 英文 |
ICS85214I低偏斜、1至5、差分至HSTL扇出缓冲器
REVISION B
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT273T/AT/CT快速CMOS八通道D触发器，具有主复位功能
JUNE 2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT299T/AT/CT快速CMOS 8输入通用移位寄存器
6/24/2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT646T/AT/CT快速CMOS八通道收发器/寄存器（3态）
JUNE 2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT541T/AT/CT快速CMOS八通道缓冲器/线路驱动器
JUNE 2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V73250 3.3 VOLT TIME SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH
12/04/2012
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74LVC16374A 3.3V CMOS 16-BITEDGE-TRIGGERED D-TYPEFLIP-FLOP WITH 3-STATE OUTPUTS,5 VOLT TOLERANT I/O
AUGUST 2015
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| 数据手册 - 英文 |
IDTQS3861 QUICKSWITCH® PRODUCTSHIGH-SPEED CMOS 10-BITBUS SWITCH WITHFLOW-THROUGH PINOUT
JANUARY 2013
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| 数据手册 - 英文 |
844N255I FemtoClock® NG Crystal-to-LVDS Clock Synthesizer
April 28, 2016
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| 技术文档 - 英文 |
ATM的逆复用IDT82V2604
Version - 4
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7203 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
NOVEMBER 2017
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| 数据手册 - 英文 |
IDT8V41N004I FemtoClock® NG Crystal-to-HCSL Clock Generator
REVISION A
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世强AI
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应用/方案
设计提示：IDT PCIe®Gen2交换机中的时钟体系结构
本文介绍了IDT PCIe Gen2交换机的时钟架构。内容包括全球参考时钟输入、端口参考时钟输入、全局时钟锁相环（PLL）的设计，以及时钟信号的调制和频率选择。此外，还讨论了时钟信号的电气规格、散布频谱时钟（SSC）的应用和EMI的降低。
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推荐的铁氧体磁珠AN-805应用说明
本文介绍了铁氧体磁珠在IDT时钟产品电源滤波中的应用。重点讨论了选择铁氧体磁珠时需考虑的五个主要参数：直流电阻、交流阻抗、偏置电流额定值、材料和封装尺寸。文章还提供了不同制造商和型号的铁氧体磁珠的详细规格，包括Z值、封装尺寸、直流电阻和电流额定值。此外，还包含了封装尺寸的转换图表。
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推荐铁氧体磁珠应用说明
本文介绍了铁氧体磁珠在IDT时钟产品电源滤波中的应用。重点讨论了选择铁氧体磁珠时需考虑的五个主要参数：直流电阻、交流阻抗、偏置电流额定值、材料和封装尺寸。文章还提供了不同制造商和型号的铁氧体磁珠的详细规格，包括Z值、封装尺寸、直流电阻和电流额定值。
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推荐的铁氧体磁珠
本文介绍了在IDT时钟产品中选择铁氧体磁珠（或芯片）作为电源滤波器时需要考虑的五个主要参数：直流电阻、交流阻抗、偏置电流额定值、材料和封装尺寸。文章强调了低通滤波器在隔离中的重要性，并建议选择具有适当直流电阻的磁珠。此外，还提供了不同制造商和型号的磁珠示例，包括Z值、封装尺寸、直流电阻和电流额定值。文章还包含封装尺寸的转换图表，并提供了免责声明和版权信息。
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铁氧体磁珠建议应用说明
本文推荐使用铁氧体磁珠（或芯片）对ICS产品的3.3V或5.0V电源进行滤波。选择铁氧体磁珠时需考虑的主要参数包括直流电阻、交流阻抗和偏置电流额定值。为了实现良好的隔离，建议使用具有适当直流电阻的磁珠。电阻值取决于允许的电压降和被供电设备的最大电流。对于所有小于200mA的电源电流，Dale ILB-1206-300磁珠是推荐的选择。文中列出了Murata、Dale、FairRite和TDK等制造商的产品规格。
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铁素体磁珠建议
本文推荐使用铁氧体磁珠（或芯片）对ICS产品的3.3V或5.0V电源进行滤波。选择铁氧体磁珠时需考虑三个主要参数：直流电阻、交流阻抗和偏置电流额定值。为了实现良好的隔离，建议使用具有一些直流电阻的磁珠。所需电阻的大小取决于允许的电压降以及被供电设备的最大电流。对于所有小于200mA的电源电流，Dale ILB-1206-300是推荐的选择。文中列出了Murata、Dale、FairRite和TDK等制造商的产品规格。
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82V3910 WANPLL–应用程序员接口参考手册
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8V9705x评估板用户指南
本指南介绍了IDT 8V9705x评估板的使用，该板用于评估8V97051、8V97051L、8V97053和8V97053L IDT宽带射频合成器。通过USB连接PC和IDT Timing Commander软件，用户可以配置和编程设备以生成具有最佳性能的频率。指南涵盖了硬件连接、软件配置和默认启动条件。
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文档控制门户用户学习指南
本指南旨在为IDT文档控制门户的用户提供操作指南，涵盖文档控制门户的设置、文档操作、版本控制、工作流程、搜索功能以及管理技巧。指南详细介绍了文档库的结构、文件命名规范、上传和编辑文档的方法，以及如何设置版本控制和工作流程。此外，还包括如何使用搜索功能、管理权限和设置元数据导航等内容。
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89HPES16T4G2和89HPES12T3G2硬件设计指南
本指南提供了IDT 89HPES16T4G2和89HPES12T3G2 PCIe 2.0交换机设备的系统设计指南。内容涵盖PCI Express接口配置、端口配置、链路宽度、极性反转、AC耦合、差分对路由、参考时钟电路、复位方案、SMBus接口、GPIO和JTAG引脚、电源和去耦方案等。指南旨在帮助系统设计者进行硬件设计，确保设备符合PCI Express规范。
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