ESTIMATING POWER DISSIPATION IN CMOS DEVICES AN-154 APPLICATION NOTE
发布时间：
2018-08-01
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
FCT805/6; FCT805T/6T; FCT810T; FCT807T; FCT3805; FCT3807; FCT88915TT; FCT388915; FCT3932; FCTxxx; FCTxxxT; FCT2xxxT; FCT16xxxT; FCT162xxxT; FCT166xxxT; FCT163xxx
该应用笔记详细阐述了CMOS器件在系统中功耗的估算方法，旨在帮助工程师准确评估设计的热性能与能耗水平。文档内容涵盖了热限分析、基于数据表规格的总功耗估算以及负载功耗估算等核心技术点，并提供了具体的计算公式与实例，指导用户验证设计是否超出功耗限制，从而确保系统的可靠性与稳定性。针对文中所述CMOS器件及相关技术方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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加工定制
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资料平台
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IDT49FCT3805D/E 3.3V CMOS双1到5时钟驱动器数据表
MAY 2010
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A1809-02产品/工艺变更通知单（PCN）
December 26, 2018
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IDT49FCT3805/A 3.3V CMOS BUFFER/CLOCK DRIVER
MAY 2010
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
74FCT88915TTAJG产品停用通知（PDN）
25-Sep-2012
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IDT70V9199/099L HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
MARCH 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：TB0808-04
26-Oct-2008
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IDT70V9169/59L HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
02/21/18
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IDT70V9169/59L HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
FEBRUARY 2018
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IDT70V9169/59L HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9SYNCHRONOUS PIPELINEDDUAL-PORT STATIC RAM
FEBRUARY 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
3/28/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
5/25/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
May 29, 2003
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
8/16/2004
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
26-Oct-2008
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：L-0505-04
Rev.Y
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70V9199/099L HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
07/25/19
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70V9199/099L HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
07/25/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
L-0505-04产品/工艺变更通知单
August 24, 2005
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IDT74FCT3807D/E 3.3V CMOS1-TO-10 CLOCK DRIVER
JULY 2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）L-0503-04
3/28/2005
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IDT74FCT3807/A 3.3V CMOS 1到10时钟驱动器数据表
OCTOBER 2014
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3.3V CMOS 1到10时钟驱动器
JULY 2006
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3.3V CMOS 1到10时钟驱动器
OCTOBER 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A1808-01产品/工艺变更通知单（PCN）
REV. 01
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3.3V CMOS双1到5时钟驱动器
MAY 2010
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
U-09-01 1493AGI-19产品停产通知单
13-May-2009
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3.3V CMOS缓冲/时钟驱动器
MAY 2010
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3.3V CMOS缓冲/时钟驱动器
2017/11/28
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1337DCGI产品/工艺变更通知（PCN）
October 10, 2012
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IDT74FCT139T产品/工艺变更通知（PCN）
11/28/2007
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IDT70V9359/49L高速3.3V 8/4K x 18同步流水线双端口静态RAM数据表
JULY 2010
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技术论坛
IDT 49FCT3805 / 3805A时钟驱动器器件的附加相位抖动是多少？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
CMOS器件功耗的估算
本文档为应用笔记，主要介绍了如何估算CMOS器件在系统中的功耗。内容涵盖了热限制、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。文章提供了计算公式和实例，帮助工程师评估设计中的功耗问题，确保设备在规定的热限制内运行。
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CMOS器件功耗估算应用注AN-154
本文档为IDT公司发布的《估算CMOS器件功耗》应用笔记，旨在帮助工程师估算CMOS逻辑器件在系统中的功耗。内容涵盖热极限、基于数据表规格估算总功耗、负载功耗等方面。通过提供等效功耗模型和方程，帮助工程师使用FCT/FCTT逻辑和时钟缓冲器进行功耗估算。
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CMOS器件功耗估算应用注AN-154
本文档为IDT公司发布的应用笔记AN-154，主要介绍了如何估算CMOS器件的功耗。内容涵盖了热限制、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。通过提供公式和实例，帮助工程师确定设计是否超出功耗限制，并确保器件可靠性。文档还给出了IDT时钟驱动器的频率限制表格，以供参考。
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CMOS器件功耗估算应用说明
本文档为IDT公司发布的《估算CMOS器件功耗》应用笔记，旨在帮助工程师估算CMOS逻辑器件在系统中的功耗。内容涵盖了功耗估算方法、热限制、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。文章提供了计算公式和实例，以帮助工程师确保设计不会超过热限制，并计算整体系统功耗。
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CMOS器件功耗估算应用说明
本文档为IDT公司发布的《估算CMOS器件功耗》应用笔记（AN-154），主要介绍了如何估算CMOS逻辑器件在系统中的功耗。内容涵盖热极限、基于数据表规格估算总功耗、负载功耗等方面。通过提供等效功耗模型和方程，帮助工程师使用FCT/FCTT逻辑和时钟缓冲器进行功耗估算。
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【产品】采用先进的双金属CMOS技术构建的八通道收发器74FCT3245，STND和A两种速度可供选择
IDT（Renesas收购）推出的74FCT3245八通道收发器，采用先进的双金属CMOS技术构建。这些高速，低功耗收发器适合于两条总线（A和B）之间的异步通信。方向控制引脚（DIR）控制数据流的方向。输出使能引脚（OE）会覆盖方向控制并禁用两个端口。所有输入均具有迟滞设计，以改善噪声容限。
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军用航空产品
IDT公司专注于航空航天和军事市场的产品供应，提供包括高速SRAM、多端口存储器、FIFO、高性能逻辑、VME桥、嵌入式主机桥（EHB）、RapidIO®交换机和PCI-e到RapidIO®桥等多样化产品。公司产品包括陶瓷双列直插封装、Cerpak、Flatpack、Pin Grid Array和Leadless Chip Carrier等，所有产品均通过QML认证。此外，IDT还提供多种软件工具和硬件平台，支持RapidIO®交换机。
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使用FCT时钟缓冲器的时钟和信号分配应用说明
本应用笔记（AN-150）主要介绍了IDT时钟缓冲器的特性和时钟信号分布的一般问题。内容包括IDT时钟缓冲器的特性、AC特性、信号完整性（包括开关噪声、传输线反射和去耦EMI）等。此外，还提供了IDT时钟缓冲器的输出驱动能力和阻抗信息，以及如何通过去耦和布局设计来降低时钟信号上的噪声和EMI。
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使用FCT时钟缓冲器的时钟和信号分配
本文档为IDT时钟缓冲器应用笔记AN-150，主要介绍了IDT时钟缓冲器的特性以及时钟信号分布的一般问题。内容包括时钟缓冲器的输入和输出结构、AC特性、信号完整性（包括开关噪声、传输线反射和去耦）、以及EMI（电磁干扰）的减少方法。文档提供了IDT时钟缓冲器的详细规格和性能参数，并给出了改善时钟信号完整性的建议。
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使用FCT时钟缓冲器的时钟和信号分配应用说明AN-150
本应用笔记介绍了IDT时钟缓冲器的特性以及时钟信号分布的一般问题。内容涵盖IDT时钟缓冲器的时序特性、信号完整性、开关噪声、传输线反射、去耦和EMI等方面。提供了IDT时钟缓冲器的详细规格参数、输出驱动能力和阻抗特性，并给出了降低时钟信号噪声的指导原则。
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锁相环时钟发生器
本文介绍了锁相环（PLL）在模拟系统设计和通信系统中的应用，重点讲解了PLL的工作原理、关键组件及其在时钟分布中的应用。文章详细阐述了PLL的四个主要组件：相位/频率检测器、电荷泵、环路滤波器和电压控制振荡器。此外，还讨论了PLL的锁定过程、延迟补偿、频率倍增、抖动以及PLL的稳定性分析。文章最后总结了PLL在时钟生成中的应用，并提供了IDT公司相关PLL产品的信息。
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【产品】高速CMOS四路总线开关QS3126，提供QSOP和SOIC封装
IDT（Renesas收购）推出高速CMOS四路总线开关QS3126。该器件提供一组四个高速CMOS开关，用于输入连接到输出。器件具有低导通电阻，因此输入连接到输出没有传播延迟，也不会产生额外的接地反弹杂讯 。单独的使能端（OE）用于开关导通。该器件不会给系统增加噪声、接地反弹、传播延迟或显著功耗，是信号和控制开关的理想选择。
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3.3电压逻辑特性和应用说明
本文详细介绍了3.3伏逻辑电路的特性及其应用。文章首先阐述了3.3伏逻辑电路在降低功耗、提高系统性能和密度方面的优势，并分析了其在便携式设备、空间和军事系统等领域的应用。随后，文章重点介绍了IDT公司3.3伏逻辑电路的特点，包括电源条件、输入输出特性、AC性能、功耗、可靠性和噪声考虑等方面。此外，文章还讨论了3.3伏与5伏逻辑电路的接口问题，并提供了相应的解决方案。
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3.3电压逻辑特性和应用说明
本文详细介绍了3.3伏逻辑电路的特性及其应用。文章首先阐述了3.3伏逻辑电路在降低功耗、提高系统性能和密度方面的优势，并分析了其在便携式设备、空间和军事系统等领域的应用。随后，文章重点介绍了IDT公司3.3伏逻辑电路的特点，包括电源条件、输入输出特性、AC性能、功耗、可靠性和噪声考虑等方面。此外，文章还讨论了3.3伏与5伏逻辑电路的接口问题，并提供了相应的解决方案。
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FCT-T八进制逻辑特性及应用说明
本文档为IDT FCT Octal Logic的特性与应用指南，主要内容包括FCT Octal Logic的家族分类、设计方法、直流电气特性、输入输出特性、功耗等。文档详细介绍了FCT Octal Logic的多种配置，包括高驱动、平衡驱动和CMOS驱动，以及它们在不同应用中的优缺点。此外，文档还提供了FCT逻辑的AC电气特性、功耗、漏电流等详细信息，为设计师提供了全面的技术参考。
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FCT-T八进制逻辑特性及应用说明
本文档为IDT FCT Octal Logic的特性与应用指南，主要内容包括FCT Octal Logic的家族分类、设计方法、直流电气特性、输入输出特性、功耗等。文档详细介绍了FCT Octal Logic的多种配置，包括高驱动、平衡驱动和CMOS驱动，以及它们在不同应用中的优缺点。此外，文档还提供了FCT逻辑的AC电气特性、功耗、漏电流等详细信息，为设计师提供了全面的技术参考。
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热插拔多电源系统设计应用说明
本文档为应用笔记，主要讨论了热插拔和多电源系统设计中的接口设计问题。内容涵盖了热插拔和多电源系统应用中的常见问题，如对未供电或部分供电设备的接口引脚施加电压，以及正确排序对未供电组件的供电连接。文章提供了组件选择和设计技术建议，以实现成功的接口设计。
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热插拔多电源系统设计应用说明
本文档为应用笔记，主要讨论了热插拔和多电源系统设计中的接口设计问题。内容涵盖了热插拔和多电源系统应用中的常见问题，如对未供电或部分供电设备的接口引脚施加电压，以及正确排序对未供电组件的供电连接。文章提供了组件选择和设计技术建议，以实现成功的接口设计。
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