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4MX0121V Switch/Multiplexer for DDR3/DDR4 NVDIMM
发布时间: 2018-08-01
类型: 技术文档,技术说明、产品技术资料
品牌:
IDT(艾迪悌)
型号:
4MX0121V; DDR3; DDR4
本数据手册详细介绍了Integrated Device Technology(IDT)公司生产的4MX0121V开关/多路复用器,该器件专为DDR3/DDR4 NVDIMM内存总线系统设计。资料指出,4MX0121V具备1:2开关或2:1多路复用拓扑结构,拥有12位总线开关功能,通过优化的AC和DC参数实现了最高内存通道性能。该产品采用高速开关架构,能够提供高带宽、低插入损耗、低回波损耗以及极低的传播延迟,非常适用于高速信号切换或多路复用应用。在封装方面,其采用3 x 8 mm 48球VFBGA封装,紧凑的设计完美契合NVDIMM应用场景。IDT在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。此外,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
数据手册 - 英文
4MX0121V开关/多路复用器,用于DDR3/DDR4 NVDIMM
REVA
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产品变更通知及停产信息 - 英文
4MX0121VA13AVG 4MX0121VA13AVG8 4MX0121VA13AVG/M 4MX0121VA13AVG8/M产品/工艺变更通知(PCN)
December 17, 2018
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技术文档 - 英文
内存多路复用器系列概述
2018/03/28
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技术文档 - 英文
内存多路复用器系列概述
REVA
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数据手册 - 中文
服务器存储器接口芯片组的领导者 数据手册
2018/02/25
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数据手册 - 英文
SSTE32882HLB 1.35V/1.5V带奇偶校验测试和四芯片选择的注册时钟驱动器数据表
2020/04/05
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技术文档 - 英文
出口产品分类
2019-05-30
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数据手册 - 英文
QS32390 QUICKSWITCH®产品高速CMOS QUICKSWITCH 16:8多路复用器数据表
JUNE 2019
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数据手册 - 英文
MX0141KA0 1:4高速内存总线MUX简式数据表
Rev 00
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测试报告 - 英文
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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测试报告 - 英文
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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商品功能框图 - 英文
PSC-4263 AM/AMG 256封装外形17 X 17毫米机身1.00毫米间距PBGA
Rev.01
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测试报告 - 英文
DMG80材料成分声明
2009-07-02
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商品功能框图 - 英文
MSC-5806-A CD 6/10载带
Rev.00
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数据手册 - 英文
IDT8T49N244I Femtock®NG双通用频率转换器
Rev.A
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产品变更通知及停产信息 - 英文
IDT82V2041E数据表更改通知
December 9, 2005
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产品变更通知及停产信息 - 英文
IDT82P2282产品介绍更改通知
Version 1.0
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商品功能框图 - 英文
PSC-4730-01 420-PBGA热增强封装外形图
Rev 00
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商品功能框图 - 英文
PSC-4732-01 10-VFQFPN包装外形图
Rev 01
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商品功能框图 - 英文
1PSC-4748-02 14-LGA包装外形图
Rev 00
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数据手册 - 英文
ZSSC3131成本优化开关应用传感器信号调节器数据表
January 25, 2016
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数据手册 - 英文
F1978 6位75Ω数字步进衰减器5MHz至3GHz产品介绍
Rev O
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数据手册 - 英文
XAH335030.000000I 30.000000 MHz晶体振荡器数据表附录
March 4, 2019
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数据手册 - 英文
XAH335025.000000I 25.000000 MHz晶体振荡器数据表附录
March 6, 2019
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数据手册 - 英文
IDT1337G REAL-TIME CLOCK WITH I²C SERIAL INTERFACE
REV M
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应用/方案
IDT 内存多路复用器概述
IDT memory multiplexers address the industry’s growing need for memory expansion in SSD and NVDIMM applications.
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IDT PCI Express®Gen2系统互连交换机硬件设计指南应用说明
本资料为IDT PCI Express Gen2系统设计指南,详细介绍了PES64H16G2芯片的硬件连接、应用注意事项、设计要点等。内容包括端口编号、链路宽度协商、通道反转、极性反转、AC耦合、差分对布线、参考电阻引脚、参考时钟电路、复位方案、SMBus接口、电源和去耦方案、GPIO和JTAG引脚、开关分区以及静态和动态重新配置等。
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【产品】小尺寸封装的内存多路复用器,满足行业对SSD与NVDIMM的内存扩展需求
IDT内存多路复用器满足了行业对SSD(固态硬盘)和NVDIMM(非易失性双列直插式内存模块)应用中不断增长的内存扩展需求。
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【应用】基于车规级处理器R-Car H3N的三屏互联智能座舱方案
传统驾驶舱的仪表,IVI等各个模块相互独立,需要多种处理器或MCU实现,各个模块相互独立,交互卡顿,用户体验差,为解决上述问题,本方案采用Renesas车规级R-Car H3N处理器,搭配带CANFD的MCU,匹配R-Car H3N的PMIC电源管理芯片,四通道视频解码器,高精度定位模组,低抖动输出的时钟发生器,导热硅脂等器件及材料实现三屏互联智能座舱方案设计。
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MX0141K内存多路复用器系列概述
IDT的内存复用器系列针对SSD和NVDIMM应用中日益增长的内存扩展需求。这些高性能的1:4复用器(符合ONFI 4.1标准)在低引脚数、低功耗封装中显著提高闪存密度,同时最大化NV-DDR3吞吐量。1:2复用器在NVDIMM应用中电源故障期间将DRAM数据路由到闪存。复用器引脚布局允许其放置在边缘连接器附近,减轻了电路板约束问题,同时对高速信号的影响最小。主要特点包括易于集成、小封装尺寸、低功耗和高带宽开关架构。
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Memory Multiplexer Family Overview 产品介绍
IDT的内存复用器系列针对SSD和NVDIMM应用中日益增长的内存扩展需求。这些高性能的1:4复用器在低引脚数、低功耗封装中显著提高闪存密度,同时最大化NV-DDR3吞吐量。1:2复用器在NVDIMM应用中电源故障期间将DRAM数据路由到闪存。复用器引脚布局允许其放置在边缘连接器附近,减轻了电路板约束问题,同时对高速信号的影响最小。特点包括易于集成、小封装尺寸、低功耗和高带宽切换架构。
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【产品】高速CMO QuickSwitch系列16:8多路复用器QS32390,提供QSOP封装
IDT(Renesas收购)推出高速CMO QuickSwith系列16:8多路复用器QS32390。器件提供一个16:8多路复用器逻辑开关。 器件具有一个内部25Ω电阻,可减少高速应用中的反射噪声。 使能输入端将两输入之一连接到公共I / O引脚。 多路复用器可用于为零延迟选择和发送逻辑信号,隔离总线电容,形成交叉开关等领域。
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82P2828/2821/2816/2521/2808高密度阻抗补偿刘氏全内阻抗模式应用说明
本资料为IDT应用笔记AN-524,主要讨论了在高密度LIU(线路单元)的完全内部阻抗匹配模式下,如何通过调整参考电阻值来补偿外部引入的额外阻抗,以优化接收/传输回波损耗和脉冲形状。资料详细介绍了不同阻抗匹配方案的影响,以及如何通过选择合适的参考电阻值来调整阻抗匹配,以达到最佳性能。
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IDT的PES12T3G2和PES16T4G2 PCI Express®交换机的热特性
本资料为IDT应用笔记AN-548,主要针对PCI Express开关PES12T3G2和PES16T4G2的热特性进行了详细说明。内容包括热参数定义、热阻计算公式、热性能数据表格、散热器需求分析等,旨在帮助设计者了解和评估这两种开关的热管理需求。
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使用IDT7052/7054四端口™ sram在DSP和矩阵处理中的应用
本文介绍了IDT7052/7054 FourPort™ SRAM在数字信号处理(DSP)和矩阵运算中的应用。通过使用IDT7052,可以简化高速流水线FFT处理器的设计,并提高矩阵乘法引擎的性能。文章详细阐述了如何利用IDT7052实现FFT算法和矩阵乘法,并比较了使用传统SRAM和IDT7052的优缺点。
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【产品】低压8:1多路复用器/多路分解器74CBTLV3251,闩锁性能超过100mA
IDT(Renesas收购)推出的低压8:1多路复用器/解复用器74CBTLV3251。开关的低导通状态电阻允许以最小的传播延迟进行连接。选择输入(S0,S1,S2)控制数据流。 当输出使能(/OE)输入为高时,复用器/解复用器开关被禁用。 为确保器件在上电或掉电期间处于高阻抗状态,/OE应通过上拉电阻连接到VCC。 电阻的最小值取决于驱动器的电流汲取能力。
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COSUSB42 高速USB 2.0 (480 Mbps) 1:2多路复用器/多路解复用器开关
科山芯创推出的COSUSB42是一款高性能、低功耗的双刀双掷(DPDT)CMOS模拟开关,专为切换高速USB 2.0 (480 Mbps) 信号而优化。该器件采用先进的工艺设计,支持 1.8V 至 5.5V 的宽电压单电源供电,具备轨到轨信号处理能力,可无缝传输模拟与数字信号。
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ZSC31150评估套件说明手册
本资料详细介绍了IDT的ZSC31150传感器信号调理IC的评估套件,包括硬件和软件的安装、配置和使用。套件包含通信板、评估板和校准软件,用于传感器模块评估、实验室设置和模块校准开发。软件支持多种配置和操作模式,包括接口选择、ZSC31150配置、模拟前端调整、温度传感器选择、ADC设置和应用设置等。此外,还提供了数据读取、校准演示和命令发送等功能。
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SyncFIFOs(时钟FIFOS)应用说明的宽度扩展
本文介绍了IDT公司SyncFIFOs(时钟FIFOs)的宽度扩展设计。主要内容包括:SyncFIFOs的优势、宽度扩展的设计考虑、偏斜时序问题及解决方案、其他相关标志的处理等。文章详细讨论了如何通过合理设计来确保数据传输的准确性和效率。
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与IDT FIFOs应用程序匹配的总线说明
本文档为IDT应用笔记AN-265,主要介绍了SuperSync II系列FIFO的Bus Matching功能。该功能旨在消除外部MUX,适用于无奇偶校验数据传递到FIFO的应用。文档详细阐述了如何将外部字节导向总线映射到9位导向的FIFO,包括32位输入到8位输出、32位输入到16位输出、32位输入到32位输出等不同配置下的映射方法。此外,还讨论了读写操作、状态标志、奇偶校验模式以及偏移寄存器编程等关键问题。
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总线开关提供5V和3V逻辑转换与零延迟应用说明
本文介绍了IDT的QS3861 QuickSwitch总线开关在电池供电计算机系统中实现5V和3V逻辑转换的功能。文章指出,由于5V TTL和3V TTL组件的兼容性问题,需要转换逻辑以防止损坏3V组件。QS3861能够自动提供这种转换,无需控制逻辑或引入传播延迟。文章详细解释了QuickSwitch的工作原理,包括其低延迟、低电容和高电流容量特性。此外,还提供了将QS3861用作5V TTL到3V TTL转换器的示例。
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82P338XX/9XX方框图应用说明
该资料介绍了IDT82P338XX/9XX同步管理单元(SMU)的功能和应用。该单元支持IEEE 1588和同步以太网(SyncE)的时钟同步,具备多种模式来调整输出时钟、控制偏移、时钟源和时序路径。资料详细说明了如何编程时钟相位偏移,包括输入、输入到输出以及输出时钟的偏移控制。此外,还提供了82P338XX/9XX的典型配置示例及其测量偏移量。
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热插拔建议应用说明
本文介绍了热插拔技术在元器件行业中的应用,重点讨论了在系统不停电的情况下,如何安全地插入和移除子卡。文章详细分析了典型差分时钟输入的电路设计,并提供了使用串联电流限制电阻的常见终止拓扑示例。此外,还涵盖了LVCMOS、LVPECL、HCSL/PCI Express、HSTL、LVDS和SSTL等不同类型的终止示例。文章强调了电流限制电阻应尽可能靠近接收器放置,并提供了相关电容的选择建议。
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IDT计时时钟产品的晶体计时预算与精度应用说明
本应用笔记提供了选择合适石英晶振以满足设计时序预算的基本指南。它描述了影响石英晶振和振荡器组合总系统时序误差的五个参数,并举例说明了如何计算IDT时序器件的最大整体时序误差。这些参数包括频率容差、频率稳定性、老化、负载电容和振荡器精度。
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多路、精准、可靠,扬州国芯8通道模拟多路复用器/解复用器CD4051,不可不知的模拟开关专家
在电子系统设计中,灵活的信号多通道切换是提升功能性与效率的关键。扬州国芯CD4051作为一款经典的8通道模拟多路复用器/解复用器,凭借其高集成度、低损耗、宽电压兼容等特性,成为工程师应对信号选择、数据采集、系统控制等场景的“全能枢纽”。本文将从核心优势、典型应用及设计技巧三方面解析CD4051,助您解锁更多设计可能。
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CD4067灵星芯微16通道模拟开关/多路复用器,低导通电阻和高阻态特性保证信号传输稳定可靠
在电子设计领域,随着技术的不断进步,对电子元器件的性能要求越来越高。灵星芯微推出16通道模拟多路复用器/多路分解器CD4067 ,凭借其多通道切换能力、宽电压与低功耗特性、高集成度与简化设计、信号完整性保障以及顺应国产化趋势等特点,成为了众多硬创研发、采购工程师和产品经理的推荐产品之一。今天,我们就来深入探讨一下这款芯片在不同领域的应用优势。
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治精微新推ZJG4408、ZJG4409——40V低漏电流、低导通电阻、极高平坦度的多路复用器
治精微隆重推出新一代40V低漏电流、低导通电阻、138MHz带宽精密多路复用器,8:1多路复用器ZJG4408和双通道4:1多路复用器ZJG4409。它们可以广泛应用于自动测试设备(ATE)、功能测试(FCT)、过程控制(PLC)、分布式控制系统(DCS)、精密数据采集等场合。TSSOP-16和QFN-16两种封装的管脚定义和国际竞品完全兼容。
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晶体-高驱动电平应用说明
本文探讨了高驱动水平晶振的关键参数、测量和注意事项。随着石英晶体技术的进步,晶体封装和内部晶体空白尺寸不断减小,导致驱动能力降低。晶体制造商和硅电路设计师对驱动水平有不同的关注点。文章介绍了如何通过测量激励电流来计算晶振的驱动水平,并讨论了驱动水平对晶振的动态电阻、谐振频率和相位噪声的影响。此外,还介绍了如何使用网络分析仪进行驱动水平依赖性分析,并提供了实际应用案例。
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无线基础设施应用中的时间对齐背景说明
本应用笔记探讨了无线基础设施网络中时间对齐的重要性,包括其在5G无线协议支持中的作用。内容涵盖了时间对齐的益处、基站如何建立和维护对齐、PTP协议在网络级别实现对齐的机制,以及时间误差规范和它们的意义。此外,还讨论了不同网络类别中的时间误差目标和实现这些目标的挑战。
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